【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，具体涉及一种半导体器件及其多晶硅部偏移量的检测方法。
技术介绍
1、在ic制造中，光刻是最复杂关键的一个工艺步骤，套刻精度是其中重要性能指标之一。随着集成电路制造中光刻工艺特征尺寸不断减小，对套刻精度的要求逐步提升。若套刻精度不符合设计规则，器件各层组件之间的电路不能准确连接，可能发生短路或断路的现象，从而导致生产良率和器件性能的损失。只有准确量测到真实的套刻误差(overlay，简称ovl)，才能在后续的工艺中设法对其进行有效的补偿和修正。套刻误差也称偏移量，是描述后层与前层图案间套刻精准性的重要参数。在制造中，理想套刻误差的值为0，即每一光刻层之间都能够完全对准，但因工艺上的各种因素，基本无法达到理想的状态。目前，检测套刻误差所采用的方法较为繁琐，不易操作，导致检测效率较低。
技术实现思路
1、鉴于此，本申请提供一种半导体器件及其多晶硅部偏移量的检测方法，以提高多晶硅部偏移量的检测效率。
2、本申请提供一种半导体器件，包括：
3、衬底；
...【技术保护点】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括设置于所述衬底中的隔离结构，所述第一N+区远离所述第二N+区以及所述第二N+区远离所述第一N+区的一侧均设置有所述隔离结构。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括第一接触孔和第二接触孔，所述第一接触孔暴露所述第一测试区，所述第二接触孔暴露所述第二测试区，所述第一测试垫填充于所述第一接触孔，所述第二测试垫填充于所述第二接触孔中。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一测试垫以及所...
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括设置于所述衬底中的隔离结构，所述第一n+区远离所述第二n+区以及所述第二n+区远离所述第一n+区的一侧均设置有所述隔离结构。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括第一接触孔和第二接触孔，所述第一接触孔暴露所述第一测试区，所述第二接触孔暴露所述第二测试区，所述第一测试垫填充于所述第一接触孔，所述第二测试垫填充于所述第二接触孔中。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一测试垫以及所述第二测试垫的形状包括正方形、长方形、圆形和三角形中的至少一种。
5.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述隔离结构的高度小于所述第一n+区以及所述第二n+区的高度。
6.一种半导体器件的多晶硅部偏移量的检测方法，其特征在于，用于检测权利要求1-5任一项所述的半导体器件的多晶硅部偏移量，包括：
7.根据权利要求6所述的半导体器件的多晶硅部偏移量的检测方法，其特征在于，所述将所述测试...
【专利技术属性】
技术研发人员：艾怡君，赵晓龙，张青，张拥华，
申请(专利权)人：粤芯半导体技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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