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本申请提供一种半导体器件及其多晶硅部偏移量的检测方法，半导体器件包括衬底、P型阱、多晶硅部以及测试部，P型阱设置于衬底中；第一N+区和第二N+区间隔设置于P型阱中；多晶硅部设置于P型阱上；自多晶硅部朝向P型阱的方向上，多晶硅部的两侧分别与第...
该专利属于粤芯半导体技术股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过粤芯半导体技术股份有限公司授权不得商用。

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