一种结型场效应晶体管及其制备方法和应用技术

本发明专利技术公开了一种结型场效应晶体管及其制备方法和应用。本发明专利技术的结型场效应晶体管的组成包括依次层叠设置的p型Si层、SiO<subgt;2</subgt;层、β‑Ga<subgt;2</subgt;O<subgt;3</subgt;纳米带和GaSe纳米片，β‑Ga<subgt;2</subgt;O<subgt;3</subgt;纳米带远离SiO<subgt;2</subgt;层的那一面的一端设置有源电极，另一端设置有漏电极，GaSe纳米片设置在β‑Ga<subgt;2</subgt;O<subgt;3</subgt;纳米带远离SiO<subgt;2</subgt;层的那一面的中间区域，且与源电极和漏电极相互隔离，GaSe纳米片远离β‑Ga<subgt;2</subgt;O<subgt;3</subgt;纳米带的那一面设置有栅电极。本发明专利技术的结型场效应晶体管具有开启电压低、关态电流小、亚阈值摆幅低、电流开关比高、结构简单等优点，且其制备方法简单、可重复性强、成品率高，适合进行大规模工业化生产应用。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及氧化镓半导体器件，具体涉及一种结型场效应晶体管及其制备方法和应用。

技术介绍

1、第四代半导体β-ga2o3具有优越的材料属性(例如：超宽的带隙eg(～4.9ev)、较高的理论击穿场强ecr(6mv/cm～8mv/cm)、优异的热稳定性、良好的化学惰性与抗辐照特性等)，近年来备受工业界和科学界的关注。尽管β-ga2o3的电子迁移率(300cm2·v-1·s-1)相对偏小，但其baliga优值(～3444)和johnson优值(～2844.4)远高于同类型的宽带隙材料4h-sic和gan，表明β-ga2o3可以提供更稳定更高效的功率切换，很适合应用在高压、高温及大功率电子设备上。此外，由于β-ga2o3是透明导电氧化物(tco)，其还可以用作薄膜晶体管的沟道层，可以应用在柔性集成电路领域。目前，β-ga2o3晶体的生长工艺也日趋成熟，科研人员已报道了若干制作流程简易且经济效益高的单晶β-ga2o3生长技术(例如：浮区法、垂直bridgman法和czochralski法等)，制备得到的β-ga2o3晶体普遍呈n型，通过控制掺杂浓度能够在1015c本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种结型场效应晶体管，其特征在于，组成包括依次层叠设置的p型Si层、SiO2层、β-Ga2O3纳米带和GaSe纳米片；所述β-Ga2O3纳米带远离SiO2层的那一面的一端设置有源电极，另一端设置有漏电极；所述GaSe纳米片设置在β-Ga2O3纳米带远离SiO2层的那一面的中间区域，且与源电极和漏电极相互隔离；所述GaSe纳米片远离β-Ga2O3纳米带的那一面设置有栅电极。

2.根据权利要求1所述的结型场效应晶体管，其特征在于：所述p型Si层的厚度为350μm～500μm。

3.根据权利要求1所述的结型场效应晶体管，其特征在于：所述SiO2层的厚度为90nm～1...

【技术特征摘要】

1.一种结型场效应晶体管，其特征在于，组成包括依次层叠设置的p型si层、sio2层、β-ga2o3纳米带和gase纳米片；所述β-ga2o3纳米带远离sio2层的那一面的一端设置有源电极，另一端设置有漏电极；所述gase纳米片设置在β-ga2o3纳米带远离sio2层的那一面的中间区域，且与源电极和漏电极相互隔离；所述gase纳米片远离β-ga2o3纳米带的那一面设置有栅电极。

2.根据权利要求1所述的结型场效应晶体管，其特征在于：所述p型si层的厚度为350μm～500μm。

3.根据权利要求1所述的结型场效应晶体管，其特征在于：所述sio2层的厚度为90nm～120nm。

4.根据权利要求1～3中任意一项所述的结型场效应晶体管，其特征在于：所述β-ga2o3纳米带的厚度为120nm～300nm。

5.根据权利要求1～3中任意一项所述的结型场效应晶体管，...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈金鑫，李斌，
申请(专利权)人：华南理工大学，
类型：发明
国别省市：