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本发明公开了一种结型场效应晶体管及其制备方法和应用。本发明的结型场效应晶体管的组成包括依次层叠设置的p型Si层、SiO<subgt;2</subgt;层、β‑Ga<subgt;2</subgt;O<subgt;...
该专利属于华南理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过华南理工大学授权不得商用。

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