【技术实现步骤摘要】
本申请实施例涉及半导体,尤其涉及一种半导体器件的沟槽隔离制备方法以及半导体器件。
技术介绍
1、在沟槽隔离的制备工艺流程中,通常在硅衬底上制作出深沟槽形貌,并且填充多晶硅后,先通过平坦化处理进行磨平,然后通过光刻定义出浅沟槽图形,采用干法刻蚀的方式制作出浅沟槽区域。
2、然而,在干法刻蚀过程中由于浅沟槽的刻蚀角度一般小于90度,形成的结构是倒梯形的沟槽形貌,而深沟槽的侧壁为垂直。在刻蚀过程中,容易在浅沟槽和深沟槽的重叠区域的交界处产生硅残留,如果直接通过增加步骤进行硅残留的去除,又容易出现因光刻图形的侵蚀,导致图形底部比顶部宽,形成异常的凹槽,给后续的填充工艺带来困难,影响半导体器件的性能。
技术实现思路
1、本申请实施例提供了一种半导体器件的沟槽隔离制备方法以及半导体器件,解决了相关技术容易在浅沟槽和深沟槽的重叠区域的交界处产生硅残留,或者因去除硅残留导致光刻形成异常结构,给后续的填充工艺带来困难,影响半导体器件的性能的问题。实现了在刻蚀得到深沟槽之后,直接制作出浅沟槽的区域
...【技术保护点】
1.半导体器件的沟槽隔离制备方法,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的沟槽隔离制备方法,其特征在于,在所述衬底上对应于所述开口进行向下的第二刻蚀处理,形成深沟槽,包括:
3.根据权利要求1所述的沟槽隔离制备方法,其特征在于,在所述深沟槽以及所述浅沟槽中进行沉积多晶硅以及用于隔离所述多晶硅与所述衬底的绝缘介质,包括:
4.根据权利要求1所述的沟槽隔离制备方法,其特征在于,对所述深沟槽的侧壁进行修复处理,包括:
5.根据权利要求1所述的沟槽隔离制备方法,其特征在于,所述第一隔离层包括氧化硅层和氮化硅层,所述氮化硅层在
...【技术特征摘要】
1.半导体器件的沟槽隔离制备方法,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的沟槽隔离制备方法,其特征在于,在所述衬底上对应于所述开口进行向下的第二刻蚀处理,形成深沟槽,包括:
3.根据权利要求1所述的沟槽隔离制备方法,其特征在于,在所述深沟槽以及所述浅沟槽中进行沉积多晶硅以及用于隔离所述多晶硅与所述衬底的绝缘介质,包括:
4.根据权利要求1所述的沟槽隔离制备方法,其特征在于,对所述深沟槽的侧壁进行修复处理,包括:
5.根据权利要求1所述的沟槽隔离制备方法,其特征在于,所述第一隔离层包括氧化硅层和氮化硅层,所述氮化硅层在所述氧化硅层上形成。
6.根据权利要求1所述的沟槽...
【专利技术属性】
技术研发人员:王秀金,习艳军,陈勇树,
申请(专利权)人:粤芯半导体技术股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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