【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体制备，尤其涉及一种氮化硅清洗方法及半导体器件。
技术介绍
1、在55nm制程工艺中，对于sti（shallow trench isolation，浅沟道隔离）的沟道填充会使用到高纵横比的harp（high aspect ratio process，高深宽比工艺）氧化硅作为填充材料。而在工艺上需要高温制程对氧化硅进行退火处理而使其致密化的同时提高其抗潮湿性能，在该过程中氮化硅同时会产生相应的物理和化学上的变化，从而在氮化硅表面形成相应的膜层结构而使得经过高温制程后的氮化硅的刻蚀难度增大，所需的清洗时长变长。
2、另一方面，sti工艺的步骤通常需要通过湿法刻蚀的方式（如采用高温磷酸的方式等）除去氮化硅层，在除去氮化硅层后氧化硅层与硅衬底之间会形成一个阶梯高度。而由于经过高温制程后的氮化硅层的刻蚀难度增大，而且磷酸用量的增加同样会对氧化硅层产生影响，从而使得阶梯高度难以控制，进而影响器件结构和性能。
技术实现思路
1、本申请提供了一种氮化硅清洗方法及半导体器件，解决了...
【技术保护点】
1.一种氮化硅清洗方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的氮化硅清洗方法，其特征在于，所述根据所述氢氟酸溶液对所述半导体器件上的氧化硅层的第一刻蚀速率、所述氧化硅层对应的目标刻蚀量、所述磷酸溶液对所述氧化硅层的第二刻蚀速率以及所述第二清洗时长，确定对应使用所述氢氟酸溶液的第一清洗时长，包括：
3.根据权利要求1或2所述的氮化硅清洗方法，其特征在于，所述第二刻蚀速率关联于所述磷酸溶液的已使用时长，所述第二刻蚀速率为：
4.根据权利要求1所述的氮化硅清洗方法，其特征在于，所述基于湿法刻蚀工艺，以磷酸溶液对所述氮化硅层进行第二次
<...【技术特征摘要】
1.一种氮化硅清洗方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的氮化硅清洗方法，其特征在于，所述根据所述氢氟酸溶液对所述半导体器件上的氧化硅层的第一刻蚀速率、所述氧化硅层对应的目标刻蚀量、所述磷酸溶液对所述氧化硅层的第二刻蚀速率以及所述第二清洗时长，确定对应使用所述氢氟酸溶液的第一清洗时长，包括：
3.根据权利要求1或2所述的氮化硅清洗方法，其特征在于，所述第二刻蚀速率关联于所述磷酸溶液的已使用时长，所述第二刻蚀速率为：
4.根据权利要求1所述的氮化硅清洗方法，其特征在于，所述基于湿法刻蚀工艺，以磷酸溶液对所述氮化硅层进行第二次清洗包括：
5.根据权利要求4所述的氮化硅清洗方法，其特征在于，所述根据所述氮化硅层的厚度、膜...
【专利技术属性】
技术研发人员：欧阳文森，王胜林，
申请(专利权)人：粤芯半导体技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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