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本申请提供了一种氮化硅清洗方法及半导体器件，涉及半导体制备技术领域，解决了相关技术中对氮化硅层的刻蚀难度增大且在刻蚀过程中阶梯高度难以控制的问题，本方案能够通过两次清洗并控制每次清洗的时长，从而在清洗半导体器件的氮化硅层的同时，还能够控制S...
该专利属于粤芯半导体技术股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过粤芯半导体技术股份有限公司授权不得商用。

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