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本申请实施例提供了一种半导体器件的沟槽隔离制备方法以及半导体器件，该方法包括：提供衬底，衬底上形成有第一隔离层；对第一隔离层进行第一刻蚀处理，形成开口；在衬底上沉积聚合物层，聚合物层覆盖于第一光刻胶层、以及开口的侧壁和底部；在衬底上对应于开...
该专利属于粤芯半导体技术股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过粤芯半导体技术股份有限公司授权不得商用。

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