【技术实现步骤摘要】
本专利技术是有关于一种内埋电容基板，特别是有关于一种垂直式内埋电容基板的制造方法及其结构。
技术介绍
如图1所示，现有的内埋电容基板10是包含有一上表面11、一下表面12、若干个内埋电容13及若干个导线14，该些内埋电容13是电性连接该些导线14，该些内埋电容13是具有一第一电极131、一介电层132及一第二电极133，该些第一电极131与该些第二电极133是分别平行设置于该上表面11与该下表面12，一芯片50可通过该些导线14与该些内埋电容11电性连接，但是该些内埋电容11的该些第一电极131与该些第二电极133的布局方式是为水平式，即分别平行该上表面11与该下表面12，其会占去基板相当多的布局空间，使得该些内埋电容11的布局数量会受限于基板尺寸大小，而无法大量应用，且在电容数量不足时，仍需依靠外加式电容c来补偿，其不仅会增加额外的SMT制程，更会增加封装体体积及制作成本。
技术实现思路
本专利技术的主要目的是在于提供一种垂直式内埋电容基板的制造方法及其结构，其主要是利用若干个图案化电极层与若干个介电层所构成的垂直式内埋电容，增加基板的电路布局空间及设计弹性，除...
【技术保护点】
一种垂直式内埋电容基板的制造方法，其特征在于：其包含：提供若干个导通层，该些导通层是由一导线层及一第一介电层所组成，该导线层是形成于该第一介电层上；提供若干个复合层，该些复合层是由一图案化电极层及一第二介电层所组成，该图案化电极层是形成于该第二介电层上；压合该些导通层及该些复合层以形成一块体，该块体是定义有若干个垂直式内埋电容基板及在该些垂直式内埋电容基板间的若干个切割道；以及沿着该些切割道切割该块体，以单体化分离该些垂直式内埋电容基板，且该些垂直式内埋电容基板是具有一第一表面及一第二表面。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：廖国成，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[]
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