半导体器件的制造方法、基板处理装置以及存储介质制造方法及图纸

本发明专利技术提供与机差或条件无关地能够稳定地成膜的半导体器件的制造方法、基板处理装置以及存储介质。半导体器件的制造方法包括：设定对微波的输出值进行修正的修正系数的工序；对保持所设定的所述修正系数的多个修正表进行存储的工序；从开始输出所述微波起周期性地从多个所述修正表中的至少一个所述修正表获取所述修正系数的工序；根据所获取的所述修正系数算出所述微波的输出设定值的修正值的工序；使用算出的所述修正值进行所述微波的输出设定值的修正的工序；以及利用修正后的所述微波的输出设定值将所述微波向处理室内供给来对基板进行处理的工序。对基板进行处理的工序。对基板进行处理的工序。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件的制造方法、基板处理装置以及存储介质


[0001]本公开涉及半导体器件的制造方法、基板处理装置以及存储介质。

技术介绍

[0002]已知一种在半导体制造领域中使用的基板处理装置中用微波对基板进行处理的技术(例如，参照专利文献1)。
[0003]此外，在现有的微波输出装置中，有因机差或条件的不同而导致处理室内的温度下降，有基板的成膜变得不稳定这样的课题。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献1：JP特开2011
‑
66254号公报

技术实现思路

[0006]本公开的一个方面的目的在于，提供一种与机差或条件无关地能够稳定地成膜的技术。
[0007]根据本公开的一个方面提供一种技术，该技术具备：
[0008]设定对微波的输出值进行修正的修正系数的工序；
[0009]对保持所设定的所述修正系数的多个修正表进行存储的工序；
[0010]从开始输出所述微波起周期性地从多个所述修正表中的至少一个所述修正表获取所述修正系数的工序；
[0011]根据所获取的所述修正系数算出所述微波的输出设定值的修正值的工序；
[0012]使用算出的所述修正值进行所述微波的输出设定值的修正的工序；以及
[0013]利用修正后的所述微波的输出设定值将所述微波向处理室内供给来对基板进行处理的工序。
[0014]专利技术效果
[0015]根据本公开的一个方面，提供一种与机差或条件无关地能够稳定地成膜的技术。r/>附图说明
[0016]图1是本公开的一实施方式的基板处理装置所具有的处理室的纵向剖视图。
[0017]图2是示出本公开的一实施方式的基板处理装置所具有的控制部的硬件构成的框图。
[0018]图3是在本公开的一实施方式的基板处理装置中使用的修正值获取处理的流程图。
[0019]图4是示出装置间机差修正表(第一修正表)的设定画面的图。
[0020]图5是示出处理模块间机差修正表(第二修正表)的设定画面的图。
[0021]图6是示出处理间修正表(第三修正表)的设定画面的图。
[0022]图7是示出伴随微波输出和时间经过的温度下降的曲线图。
[0023]图8是示出修正值算出例的参考图。
[0024]图9是示出本公开的一实施方式的基板处理装置的微波输出值的控制方法的流程图。
[0025]其中，附图标记说明如下：
[0026]20微波产生部
[0027]80控制部
[0028]100基板处理装置
[0029]102运算装置
[0030]104存储装置
[0031]204输入输出装置
具体实施方式
[0032]以下，参照附图说明本公开的一实施方式。此外，在以下的说明中使用的附图均为示意性的，附图示出的各要素的尺寸的关系、各要素的比率等与现实中并非必须一致。另外，在多个附图彼此之间，各要素的尺寸的关系、各要素的比率等并非必须一致。
[0033]＜第1实施方式＞
[0034]图1是本公开的实施方式的基板处理装置的处理室的纵向剖视图(垂直剖视图)。基板处理装置100具备处理室10、搬运室(图示省略)、以及微波供给部19。处理室10对基板11进行处理。微波供给部19具备波导路径21、以及波导口22。作为基板11，有例如半导体基板或LCD基板等。此外，也可以在微波供给部19设置微波产生部20。
[0035]微波产生部20例如构成为产生固定频率微波或者可变频率微波。作为该微波产生部20，例如使用电子回旋加速器、速调管、振动陀螺仪等。由微波产生部20产生的微波经由波导路径21从与处理室10内连通的波导口22向处理室10内辐射。由此，能够提高介电加热的效率。在波导路径21设有减少波导路径21内部的反射功率的匹配机构26。
[0036]微波供给部19包含微波产生部20、波导路径21、波导口22、以及匹配机构26而构成。
[0037]形成处理室10的处理容器18例如由铝(Al)或不锈钢(SUS)等金属材料构成。该处理容器18为通过微波将处理室10与外部遮蔽的构造。
[0038]在处理室10内设有作为基板支承机构的基板支承销13，该基板支承销13用其上端13A支承基板11。
[0039]基板支承销13例如由石英或陶瓷、蓝宝石或者铁氟龙(注册商标)等导热性低且电绝缘性良好的材质形成。在作为这种材质的情况下，抑制基板支承销13的加热。由此，抑制热量从基板11向基板支承销13逸出。通过抑制热量逸出，能够对基板面内均匀地进行加热。另外，通过抑制基板支承销13的加热，能够防止基板支承销13的热变形。另外，基板支承销13构成为多个(在本实施方式中为三根)。
[0040]在处理室10的侧壁设有例如供给氮气(N2)等气体的气体供给管52。在气体供给管52，从上游(气体流动方向的上游)按顺序设有气体供给源55、对气体流量进行调整的流量控制装置54、对气体流路进行开闭的开闭阀53。通过对开闭阀53进行开闭，在处理室10内从气体供给管52供给气体或者供给停止气体。从气体供给管52供给的气体用来将处理室10内
的氧气浓度设为低氧气浓度、或者对基板11进行冷却、或者作为吹扫气体挤出处理室10内的气体或环境气体。
[0041]气体供给部50包含气体供给管52、开闭阀53、流量控制装置54以及气体供给源55而构成。流量控制装置54和开闭阀53与控制部80电连接，由控制部80进行控制。
[0042]如图1所示，在例如长方形的处理容器18的下部且在处理室10的侧壁设有将处理室10内的气体排出的气体排出管62。在气体排出管62，从上游起按顺序设有作为排气装置的真空泵64、压力调整阀63。通过调整该压力调整阀63的开度，将处理室10内的压力调整为规定的值。此外，在本实施方式中，作为一例，将处理容器18设为长方形，但本公开不限于该构成。例如，处理容器18可以为圆柱形，也可以为多面体。
[0043]气体排出部60包含气体排出管62、压力调整阀63以及真空泵64而构成。压力调整阀63与控制部80电连接，由控制部80进行压力调整控制。
[0044]如图1所示，在处理容器18的一侧面设有用于向处理室10的内外搬运基板11的基板搬运口71。在基板搬运口71设有门阀72。构成为通过使门阀驱动部73驱动而打开门阀72，使处理室10内与搬运室内连通。基板搬运部70包括基板搬运口71、门阀72以及门阀驱动部73而构成。在搬运室内设有搬运基板11的搬运机械手(图示省略)。搬运机械手具备在搬运基板11时支承基板11的搬运臂(图示省略)。通过打开门阀72，构成为能够利用搬运机械手在处理室10内与搬运室内之间搬运基板11。
[0045]图2是示出控制部80的硬件构成的框图。控制部80具备运算装置102、存储装置104、I/O端口106。运算装置102、存储装置104、以及I/O端口1本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制造方法，其包括：设定对微波的输出值进行修正的修正系数的工序；对保持所设定的所述修正系数的多个修正表进行存储的工序；从开始输出所述微波起周期性地从多个所述修正表中的至少一个所述修正表获取所述修正系数的工序；根据所获取的所述修正系数算出所述微波的输出设定值的修正值的工序；使用算出的所述修正值进行所述微波的输出设定值的修正的工序；以及利用修正后的所述微波的输出设定值将所述微波向处理室内供给来对基板进行处理的工序。2.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，多个所述修正表包括能够设定所述微波的斜率和偏移量值各自的修正系数的装置间机差修正表。3.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，多个所述修正表包括能够从开始输出所述微波起每隔经过时间设定所述微波的斜率和偏移量值各自的修正系数的处理模块间修正表。4.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，多个所述修正表包括能够从开始输出所述微波起每隔经过时间设定所述微波的偏移量值的修正系数的处理间修正表。5.根据权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其中，在进行所述修正系数的设定的工序中，所述装置间机差修正表能够设定装置整体共用的修正系数。6.根据权利要求3所述的半导体器件的制造方法，其中，在进行所述修正系数的设定的工序中，所述处理模块间修正表能够针对每个模块设定修正系数。7.根据权利要求4所述的半导体器件的制造方法，其中，在进行所述修正系数的设定的工序中，所述处理间修正表能够针对每个定义了基板的处理条件的制程设定修正系数。8.根据权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其中，多个所述修正表包括能够从开始输出所述微波起每隔经过时间设定所述微波的斜率和偏移量值各自的修正系数的处理模块间修正表以及/或者能够从开始输出所述微波起每隔经过时间设定所述微波的偏移量值的修正系数的处理间修正表，在算出所述微波的所述修正值的工序中，将根据所述处理模块间修正表以及/或者所述处理间修正表获取到的修正系数、和根据所述装置间机差修正表获取到的修正系数组合，来算出所述微波的输...

【专利技术属性】
技术研发人员：梅田爱子，八岛司，中川良彦，
申请(专利权)人：株式会社国际电气，
类型：发明
国别省市：