本发明专利技术提供下述技术，所述技术进行：(a)向在表面露出第1基底和第2基底的衬底供给成膜阻碍气体，在第1基底的表面形成成膜阻碍层的工序；(b)向在第1基底的表面形成成膜阻碍层之后的衬底供给成膜气体，在第2基底的表面上形成膜的工序；和(c)在非等离子体的气氛下，向在第2基底的表面上形成膜之后的衬底供给与成膜阻碍层及膜发生化学反应的不含卤素的物质的工序。工序。工序。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体器件的制造方法、衬底处理装置、及程序
[0001]本公开文本涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置、及程序。
技术介绍
[0002]作为半导体器件的制造工序的一个工序，有时进行下述处理：在露出于衬底表面的多种基底中的特定基底的表面上，选择性地生长并形成膜(以下，也将该处理称为选择生长或选择成膜)(例如，参见日本特开2013
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243193号公报)。
技术实现思路
[0003]专利技术所要解决的课题
[0004]在选择生长中，在特定的基底的表面上选择性地生长膜之前，有时进行下述处理：使用成膜阻碍剂，在不期望使膜生长的基底的表面形成成膜阻碍层。
[0005]然而，在进行上述的形成成膜阻碍层的处理后使膜选择生长时，为了抑制成膜阻碍层的脱离，无法提高选择生长时的处理温度(成膜温度)，形成的膜的膜质有时劣化。另外，在选择生长后，有时需要有将成膜阻碍层除去的工序，存在生产率恶化的情况。
[0006]本公开文本的目的在于提供能够改善通过选择生长而形成的膜的膜质、并且提高生产率的技术。
[0007]用于解决课题的手段
[0008]根据本公开文本的一个方式，提供下述技术，其进行：
[0009](a)向在表面露出第1基底和第2基底的衬底供给成膜阻碍气体，在前述第1基底的表面形成成膜阻碍层的工序；
[0010](b)向在前述第1基底的表面形成前述成膜阻碍层后的前述衬底供给成膜气体，在前述第2基底的表面上形成膜的工序；和
[0011](c)在非等离子体的气氛下，向在前述第2基底的表面上形成前述膜后的前述衬底供给与前述成膜阻碍层及前述膜发生化学反应的不含卤素的物质的工序。
[0012]专利技术的效果
[0013]根据本公开文本，能够改善通过选择生长而形成的膜的膜质、并且提高生产率。
附图说明
[0014][图1]图1为本公开文本的一个方式中优选使用的衬底处理装置的立式处理炉的概略构成图，且是以纵向剖视图示出处理炉202部分的图。
[0015][图2]图2为本公开文本的一个方式中优选使用的衬底处理装置的立式处理炉的概略构成图，且是以图1的A
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A线剖视图示出处理炉202部分的图。
[0016][图3]图3为本公开文本的一个方式中优选使用的衬底处理装置的控制器121的概略构成图，且是以框图示出控制器121的控制系统的图。
[0017][图4]图4为示出本公开文本的一个方式的选择生长中的处理顺序的图。
[0018][图5]图5的(a)～图5的(d)为本公开文本的一个方式的选择生长中的各步骤中的晶片200的表面的截面部分放大图。图5的(a)为在表面露出基底200a和基底200b的晶片200的表面的截面部分放大图。图5的(b)是通过向晶片200供给成膜阻碍气体、从而在基底200a的表面形成成膜阻碍层310后的晶片200的表面的截面部分放大图。图5的(c)是通过向晶片200供给成膜气体、从而在基底200b的表面上形成膜320后的晶片200的表面的截面部分放大图。图5的(d)是通过向晶片200供给不含卤素的物质，从而将形成于基底200a表面的成膜阻碍层310从基底200a的表面除去，并且使形成于基底200b表面上的膜320变化为与膜320相比膜质得到改善的膜330后的晶片200的表面的截面部分放大图。
[0019][图6]图6的(a)～图6的(d)为本公开文本的变形例1的选择生长中的各步骤中的晶片200的表面的截面部分放大图。图6的(a)～图6的(c)各自为与图5的(a)～图5的(c)同样的截面部分放大图。图6的(d)是通过向晶片200供给不含卤素的物质，从而将形成于基底200a表面的成膜阻碍层310从基底200a的表面除去，并且使形成于基底200b表面上的膜320的组成比变化，从而使膜320变化为组成比与膜320不同的膜340后的晶片200的表面的截面部分放大图。
[0020][图7]图7的(a)～图7的(d)为本公开文本的变形例2的选择生长中的各步骤中的晶片200的表面的截面部分放大图。图7的(a)～图7的(c)各自为与图5的(a)～图5的(c)同样的截面部分放大图。图7的(d)是通过向晶片200供给不含卤素的物质，从而将形成于基底200a表面的成膜阻碍层310从基底200a的表面除去，并且向形成于基底200b表面上的膜320中添加膜320中不包含的其他元素，从而使膜320变化为膜350(其是向膜320中添加其他元素而成的)后的晶片200的表面的截面部分放大图。
[0021][图8]图8的(a)～图8的(d)为本公开文本的变形例3的选择生长中的各步骤中的晶片200的表面的截面部分放大图。图8的(a)～图8的(c)各自为与图5的(a)～图5的(c)同样的截面部分放大图。图8的(d)是通过向晶片200供给不含卤素的物质，从而将形成于基底200a表面的成膜阻碍层310从基底200a的表面除去，并且使形成于基底200b表面上的膜320变化为化学结构与膜320不同的膜360后的晶片200的表面的截面部分放大图。
[0022][图9]图9的(a)～图9的(d)为本公开文本的变形例4的选择生长中的各步骤中的晶片200的表面的截面部分放大图。图9的(a)～图9的(c)分别为与图5的(a)～图5的(c)同样的截面部分放大图。图9的(d)是通过向晶片200供给不含卤素的物质，从而将形成于基底200a表面的成膜阻碍层310从基底200a的表面除去，并且使形成于基底200b表面上的膜320的一部分即表层变化为化学结构与膜320不同的膜370后的晶片200的表面的截面部分放大图。
具体实施方式
[0023]＜本公开文本的一个方式＞
[0024]以下，主要参照图1～图4、图5的(a)～图5的(d)对本公开文本的一个方式进行说明。需要说明的是，以下的说明中使用的附图均为示意性的，附图所示的各要素的尺寸的关系、各要素的比率等并不必然与实际情况的一致。另外，在多个附图彼此之间，各要素的尺寸的关系、各要素的比率等也并不必然一致。
[0025](1)衬底处理装置的构成
[0026]如图1所示，处理炉202具有作为温度调节器(加热部)的加热器207。加热器207为圆筒形状，通过支承于保持板而垂直地安装。加热器207也作为利用热使气体活化(激发)的活化机构(激发部)发挥功能。
[0027]在加热器207的内侧，与加热器207呈同心圆状地配设有反应管203。反应管203由例如石英(SiO2)或碳化硅(SiC)等耐热性材料构成，形成上端封闭、下端开口的圆筒形状。在反应管203的下方，与反应管203呈同心圆状地配设有歧管209。歧管209由例如不锈钢(SUS)等金属材料构成，形成为上端及下端开口的圆筒形状。歧管209的上端部与反应管203的下端部卡合，以支承反应管203的方式构成。在歧管209与反应管203之间设有作为密封部件的O型圈220a。反应管203与加热器207同样垂直本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.半导体器件的制造方法，其具有：(a)向在表面露出第1基底和第2基底的衬底供给成膜阻碍气体，在所述第1基底的表面形成成膜阻碍层的工序；(b)向在所述第1基底的表面形成所述成膜阻碍层之后的所述衬底供给成膜气体，在所述第2基底的表面上形成膜的工序；和(c)在非等离子体的气氛下，向在所述第2基底的表面上形成所述膜之后的所述衬底供给与所述成膜阻碍层及所述膜发生化学反应的不含卤素的物质的工序。2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，在能够进行对形成于所述第1基底的表面的所述成膜阻碍层的除去及无效化中的至少任一处理、且能够进行对形成于所述第2基底的表面上的所述膜的改性处理的条件下，进行(c)。3.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，在(c)中，利用所述不含卤素的物质的作用，同时并行地进行对形成于所述第1基底的表面的所述成膜阻碍层的除去及无效化中的至少任一处理、和对形成于所述第2基底的表面上的所述膜的改性处理。4.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，所述不含卤素的物质包含氧化气体。5.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，所述不含卤素的物质包含含氧及氢的气体、含氧气体、以及含氧气体+含氢气体中的一种以上。6.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，所述不含卤素的物质包含H2O、H2O2、O2、O3、O2+H2、O3+H2、O2+NH3、及O3+NH3中的一种以上。7.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，所述不含卤素的物质包含氮化气体。8.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，所述不含卤素的物质包含含氮及氢的气体。9.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，所述不含卤素的物质包含NH3、N2H4、N2H2、N3H8中的一种以上。10.如权利要求2或3所述的半导体器件的制造方法，其中，在(c)中，通过所述改性处理，将所述膜中包含的杂质除去。11.如权利要求2或3所述的半导体器件的制造方法，其中，在(c)中，通过所述改性处理，使所述膜的组成比变化。12.如权利要求2或3所述的半导体器件的制造方法，其中，在(c)中，通过所述改性处理，向所述膜中添加所述膜中不包含的且所述不含卤素的物质中包含的元素。13.如权利要求2或3所述的半导体器件的制造方法，其中，在(c)中，通过所述改性处理...
【专利技术属性】
技术研发人员：山本隆治，中谷公彦，桥本良知，早稻田崇之，出贝求，
申请(专利权)人：株式会社国际电气，
类型：发明
国别省市：
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