衬底处理方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质制造方法及图纸

本发明专利技术涉及衬底处理方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。本发明专利技术的课题为，对在衬底上形成的膜的面内膜厚分布进行控制。本发明专利技术的半导体器件的制造方法具有下述工序：准备衬底的工序；和对衬底从第1供给部供给非活性气体，对衬底从第2供给部供给非活性气体，对衬底从第3供给部供给处理气体，从而在衬底上形成膜的工序，其中，第3供给部设置在隔着穿过第2供给部和衬底的中心的直线而与第1供给部相反的一侧，在形成膜的工序中，通过对从第1供给部供给的非活性气体的流量、与从第2供给部供给的非活性气体的流量的平衡进行控制，从而对在衬底上形成的膜的衬底面内膜厚分布进行调节。布进行调节。布进行调节。

【技术实现步骤摘要】
衬底处理方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质
[0001]本申请是申请日为2018年11月13日、专利技术名称为“半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质”的中国专利技术专利申请No.201811351652.4的分案申请。


[0002]本专利技术涉及衬底处理方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。

技术介绍

[0003]作为半导体器件的制造工序的一个工序，有时进行在衬底上形成膜的处理(例如，参见专利文献1)。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：日本特开2010－118462号公报

技术实现思路

[0007]专利技术所要解决的课题
[0008]本专利技术的目的在于，提供一种能够对在衬底上形成的膜的衬底面内膜厚分布进行控制的技术。
[0009]用于解决课题的手段
[0010]根据本专利技术的一个方式，提供一种技术，其具有：
[0011]准备衬底的工序；和
[0012]对上述衬底从第1供给部供给本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.衬底处理方法，其具有下述工序：准备衬底的工序；和对所述衬底从第1供给部及第2供给部供给非活性气体，对所述衬底从第3供给部供给处理气体，从而在所述衬底上形成包含所述处理气体所含的元素的膜的工序，其中，所述第3供给部设置在隔着穿过所述第2供给部和所述衬底的中心的直线而与所述第1供给部相反的一侧，形成所述膜的工序在不对所述处理气体所含的所述元素向所述衬底的表面的吸附施加自限制的条件下进行，在形成所述膜的工序中，通过对从所述第1供给部供给的非活性气体的流量、与从所述第2供给部供给的非活性气体的流量的平衡进行控制，从而对在所述衬底上形成的所述膜的衬底面内膜厚分布进行调节。2.根据权利要求1所述的衬底处理方法，其中，使从所述第1供给部供给的非活性气体的流量与从所述第2供给部供给的非活性气体的流量不同。3.根据权利要求1所述的衬底处理方法，其中，使从所述第1供给部供给的非活性气体的流量大于从所述第2供给部供给的非活性气体的流量。4.根据权利要求1所述的衬底处理方法，其中，使从所述第1供给部供给的非活性气体的流量小于从所述第2供给部供给的非活性气体的流量。5.根据权利要求1所述的衬底处理方法，其中，在所述准备衬底的工序之后、形成所述膜的工序之前，进一步具有下述工序：对所述衬底从所述第1供给部供给第2处理气体，对所述衬底从所述第2供给部及所述第3供给部供给非活性气体，从而在所述衬底上形成晶种层的工序，在所述形成晶种层的工序中，通过对从所述第2供给部供给的非活性气体的流量、与从所述第3供给部供给的非活性气体的流量的平衡进行控制，从而对在所述衬底上形成的所述晶种层的衬底面内厚度分布进行调节。6.根据权利要求5所述的衬底处理方法，其中，使从所述第2供给部供给的非活性气体的流量与从所述第3供给部供给的非活性气体的流量不同。7.根据权利要求5所述的衬底处理方法，其中，使从所述第2供给部供给的非活性气体的流量小于从所述第3供给部供给的非活性气体的流量。8.根据权利要求5所述的衬底处理方法，其中，使从所述第2供给部供给的非活性气体的流量大于从所述第3供给部供给的非活性气体的流量。9.根据权利要求5所述的衬底处理方法，其中，在所述形成晶种层的工序中，将交替实施下述工序的循环实施规定次数：对所述衬底从所述第1供给部、所述第2供给部、及所述第3供给部中的任一者供给第3处理气体的工序；和对所述衬底从所述第1供给部供给所述第2处理气体，对所述衬底从所述第2供给部及所述第3供给部供给非活性气体的工序。10.根据权利要求9所述的衬底处理方法，其中，在所述供给第3处理气体的工序中，对所述衬底从所述第1供给部及所述第3供给部供给非活性气体，对所述衬底从所述第2供给部供给所述第3处理气体。
11.根据权利要求1所述的衬底处理方法，其中，在所述准备衬底的工序之后、形成所述膜的工序之前，进一步具有下述工序：对所述衬底从所述第1供给部及所述第2供给部供给非活性气体，对所述衬底从所述第3供给部供给第2处理气体，从而在所述衬底上形成晶种层的工序，在所述形成晶种层的工序中，通过对从所述第1供给部供给的非活性气体的流量、与从所述第2供给部供给的非活性气体的流量的平衡进行控制，从而对在所述衬底上形成的所述晶种层的衬底面内厚度分布进行调节。12.根据权利要求11所述的衬底处理方法，其中，使从所述第1供给部供给的非活性气体的流量与从所述第2供给部供给的非活性气体的流量不同。13.根据权利要求11所述的衬底处理方法，其中，使从所述第1供给部供给的非活性气体的流量大于从所述第2供给部供给的非活性气体的流量。14.根据权利要求11所述的衬底处理方法，其中，...

【专利技术属性】
技术研发人员：北村匡史，平松宏朗，高桥哲也，
申请(专利权)人：株式会社国际电气，
类型：发明
国别省市：