一种新型Zener基准电路制造技术

本发明专利技术提供一种新型Zener基准电路，包括第一PMOS管、第二PMOS管、第一三极管、第二三极管、第一电流源、第三PMOS管、第四PMOS管、电容、第三三极管、第五三极管、第一电阻、第四三极管、第二电阻、第三电阻、可变电阻，第五PMOS管、第六电阻、ΔVBE单元、运算放大器、第四电阻、第五电阻、齐纳二极管和第二电流源。本发明专利技术所述的一种可大幅改进负载调制性能的Zener基准电路，通过额外的第三PMOS管漏极接地，将从外部流入的大负载电流导入地中，减少对电路工作状态的影响，同时实现了Series Mode和Shunt Mode功能，应用场景比现有方案更加广泛，在两种工作模式下性能均有很好的表现。种工作模式下性能均有很好的表现。种工作模式下性能均有很好的表现。

【技术实现步骤摘要】
一种新型Zener基准电路


[0001]本专利技术涉及模拟集成电路
，具体涉及一种新型Zener基准电路。

技术介绍

[0002]基准电压源在电路中提供电压基准，在模拟集成电路中极其重要。作为应用于模数转换器(ADC)、数模转换器(DAC)、低压差线性稳压器(LDO)和通信电路等电路中的核心模块，基准电压源的性能影响了诸多模块的性能和精度，其关键性毋庸置疑。
[0003]在常见的基准源中，带隙(Bandgap)基准源是主流的基准源。BJT管的基极
‑
发射极压降是负温度系数的电压，而当两个BJT管的电流成固定比例时，这两个BJT管的基极
‑
发射极压降之差便是正温度系数的电压。此时运用这两个双极结型晶体管(BJT)，按比例形成相互补偿的正负温度系数电压，得到零温度系数的基准电压。
[0004]齐纳基准源设计也是基准源设计的一个重要分支，相比于带隙基准源，齐纳基准源具有更好的长期稳定性、耐用性，在应用于有此类要求的领域更具实用价值。齐纳二极管又称为稳压二极管，该器件在达到临界反向击穿电压前具有本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种新型Zener基准电路，其特征在于：包括与供电电压(V
DD
)相连的第一PMOS管(M1)、第二PMOS管(M2)、第一三极管(Q1)、第二三极管(Q2)，与所述第一PMOS管(M1)G极、D极相连的第一电流源(I1)，与所述第一三极管(Q1)基极相连的第三PMOS管(M3)、第四PMOS管(M4)、电容(C
C
)，与所述第二PMOS管发射极相连的第三三极管(Q3)、第五三极管(Q5)、第一电阻(R1)，与所述第三三极管发射极(Q3)相连的第四三极管(Q4)，与所述第一电阻(R1)相连的第二电阻(R2)，与所述第二电阻(R2)相连的第三电阻(R3)、可变电阻，与所述第四PMOS管(M4)S极相连的第五PMOS管(M5)，与所述电容相连的第六电阻(R6)，与所述第五三极管(Q5)发射极相连的ΔV
BE
单元，与所述第五PMOS管(M5)G基、所述第六电阻(R6)、所述ΔV
BE
单元相连的运算放大器(AMP)，与所述运算放大器(AMP)正向输入端相连的第四电阻(R4)、第五电阻(R5)，与所述第三电阻(R3)、所述第四电阻(R4)、所述第五电阻(R5)、所述可变电阻、所述第五PMOS管(M5)S极相连的齐纳二极管(Z1)和与所述齐纳二极管(Z1)相连的第二电流源(I2)；所述第一PMOS管(M1)G极与所述第二PMOS管(M2)G极相连，所述第一三极管(Q1)集电极与所述第二三极管(Q2)集电极相连，所述第一三极管(...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩书光，范明浩，
申请(专利权)人：北京士模微电子有限责任公司，
类型：发明
国别省市：