挠性叠层板及挠性叠层板的制造方法技术

本发明专利技术的挠性叠层板具有基膜、叠层在该基膜上的中间层和叠层在该中间层上的导电层，在所述基膜中，至少叠层所述中间层的表面由聚酰亚胺树脂构成，所述中间层含有５５重量％以上的Ｎｉ、４重量％以上的Ｃｒ，同时含有比Ｃｒ容易氧化的易氧化元素，该易氧化元素的浓度在叠层方向上的所述基膜侧被设定为较高。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及在由聚酰亚胺树脂等形成的基膜(basefilm )的表面利 用铜等形成了导电层的挠性叠层板，特别涉及被用作TAB带(TAB tape)、柔性电路基板或柔性布线板等的挠性叠层板及该挠性叠层板 的制造方法。本申请要求享有基于2007年5月8日在日本申请的日本专利申请 2007- 123418号的优先权，并将其内容引用于此。
技术介绍
近年来，作为对电子器械的小型化、轻量化、结构柔软化有利的 电路基板，对使用了 TAB ( Tape Automated Bonding )和FPC ( Flexible Print Circuit)等的电路基板的需求日益增高。作为被用作上述电路基板的挠性叠层板，例如提出以下方案利 用真空蒸镀、溅射、离子镀等薄膜形成技术直接在由聚酰亚胺等形成 的基膜(basefilm)上按照电路图案形成金属薄膜，然后，利用电解 镀覆等在该金属薄膜上堆积金属镀层，形成电路图案状的导电层；或 在基膜的表面形成金属薄膜，利用电解镀覆等在该金属薄膜上堆积金 属形成导电层，蚀刻该导电层形成电路图案等。但是，上述结构的挠 性叠层板在利用蚀刻形成电路图案的工序或电解镀覆工序等中，存在 基膜和导电层间的接合强度下降、容易剥离的问题。所以，例如在专利文献1 6中提出一种挠性叠层板，通过在导电 层和基膜之间设置中间层，提高基膜和导电层之间的接合强度。特别是在专利文献6中公开的挠性叠层板中，配置含有Cr的中间 层作为中间层，通过使Cr的d电子和聚酰亚胺树脂的兀电子形成共价 键，能提高中间层和导电层与基膜的接合强度。近年来，使用了上述挠性叠层板的柔性电路基板逐渐被用于汽车 或飞机等电气安装部件，在高温环境下使用，所以要求高温环境下可 靠性高的挠性叠层板。但是，已知现有的挠性叠层板在高温环境下的接合强度降低。本 专利技术人等进行了研究，发现该接合强度降低是由于作为中间层的合金 与聚酰亚胺树脂的粘合力降低。一般认为，作为中间层的合金与聚酰亚胺树脂的粘合力降低的机 理是合金氧化引起界面劣化。具体而言，构成基膜的聚酰亚胺树脂具有容易扩散氧或水蒸气的性质，所以气氛中的氧或水蒸气从基膜的背面(没有设置中间层侧的 面)透过，到达中间层和基膜的界面，在该界面中间层发生氧化。特 别是在高温环境下，氧或水蒸气的扩散被促进，所以导致与常温环境 下相比，中间层和基膜的接合强度更大幅度地下降。特开平Ol - 133729号/>报 特开平03 - 274261号公才艮 特开平05 - 183012号公才艮 特开平07 - 197239号乂>净艮 特开平08-W0W5号公报 特开2005 - 26378号/>冲艮
技术实现思路
本专利技术是鉴于上述情况而完成的，其目的在于提供一种挠性叠层 板及该挠性叠层板的制造方法，所述挠性叠层板即使在高温环境下， 基膜和中间层的接合强度也不降低，可靠性高。为了解决该课题，本专利技术的挠性叠层板具有基膜、被叠层在该基 膜上的中间层和被叠层在该中间层上的导电层，所述基膜中，至少叠 层所述中间层的表面由聚酰亚胺树脂构成，所述中间层含有55重量％ 以上的Ni、 4重量。/。以上的Cr，同时含有比Cr容易氧化的易氧化元素， 并且在叠层方向上，所述基膜侧的该易氧化元素的浓度被设定为较高。本专利技术的挠性叠层板由于在基膜和导电层之间设置有含有55重 量。/。以上的Ni、 4重量y。以上的Cr,同时含有比Cr容易氧化的易氧化 元素的中间层，所以，存在于基膜和中间层的界面的氧或水蒸气优先 氧化易氧化元素，从而能够抑制Cr的氧化。所以，Cr的d电子和聚酰 亚胺树脂的兀电子之间的共价键不被破坏，即使在高温环境下也能抑 制接合强度的降低。另外，由于导电层侧的易氧化元素的浓度被设定 为较低，所以能够抑制易氧化元素引起的中间层性质的变化。需要说明的是，所谓比Cr容易氧化的元素，是指在该挠性叠层板 被使用的温度范围(例如-20。C 20(TC ),氧化物生成自由能小于Cr 的元素。此处，所述中间层含有的所述易氧化元素可以是Mo。 此种情况下，由于中间层的基膜侧的Mo浓度被设定得较高，所以 存在于基膜和中间层的界面的氧或水蒸气优先氧化M o ，进而能够确 实地抑制Cr的氧化。另外，Mo的耐腐蚀性高，蚀刻性差，但由于导 电层侧的Mo浓度低于基膜侧，所以能够通过蚀刻容易地形成电路图 案。另外，可以使所述中间层为在叠层方向上Cr的浓度为固定值的结构。此种情况下，即使提高基膜侧的易氧化元素的浓度，基膜侧的Cr 的浓度也不减少，从而能够通过Cr的d电子与聚酰亚胺树脂的兀电子之 间的共价键提高中间层和基膜的接合强度。所述中间层可以含有选自Al、 Fe、 Nb及Co中的一种或二种以上， 并使上述A1、 Fe、 Nb及Co的含量总计为10重量。/。以下。此种情况下，通过含有A1、 Fe、 Nb及Co,使Ni相的固溶范围较宽， 进而N i相稳定，能够稳定地形成致密的钝态被膜。所述中间层还可以含有选自W、 Ta、 Nb及Ti中的一种或二种以上， 并使上述W、 Ta、 Nb及Ti的含量总计为6重量y。以下。此种情况下，利用W、 Ti、 Nb及Ta能形成致密的钝态纟皮膜，进而能够防止点状腐蚀(pitting)的发生，提高该挠性叠层板的可靠性。 本专利技术的挠性叠层板的制造方法是上述挠性叠层板的制造方法， 包括在所述基膜的表面叠层所述中间层的叠层工序，该叠层工序具有 在所述基膜的表面利用含有所述易氧化元素的基靶(base target)进 4亍溅射的基底溅射(base sputtering)工序；和至少一个在所述基底溅 射工序之后利用所述易氧化元素的浓度低于所述基靶的低浓度靶进 行溅射的溅射工序。本专利技术的挠性叠层板的制造方法具有在基膜的表面利用所述含 有易氧化元素的基靶进行溅射的基底溅射工序和在所述基底溅射工 序之后，利用所述易氧化元素的浓度低于所述基靶的低浓度靶进行溅 射的賊射工序，由此能够将中间层中的基膜侧的易氧化元素的浓度设 定为较高。此处，将所述基膜从上游侧输送至下游侧，所述基靶被配置在上 游侧，所述低浓度耙被配置在下游侧，连续进行所述基底溅射工序和度，可以调整所述易氧化元素的浓度分布。此种情况下，通过连续进行所述基底溅射工序和所述溅射工序， 能效率良好地成型中间层，进而能够以低成本制造该挠性叠层板。另 外，通过改变基靶及所述低浓度靶的输送方向长度，能够在基膜的输 送速度固定的状态下调整基底溅射工序及所述溅射工序的时间，进而 能够以良好的精度调整中间层中的易氧化元素的浓度分布。根据本专利技术，能够提供一种可靠性高的挠性叠层板及该挠性叠层板 的制造方法，所述挠性叠层板即使在高温环境下，基膜和中间层的接合 强度降低也小。附图说明表示作为本专利技术实施方案的挠性叠层板的剖面图。表示图1所示的挠性叠层板的中间层中的浓度分布的说明图。表示作为本专利技术实施方案的挠性叠层板的制造方法的说明图。表示作为本专利技术实施方案的挠性叠层板的制造方法的其他例子 的说明图。表示作为本专利技术的其他实施方案的挠性叠层板的中间层中的浓度分布的说明图。表示作为本专利技术的其他实施方案的挠性叠层板的中间层中的浓 度分布的说明图。表示实施例2的挠性叠层板的俄歇(Auger)电子分光分析结果。 表示本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种挠性叠层板，具有基膜、叠层在所述基膜上的中间层和叠层在所述中间层上的导电层，在所述基膜中，至少叠层所述中间层的表面由聚酰亚胺树脂构成，所述中间层含有５５重量％以上的Ｎｉ、４重量％以上的Ｃｒ，同时含有比Ｃｒ容易氧化的易氧化元素，所述易氧化元素的浓度在叠层方向上的所述基膜侧被设定为较高。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：樱井健，藤崎济，小绵明，
申请(专利权)人：三菱伸铜株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[]