一种MicroLED巨量转移方法技术

本发明专利技术涉及一种MicroLED巨量转移方法。包括按照接收基底形状制备不透光的转移架和透光的支撑层，转移架上对应要转移MicroLED的位置开设有透光孔；并在支撑层上设置动态释放层和粘性层，并利用粘性层将待转移的MicroLED固定；移动转移架使待转移的MicroLED与接收基底上的转移位置对位；使用激光照射转移架，激光穿过透光孔使动态释放层鼓泡，将MicroLED转移至接收基底，最后通过激光完成MicroLED在接收基底上的焊接固定。本发明专利技术通过针对性的按照接收基底的形状制备转移架及支撑层，使得待转移的MicroLED的底面平齐，在激光照射时所有MicroLED均移动相同的距离即可完成所有MicroLED的转移，同时转移架的不透光设计以及透光孔的设计保证了激光照射位置的准确性，转移的安全性和准确性更高，良品率更高。良品率更高。良品率更高。

【技术实现步骤摘要】
一种MicroLED巨量转移方法


[0001]本专利技术涉及MicroLED转移
，特别是涉及一种MicroLED巨量转移方法。

技术介绍

[0002]MicroLED的巨量转移技术，极大地提升了MicroLED的转移效率，但巨量的MicroLED转移的难度很大，难以保证转移过程中MicroLED的安全性和准确性；
[0003]针对上述问题，现有技术利用鼓泡推进法，设置透光的支撑层，在支撑层上依次设置动态释放层和粘性层，利用粘性层固定MicroLED，进行转移时，用激光照射支撑层，动态释放层产生鼓泡，推动MicroLED移动完成转移，一定程度上对MicroLED的安全性和准确性有所提高，但仍存在以下缺陷：
[0004]1、如图1和图2所示，其推动MicroLED移动的距离是相同的，但支撑层是平的，在接收基底表面不平坦的情况下，会出现部分MicroLED与接收基底之间的距离过大或过小，影响良品率；
[0005]2、激光照射的位置出现误差时会导致芯片移动的位置与预定位置发生偏差，同样影响良品率。

技术实现思路

[0006]基于此，有必要针对
技术介绍
中指出的问题，提供一种MicroLED巨量转移方法。
[0007]一种MicroLED巨量转移方法，包括：
[0008]按照接收基底形状制备不透光的转移架和透光的支撑层，转移架上对应要转移MicroLED的位置开设有透光孔；
[0009]将转移架和支撑层连接，并在支撑层远离转移架的一侧依次设置动态释放层和粘性层，并利用粘性层将待转移的MicroLED固定；
[0010]移动转移架使待转移的MicroLED与接收基底上的转移位置对位；
[0011]使用激光照射转移架，激光穿过透光孔使动态释放层鼓泡，将MicroLED转移至接收基底，最后通过激光完成MicroLED在接收基底上的焊接固定。
[0012]上述MicroLED巨量转移方法，由于转移架及支撑层均根据接收基底的形状制备，因此转移架及支撑层能够与接收基底的起伏相对应，这就使得MicroLED的底部与接收基底之间的距离相同，激光照射时，所有MicroLED移动的距离相同，即可使所有MicroLED刚好转移至接收基底，转移的安全性和准确性更高，另外，由于转移架不透光，激光只能通过透光孔进行照射，而透光孔基于待转移的MicroLED制备，因此激光照射的位置准确性更高，本专利技术的方法的安全性和准确性更高，良品率更高。
[0013]在其中一个实施例中，进行转移架和支撑层的制作前，对接收基底进行建模，并基于模型进行转移架和支撑层的制作。
[0014]通过建模可以更加精准地制作出转移架和支撑层，提高制作的精度。
[0015]在其中一个实施例中，制备转移架及支撑层时，按照待转移的MicroLED的高度进
行制作。
[0016]转移架及支撑层不仅考虑接收基底的形状，还将待转移的MicroLED的高度考虑进去，使得在转移不同高度的MicroLED时同样能够保证安全性和准确性，良品率更高。
[0017]在其中一个实施例中，对接收基底的模型进行修正，修正基于待转移的MicroLED的高度数据。
[0018]通过对接收基底的模型进行修正，便于转移架及支撑层的制作，简化制备工艺。
[0019]在其中一个实施例中，还包括：
[0020]扣板，所述扣板上根据待转移的MicroLED的位置开设有限位孔；
[0021]在固定MicroLED之前，将扣板扣在转移架的底部，将MicroLED伸入限位孔固定在粘性层上。
[0022]扣板的设置，使得在将MicroLED固定在粘性层的过程中，MicroLED的定位更加方便，对MicroLED的位置进行了限位，保证了最终转移的安全性和准确性，进一步地提高了良品率。
[0023]在其中一个实施例中，所述扣板通过支脚与转移架连接，所述支脚的高度大于支撑层、动态释放层和粘性层的厚度之和。
[0024]支脚的高度大于支撑层、动态释放层和粘性层的厚度之和使得扣板不会与粘性层接触，方便后续的拆离。也避免对粘性层产生压力造成其厚度的变化导致MicroLED高度位置的变化。
[0025]在其中一个实施例中，所述扣板的形状基于待转移的MicroLED的高度进行调整。
[0026]由于支撑层会基于待转移的MicroLED的高度调整形状，因此将扣板的形状随之调整，避免因高度变化带来的限位孔对MicroLED限位效果下降的情况。
[0027]在其中一个实施例中，还包括：
[0028]MicroLED传送模组，所述MicroLED传送模组用于传送转移架、支撑层及其上的MicroLED至转移位置；
[0029]接收基底传送模组，所述接收基底传送模组用于传送接收基底至转移位置；
[0030]CCD模组，用于配合接收基底与MicroLED对位贴合。
[0031]通过MicroLED传送模组和接收基底传送模组完成转移架和接收基底的自动上料，通过CCD模组对接收基底和MicroLED的对位贴合进行验证，无误后经激光模组进行MicroLED的转移与焊接，加工效率更高。
附图说明
[0032]图1为现有技术中其中一种情况的MicroLED巨量转移方法的转移前结构示意图；
[0033]图2为现有技术中其中一种情况的MicroLED巨量转移方法的转移后结构示意图；
[0034]图3为现有技术中另外一种情况的MicroLED巨量转移方法的转移前结构示意图；
[0035]图4为现有技术中另外一种情况的MicroLED巨量转移方法的转移后结构示意图；
[0036]图5为本专利技术其中一个实施例的MicroLED巨量转移方法的转移前结构示意图；
[0037]图6为本专利技术其中一个实施例的MicroLED巨量转移方法的转移后结构示意图；
[0038]图7为本专利技术另外一个实施例的MicroLED巨量转移方法的转移前结构示意图；
[0039]图8为本专利技术另外一个实施例的MicroLED巨量转移方法的转移后结构示意图。
[0040]附图标记说明：
[0041]10、接收基底；20、支撑层；21、动态释放层；22、粘性层；30、MicroLED；40、转移架；41、透光孔；50、扣板；51、限位孔。
具体实施方式
[0042]为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本专利技术的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本专利技术。但是本专利技术能够以很多不同于在此描述的其他方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本专利技术内涵的情况下做类似改进，因此本专利技术不受下面公开的具体实施的限制。
[0043]除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本专利技术的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本专利技术的说明书中所使用的术语本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种MicroLED巨量转移方法，其特征在于，包括：按照接收基底形状制备不透光的转移架和透光的支撑层，转移架上对应要转移MicroLED的位置开设有透光孔；将转移架和支撑层连接，并在支撑层远离转移架的一侧依次设置动态释放层和粘性层，并利用粘性层将待转移的MicroLED固定；移动转移架使待转移的MicroLED与接收基底上的转移位置对位；使用激光照射转移架，激光穿过透光孔使动态释放层鼓泡，将MicroLED转移至接收基底，最后通过激光完成MicroLED在接收基底上的焊接固定。2.根据权利要求1所述的MicroLED巨量转移方法，其特征在于，进行转移架和支撑层的制作前，对接收基底进行建模，并基于模型进行转移架和支撑层的制作。3.根据权利要求2所述的MicroLED巨量转移方法，其特征在于，制备转移架及支撑层时，按照待转移的MicroLED的高度进行制作。4.根据权利要求3所述的MicroLED巨量转移方法，其特征在于，对接收基底的模型进行修正，修正基于...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄招凤，
申请(专利权)人：黄招凤，
类型：发明
国别省市：