一种基于晶圆级封装的MicroLED器件及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种基于晶圆级封装的MicroLED器件及其制作方法，涉及信息技术领域。该制作方法包括以下步骤：S1、在MicroLED晶圆的芯片侧制作涂胶道并向所述涂胶道内涂覆玻璃料；S2、将S1得到的MicroLED晶圆与CMOS基板进行FlipChip键合；S3、将键合后的MicroLED晶圆的衬底减薄；S4、利用红外激光透过所述MicroLED晶圆衬底照射所述玻璃料；S5、在所述MicroLED晶圆衬底面涂覆热熔胶，与量子点膜进行贴合；S6、在所述量子点膜上涂覆热熔胶，与CF进行贴合；S7、在所述CF上涂覆UV胶，与玻璃盖板贴合，进行封装；S8、对封装完成的晶圆进行激光切割，得到MicroLED器件。本发明专利技术的制作方法可以实现在MicroLED晶圆上制作多个具有防水防氧化功能的MicroLED器件，避免了二次封装。避免了二次封装。避免了二次封装。

【技术实现步骤摘要】
一种基于晶圆级封装的Micro LED器件及其制作方法


[0001]本专利技术涉及新兴信息
，尤其涉及一种基于晶圆级封装的Micro LED器件及其制作方法。

技术介绍

[0002]Micro LED显示技术是指以自发光的微米量级的LED为发光像素单元，将其组装到驱动面板上形成高密度LED阵列的显示技术。Micro LED可应用于高分辨率显示与可见光通信。相对于传统显示技术，Micro LED显示的省电性能和分辨率更高，更适合应用于VR和可穿戴等领域的显示。相对于传统的可见光通信器件，彩色Micro LED可以提升带宽。
[0003]当前Micro LED器件的制备工艺中关键环节为巨量芯片的批转移。而Micro LED由于尺寸过小，同一片晶圆上的Micro LED芯片数量很大，较难低成本、高效率的实现批量转移。所以，当前批量转移已经成为制约Micro LED商业化的瓶颈之一。与此同时，全彩Micro LED的一条技术路线是将RGB三色的芯片集成在一起。但是由于不同颜色芯片的制备材料不同，光衰也不同。所以直接将三基色Micro LE本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于晶圆级封装的MicroLED器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、在MicroLED晶圆的芯片侧制作涂胶道并向所述涂胶道内涂覆玻璃料；所述涂胶道将所述MicroLED晶圆分成至少两个独立单元；S2、将S1得到的MicroLED晶圆与CMOS基板进行FlipChip键合；S3、将键合后的MicroLED晶圆的衬底减薄；S4、利用红外激光透过所述MicroLED晶圆衬底照射所述玻璃料；S5、在所述MicroLED晶圆衬底面涂覆热熔胶，与量子点膜进行贴合；S6、在所述量子点膜上涂覆热熔胶，与CF进行贴合；S7、在所述CF上涂覆UV胶，与玻璃盖板贴合，进行封装；S8、对封装完成的晶圆进行激光切割，得到MicroLED器件。2.如权利要求1所述的基于晶圆级封装的MicroLED器件的制作方法，其特征在于，所述涂胶道的宽度为10
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30微米。3.如权利要求1所述的基于晶圆级封装的MicroLED器件的制作方法，其特征在于，所述步骤S1具体包括：在MicroLED晶圆上涂覆光敏胶；掩膜版上预先设置有用于形成涂胶道的图形，将所述掩膜版置于涂满光敏胶的MicroLED晶圆上；显影，在MicroLED晶圆上露出相应的涂胶道位置；在MicroLED晶圆上涂覆玻璃料；涂覆完成后，进行加热预烘，使玻璃料初步凝固...

【专利技术属性】
技术研发人员：李喆，
申请(专利权)人：天翼物联科技有限公司，
类型：发明
国别省市：