一种LED弱化结构及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种LED弱化结构及其制备方法。LED弱化结构包括：衬底；辅助层，位于衬底一侧，辅助层包括多个辅助结构和多个凹槽；多个LED单元，位于辅助层远离衬底一侧，LED单元位于凹槽内，且与凹槽的表面不接触；相邻LED单元之间设置有连接结构，沿垂直于衬底方向，连接结构与辅助结构至少部分交叠，且至少部分接触。通过在LED单元转移过程中，设置辅助结构与相邻LED单元之间的连接结构相接触，控制连接结构断裂，同时减少连接结构的残留，提高LED单元转移的良率。元转移的良率。元转移的良率。

【技术实现步骤摘要】
一种LED弱化结构及其制备方法


[0001]本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种LED弱化结构及其制备方法。

技术介绍

[0002]微型发光二极管(Micro Light Emitting Diode,Micro LED)具有自发光显示特性，其为全固态发光二极管，具有寿命长、亮度高、功耗低、体积较小、超高分辨率等特点，可应用于高温或辐射等极端环境中。
[0003]但受Micro
‑
LED的制备工艺影响，在Micro LED的产业化过程中面临着一个核心技术难题，即Micro
‑
LED的巨量转移问题,导致转移难度大，良率较低，进而严重影响由Micro
‑
LED形成的显示面板的显示效果。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供了一种LED弱化结构及其制备方法，以提高LED的转移良率。
[0005]第一方面，本专利技术的提供了一种LED弱化结构，包括：
[0006]衬底；
[0007]辅助层，位于所述衬底一侧，所述辅助层包括多个辅助结构和多个凹槽本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种LED弱化结构，其特征在于，包括：衬底；辅助层，位于所述衬底一侧，所述辅助层包括多个辅助结构和多个凹槽；多个LED单元，位于所述辅助层远离所述衬底一侧，所述LED单元位于所述凹槽内，且与所述凹槽的表面不接触；相邻所述LED单元之间设置有连接结构，沿垂直于所述衬底方向，所述连接结构与所述辅助结构至少部分交叠，且至少部分接触。2.根据权利要求1所述的LED弱化结构，其特征在于，所述连接结构设置有至少一个镂空结构，沿垂直于所述衬底方向，所述镂空结构与所述辅助结构错开设置。3.根据权利要求2所述的LED弱化结构，其特征在于，所述镂空结构包括位于所述辅助结构与所述LED单元之间的多个子镂空结构。4.根据权利要求3所述的LED弱化结构，其特征在于，沿所述辅助结构指向所述LED单元的方向，单位面积内，所述子镂空结构的覆盖面积之和逐渐增加。5.根据权利要求4所述的LED弱化结构，其特征在于，沿所述辅助结构指向所述LED单元的方向，所述子镂空结构的覆盖面积逐渐增加。6.根据权利要求4所述的LED弱化结构，其特征在于，沿所述辅助结构指向所述LED单元的方向，所述子镂空结构的分布密度逐渐增加。7.根据权利要求2所述的LED弱化结构，其特征在于，所述镂空结构的形状包括长方形、矩形、三角形、圆形或椭圆形中的至少一种。8.根据权利要求1所述的LED弱化结构，其特征在于，所述辅助结构至少包括位于同一方向上间隔设置的第一辅助结构和第二辅助结构，所述第一辅助结构与所述连接结构接触，且沿垂直于所述衬底方向，所述第一辅助结构的高度大于所述第二辅助结构的高度。9.根据权利要求8所述的LED弱化结构，其特征在于，所述第二辅助结构位于所述第一辅助结构靠近所述LED单元...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘操，陈营营，刘晓莉，
申请(专利权)人：上海天马微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：