一种LED弱化结构及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种LED弱化结构及其制备方法。LED弱化结构包括：衬底；辅助层，位于衬底一侧，辅助层包括多个辅助结构和多个凹槽；多个LED单元，位于辅助层远离衬底一侧，LED单元位于凹槽内，且与凹槽的表面不接触；相邻LED单元之间设置有连接结构，沿垂直于衬底方向，连接结构与辅助结构至少部分交叠，且至少部分接触。通过在LED单元转移过程中，设置辅助结构与相邻LED单元之间的连接结构相接触，控制连接结构断裂，同时减少连接结构的残留，提高LED单元转移的良率。元转移的良率。元转移的良率。

【技术实现步骤摘要】
一种LED弱化结构及其制备方法


[0001]本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种LED弱化结构及其制备方法。

技术介绍

[0002]微型发光二极管(Micro Light Emitting Diode,Micro LED)具有自发光显示特性，其为全固态发光二极管，具有寿命长、亮度高、功耗低、体积较小、超高分辨率等特点，可应用于高温或辐射等极端环境中。
[0003]但受Micro
‑
LED的制备工艺影响，在Micro LED的产业化过程中面临着一个核心技术难题，即Micro
‑
LED的巨量转移问题,导致转移难度大，良率较低，进而严重影响由Micro
‑
LED形成的显示面板的显示效果。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供了一种LED弱化结构及其制备方法，以提高LED的转移良率。
[0005]第一方面，本专利技术的提供了一种LED弱化结构，包括：
[0006]衬底；
[0007]辅助层，位于所述衬底一侧，所述辅助层包括多个辅助结构和多个凹槽；
[0008]多个LED单元，位于所述辅助层远离所述衬底一侧，所述LED单元位于所述凹槽内，且与所述凹槽的表面不接触；
[0009]相邻所述LED单元之间设置有连接结构，沿垂直于所述衬底方向，所述连接结构与所述辅助结构至少部分交叠，且至少部分接触。
[0010]第二方面，本专利技术实施例还提供了一种LED弱化结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
[0011]提供生长衬底，在所述生长衬底一侧形成多个岛状结构，相邻所述岛状结构之间设置有第一沟槽；
[0012]制备牺牲层，在所述岛状结构远离所述生长衬底的一侧制备所述牺牲层，所述牺牲层包括第二沟槽，所述第二沟槽嵌入所述第一沟槽内；
[0013]制备辅助层，并提供衬底与所述辅助层键合，所述衬底位于所述辅助层远离所述生长衬底一侧，所述辅助层覆盖所述岛状结构且填充所述第二沟槽，填充所述第二沟槽内的所述辅助层形成辅助结构；
[0014]移除所述生长衬底，所述岛状结构包括靠近所述生长衬底一侧的缓冲层，刻蚀所述缓冲层，在每一所述岛状结构所在位置形成一个LED单元；
[0015]制作连接层，覆盖所述LED单元，并在相邻所述LED单元之间形成连接结构，沿垂直于所述衬底方向，所述连接结构与所述辅助结构至少部分交叠，且至少部分接触；
[0016]去除牺牲层使得所述辅助层形成凹槽，所述辅助结构环绕所述凹槽，所述LED单元位于所述凹槽内，且与所述凹槽的表面不接触。
[0017]本专利技术实施例的技术方案，通过LED弱化结构包括衬底；辅助层，位于衬底一侧，辅
助层包括多个辅助结构和多个凹槽；多个LED单元，位于辅助层远离衬底一侧，LED单元位于凹槽内，且与凹槽的表面不接触；相邻LED单元之间设置有连接结构，沿垂直于衬底方向，连接结构与辅助结构至少部分交叠，且至少部分接触。使得在LED单元转移过程中，设置辅助结构与相邻LED单元之间的连接结构相接触，控制连接结构断裂，同时减少连接结构的残留，提高LED单元转移的良率。
[0018]应当理解，本部分所描述的内容并非旨在标识本专利技术的实施例的关键或重要特征，也不用于限制本专利技术的范围。本专利技术的其它特征将通过以下的说明书而变得容易理解。
附图说明
[0019]为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0020]图1为本专利技术实施例提供的一种LED弱化结构的结构示意图；
[0021]图2为本专利技术实施例提供的一种LED弱化结构的俯视结构示意图；
[0022]图3为本专利技术实施例提供的另一种LED弱化结构的俯视结构示意图；
[0023]图4为本专利技术实施例提供的另一种LED弱化结构的俯视结构示意图；
[0024]图5为本专利技术实施例提供的另一种LED弱化结构的俯视结构示意图；
[0025]图6为本专利技术实施例提供的另一种LED弱化结构的俯视结构示意图；
[0026]图7为本专利技术实施例提供的另一种LED弱化结构的俯视结构示意图；
[0027]图8为本专利技术实施例提供的另一种LED弱化结构的结构示意图；
[0028]图9为本专利技术实施例提供的另一种LED弱化结构的结构示意图；
[0029]图10为本专利技术实施例提供的一种LED弱化结构的制备方法的流程结构示意图；
[0030]图11为本专利技术实施例提供的步骤S101后的LED弱化结构的结构示意图；
[0031]图12为本专利技术实施例提供的步骤S102后的LED弱化结构的结构示意图；
[0032]图13为本专利技术实施例提供的步骤S1103后的LED弱化结构的结构示意图；
[0033]图14为本专利技术实施例提供的步骤S104后的LED弱化结构的结构示意图；
[0034]图15为本专利技术实施例提供的步骤S105后的LED弱化结构的结构示意图；
[0035]图16为本专利技术实施例提供的步骤S105后的LED弱化结构的结构示意图。
具体实施方式
[0036]为了使本
的人员更好地理解本专利技术方案，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本专利技术保护的范围。
[0037]需要说明的是，本专利技术的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本专利技术的实施例能够以除了在这里图示或
描述的那些以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
[0038]图1为本专利技术实施例提供的一种LED弱化结构的结构示意图，图2为本专利技术实施例提供的一种LED弱化结构的俯视结构示意图，如图1和图2所示，LED弱化结构100包括：衬底101；辅助层102，位于衬底101一侧，辅助层102包括多个辅助结构103和多个凹槽104；多个LED单元105，位于辅助层102远离衬底101一侧，LED单元105位于凹槽104内，且与凹槽104的表面不接触；相邻LED单元105之间设置有连接结构106，沿垂直于衬底101方向(如图中X方向)，连接结构106与辅助结构103至少部分交叠，且至少部本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种LED弱化结构，其特征在于，包括：衬底；辅助层，位于所述衬底一侧，所述辅助层包括多个辅助结构和多个凹槽；多个LED单元，位于所述辅助层远离所述衬底一侧，所述LED单元位于所述凹槽内，且与所述凹槽的表面不接触；相邻所述LED单元之间设置有连接结构，沿垂直于所述衬底方向，所述连接结构与所述辅助结构至少部分交叠，且至少部分接触。2.根据权利要求1所述的LED弱化结构，其特征在于，所述连接结构设置有至少一个镂空结构，沿垂直于所述衬底方向，所述镂空结构与所述辅助结构错开设置。3.根据权利要求2所述的LED弱化结构，其特征在于，所述镂空结构包括位于所述辅助结构与所述LED单元之间的多个子镂空结构。4.根据权利要求3所述的LED弱化结构，其特征在于，沿所述辅助结构指向所述LED单元的方向，单位面积内，所述子镂空结构的覆盖面积之和逐渐增加。5.根据权利要求4所述的LED弱化结构，其特征在于，沿所述辅助结构指向所述LED单元的方向，所述子镂空结构的覆盖面积逐渐增加。6.根据权利要求4所述的LED弱化结构，其特征在于，沿所述辅助结构指向所述LED单元的方向，所述子镂空结构的分布密度逐渐增加。7.根据权利要求2所述的LED弱化结构，其特征在于，所述镂空结构的形状包括长方形、矩形、三角形、圆形或椭圆形中的至少一种。8.根据权利要求1所述的LED弱化结构，其特征在于，所述辅助结构至少包括位于同一方向上间隔设置的第一辅助结构和第二辅助结构，所述第一辅助结构与所述连接结构接触，且沿垂直于所述衬底方向，所述第一辅助结构的高度大于所述第二辅助结构的高度。9.根据权利要求8所述的LED弱化结构，其特征在于，所述第二辅助结构位于所述第一辅助结构靠近所述LED单元...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘操，陈营营，刘晓莉，
申请(专利权)人：上海天马微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：