本公开涉及半导体封装装置及其制造方法。该半导体封装装置包括：硅基板；发光元件，设置在硅基板的第一表面；阻挡层，位于发光元件和硅基板之间；硅基板的第二表面设置有导电凸块和阻隔部件，其中，阻隔部件位于导电凸块的内侧；或者，硅基板的第二表面设置有导电凸块和残留痕迹，其中，残留痕迹位于导电凸块的内侧，残留痕迹为将预先设置的阻隔部件去除后留存。该半导体封装装置能够防止气泡挤压导电凸块使其出现变形，有利于顺利实现硅基板的对外连接，提高产品良率。提高产品良率。提高产品良率。
【技术实现步骤摘要】
半导体封装装置及其制造方法
[0001]本公开涉及半导体封装
，具体涉及半导体封装装置及其制造方法。
技术介绍
[0002]硅光子(Silicon Photonics，Si
‑
Ph)技术用激光束代替电子信号传输数据，是一种基于硅光子学的低成本、高速的光通信技术。
[0003]硅光子产品的制作过程涉及发光元件的固定步骤。如图1所示，硅基板15上设置有波导部件16以及导电凸块14。为了将发光元件18固定在硅基板15上，可以通过连接胶13将硅基板15固定在透明载体12上，并利用光源11照射从透明载体12的另一侧进行照射，以对阻挡层17进行加热从而使其分别与硅基板15和发光元件18连接。然而，在上述方式中，连接胶13内部会因受热形成气泡19。气泡19会向四周扩散从而挤压硅基板15上的导电凸块14，使得导电凸块14发生形变(例如倾斜)，影响硅基板15的对外连接。
[0004]因此，有必要提出一种新的技术方案以解决上述至少一个技术问题。
技术实现思路
[0005]本公开提供了一种半导体封装装置及其制造方法。
[0006]第一方面，本公开提供一种半导体封装装置，包括：
[0007]硅基板；
[0008]发光元件，设置在所述硅基板的第一表面；
[0009]阻挡层，位于所述发光元件和所述硅基板之间；
[0010]所述硅基板的第二表面设置有导电凸块和阻隔部件，其中，所述阻隔部件位于所述导电凸块的内侧；或者，所述硅基板的第二表面设置有导电凸块和残留痕迹，其中，所述残留痕迹位于所述导电凸块的内侧，所述残留痕迹为将预先设置的所述阻隔部件去除后留存。
[0011]在一些可选的实施方式中，所述阻隔部件或者所述残留痕迹到最近的所述导电凸块的距离大于100微米。
[0012]在一些可选的实施方式中，所述阻隔部件的高度与所述导电凸块的高度的比值大于0.7并且小于1。
[0013]在一些可选的实施方式中，所述阻隔部件或者所述残留痕迹为闭合的环状结构。
[0014]在一些可选的实施方式中，所述阻隔部件或者所述残留痕迹的数目为至少两个，各所述阻隔部件或者所述残留痕迹分别位于相应的所述导电凸块的内侧。
[0015]在一些可选的实施方式中，所述阻隔部件或者所述残留痕迹的数目小于或者等于所述导电凸块的数目。
[0016]在一些可选的实施方式中，所述硅基板的第一表面还设置有波导部件。
[0017]第二方面，本公开提供了一种半导体封装装置，包括：
[0018]透明载体，表面设置有连接胶；
[0019]硅基板，设置在所述连接胶上；
[0020]发光元件，设置在所述硅基板的第一表面；
[0021]阻挡层，位于所述发光元件和所述硅基板之间；
[0022]所述硅基板的第二表面设置有导电凸块，所述硅基板的第二表面和所述透明载体的表面之间设置有阻隔部件，所述阻隔部件位于所述导电凸块的内侧。
[0023]在一些可选的实施方式中，所述阻隔部件设置在所述硅基板上。
[0024]在一些可选的实施方式中，所述阻隔部件设置在所述透明载体上。
[0025]第三方面，本公开提供了一种半导体封装装置的制造方法，包括：
[0026]在透明载体上设置连接胶；
[0027]将硅基板放置在所述连接胶上，其中，所述硅基板的朝向所述透明载体的表面设置有导电凸块，所述导电凸块的内侧存在阻隔部件；
[0028]将阻挡层放置在所述硅基板上，以及将发光元件放置在所述阻挡层上；
[0029]利用光源从所述透明载体一侧进行照射，以将所述阻挡层与所述硅基板和所述发光元件连接；
[0030]去除所述透明载体和所述连接胶，得到半导体封装装置。
[0031]在一些可选的实施方式中，所述阻隔部件设置在所述硅基板上或者所述透明载体上。
[0032]在一些可选的实施方式中，所述阻隔部件设置在所述硅基板上；以及
[0033]在去除所述透明载体和所述连接胶之后，所述方法还包括：
[0034]去除所述硅基板上的所述阻隔部件。
[0035]在本公开提供的半导体封装装置及其制造方法中，在导电凸块的内侧设置了阻隔部件。在光照加热步骤中，阻隔部件位于连接胶内的气泡和导电凸块之间，能够起到阻隔作用，防止气泡挤压导电凸块使其出现变形，有利于顺利实现硅基板的对外连接，提高产品良率。
附图说明
[0036]通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本公开的其它特征、目的和优点将会变得更明显：
[0037]图1是现有技术中半导体封装装置的示意图；
[0038]图2
‑
图9是根据本专利技术实施例的半导体封装装置的第一示意图至第八示意图；
[0039]图10
‑
图19是根据本专利技术实施例的半导体封装装置的制造方法的示意图。
[0040]符号说明：
[0041]11、光源；12、透明载体；13、连接胶；14、导电凸块；15、硅基板；16、波导部件；17、阻挡层；18、发光元件；19、气泡；110、光源；120、透明载体；130、连接胶；150、硅基板；151、导电凸块；152、阻隔部件；153、残留痕迹；160、波导部件；170、阻挡层；180、发光元件；190、光刻胶；200、气泡。
具体实施方式
[0042]下面结合附图和实施例对说明本公开的具体实施方式，通过本说明书记载的内容
本领域技术人员可以轻易了解本公开所解决的技术问题以及所产生的技术效果。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释相关专利技术，而非对该专利技术的限定。另外，为了便于描述，附图中仅示出了与有关专利技术相关的部分。
[0043]需要说明的是，说明书附图中所绘示的结构、比例、大小等，仅用于配合说明书所记载的内容，以供本领域技术人员的了解与阅读，并非用以限定本公开可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本公开所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本公开所揭示的
技术实现思路
得能涵盖的范围内。同时，本说明书中所引用的如“上”、“第一”、“第二”及“一”等用语，也仅为便于叙述的明了，而非用以限定本公开可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更
技术实现思路
下，当也视为本公开可实施的范畴。
[0044]还需要说明的是，本公开的实施例对应的纵向截面可以为对应前视图方向截面，横向截面可以为对应右视图方向截面，而水平截面可以为对应上视图方向截面。
[0045]应容易理解，本公开中的“在...上”、“在...之上”和“在...上面”的含义应该以最广义的方式解释，使得“在...上”不仅意味着“直接在某物上”，而且还意味着包括存在两者之间的中间部件或层的“在某物上”。
[0046]此外，为了便于描述，本公开中可能使用诸如“在...下面”、“在...本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体封装装置，包括：硅基板；发光元件，设置在所述硅基板的第一表面；阻挡层，位于所述发光元件和所述硅基板之间；所述硅基板的第二表面设置有导电凸块和阻隔部件，其中，所述阻隔部件位于所述导电凸块的内侧；或者，所述硅基板的第二表面设置有导电凸块和残留痕迹，其中，所述残留痕迹位于所述导电凸块的内侧，所述残留痕迹为将预先设置的所述阻隔部件去除后留存。2.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其中，所述阻隔部件或者所述残留痕迹到最近的所述导电凸块的距离大于100微米。3.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其中，所述阻隔部件的高度与所述导电凸块的高度的比值大于0.7并且小于1。4.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其中，所述阻隔部件或者所述残留痕迹为闭合的环状结构。5.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其中，所述阻隔部件或者所述残留痕迹的...
【专利技术属性】
技术研发人员：叶育源，方绪南，陈俊玮，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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