等离子体源线圈和使用该等离子体源线圈的等离子体室制造技术

一种等离子体源线圈，包括：布置在中央部分的衬套；以及多个基于该衬套从该衬套的圆周以同心圆的形式布置的单元线圈。每个单元线圈的一端以及该衬套的一端公共地连接到功率供给端子，并且每个单元线圈的另一端和该衬套的另一端公共地连接到地端子。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种用于制造半导体器件的设备，并且更具体地，涉及一种用于提供均一的临界尺度(CD)改变率分布的等离子体源线圈以及使用该等离子体源线圈的等离子体室。
技术介绍
在最近的20年中，用于制造超大规模集成(ULSI)电路部件的技术已经迅速发展。能够支持需要最基本技术的制造技术的多种半导体制造装置的发展使得ULSI电路部件能够迅速发展。来自上述半导体制造装置中的等离子体室已经不仅用于一般蚀刻工艺，而且用于沉积工艺，从而它们的应用范围迅速地扩大。等离子体室指的是这样的半导体制造设备，其可人工地在反应空间中形成等离子体，并且可以使用所形成的等离子体执行多种工艺如蚀刻和沉积。上述等离子体室可以分类成电子回旋共振(ECR)源、螺旋波激发的等离子体(HWEP)源、电容耦合的等离子体(CCP)源以及电感耦合的等离子体(ICP)源等。ICP等离子体源向感应线圈提供射频(RF)功率以产生磁场，并且通过由该磁场感应的电场将电子限制在室的内部中央部分，使得甚至在低压处也产生高密度等离子体。与ECR等离子体源或HWEP源相比较，ICP源具有较简单的结构，并且可以使用相对容易的方法获得大面积等离子体本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种等离子体源线圈，包括：布置在中央部分的衬套；以及基于所述衬套从所述衬套的圆周以同心圆的形式布置的多个单元线圈，其中每个单元线圈的一端以及所述衬套的一端公共地连接到功率供给端子，并且每个单元线圈的另一端和所述衬套的 另一端公共地连接到地端子。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：金南宪，李堵汉，吴荣根，
申请(专利权)人：自适应等离子体技术公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]