可改变结构的等离子体源线圈及其调整方法技术

本发明专利技术涉及一种可改变结构的等离子体源线圈及其调整方法。可改变结构的等离子体源线圈包括基于中心部位(CP)以螺旋形状延伸的多个线圈分支(11_1至12_M)，并且可以调节至少一个线圈分支(11_1至12_M)的延伸方向或延伸方向上的倾斜度。向上的倾斜度。向上的倾斜度。

【技术实现步骤摘要】
可改变结构的等离子体源线圈及其调整方法


[0001]本专利技术涉及一种可改变结构的等离子体源线圈及其调整方法，具体地，涉及一种诱导等离子体在整个晶片表面均匀流动的可改变结构的等离子体源线圈及其调整方法。

技术介绍

[0002]在使用等离子体(Plasma)进行蚀刻(Etching)工艺的半导体制造用装置中产生等离子体的源线圈(Source Coil)是影响等离子体密度和均匀性的主要装置之一。等离子体密度和均匀性是确定蚀刻工艺的速度和结果物的均匀特性的主要因素，但是在多种工艺条件下难以确保整个晶片表面的等离子体分布均匀性。调节等离子体的产生特性的多种技术在该
中是公知的。专利授权号10-0519677公开了可靠性高且适于量产的等离子体线圈的制造方法。WO2013/062929公开了有效控制等离子体处理的不均匀性的等离子体处理装置。另外，WO2017/189234公开了提供高密度等离子体离子以能够提高半导体处理性能和生产性的VHF Z-线圈等离子体源。随着半导体工艺的微细化和高度化，确保工艺结果的均匀性(Uniformity)成为重大问题(i本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种可改变结构的等离子体源线圈，其特征在于，包括基于中心部位(CP)以螺旋形状延伸的多个线圈分支(11_1至12_M)，并且调节至少一个线圈分支(11_1至12_M)的延伸方向或延伸方向上的倾斜度。2.根据权利要求1所述的可改变结构的等离子体源线圈，其特征在于，还包括调整导件(13_1至13_L)，其沿着至少一个线圈分支(11_1至12_M)的延伸方向形成。3.根据权利要求1所述的可改变结构的等离子体源线圈，其特征在于，通过向顺时针方向或逆时针方向旋转至少一个线圈分支(11_1至12_M)的方式调节延伸方向或倾斜度。4.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：催佑荧，李相雨，
申请(专利权)人：自适应等离子体技术公司，
类型：发明
国别省市：