喷淋板、基板处理装置及基板处理方法制造方法及图纸

一种喷淋板的示例包括：具有多个通孔的板状导体的主体部分，该主体部分在下表面的至少一部分上设置有表面处理部分，该表面处理部分已经过表面处理，从而使得在下表面上存在具有不同发射率的两个或更多个区域；以及围绕主体部分的凸缘。部分的凸缘。部分的凸缘。

【技术实现步骤摘要】
喷淋板、基板处理装置及基板处理方法


[0001]描述了与喷淋板、基板处理装置及基板处理方法有关的示例。

技术介绍

[0002]用于处理基板的半导体工艺需要改善工艺结果中基板的面内均匀性。为了改善工艺结果中基板的面内均匀性，可以控制晶片温度的面内分布。例如，晶片温度的面内分布可以通过将晶片平台或基座分成多个区域来控制，以允许每个区域的温度控制。然而，用于改变多个阶段区域的温度的结构是如此复杂，以至于容易出现问题并且增加成本。

技术实现思路

[0003]本文描述的一些示例可以解决上述问题。本文描述的一些示例可以提供适于控制基板温度的面内分布的喷淋板、基板处理装置及基板处理方法。
[0004]在一些示例中，一种喷淋板包括：具有多个通孔的板状导体的主体部分，该主体部分在下表面的至少一部分上设置有表面处理部分，该表面处理部分已经过表面处理，从而使得在下表面上存在具有不同发射率的两个或更多个区域；以及围绕主体部分的凸缘。
附图说明
[0005]图1是示出基板处理装置的配置示例的剖视图；
[0006]图2是喷淋本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种喷淋板，包括：具有多个通孔的板状导体的主体部分，该主体部分在下表面的至少一部分上设置有表面处理部分，该表面处理部分已经过表面处理，从而使得在下表面上存在具有不同发射率的两个或更多个区域；以及围绕主体部分的凸缘。2.根据权利要求1所述的喷淋板，其中，所述表面处理部分是氧化膜。3.根据权利要求1所述的喷淋板，其中，所述表面处理部分包括具有不同厚度的两个或更多个氧化膜。4.根据权利要求2所述的喷淋板，其中，所述氧化膜的厚度小于50μm。5.根据权利要求2所述的喷淋板，其中，所述氧化膜的厚度为1μm或更小。6.根据权利要求1所述的喷淋板，其中，所述表面处理部分具有粗糙表面，与所述表面处理部分的周边相比，所述表面处理部分的表面粗糙度增加。7.根据权利要求1所述的喷淋板，其中，所述表面处理部分是与所述主体部分的材料不同的材料的涂层。8.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：美山辽，
申请(专利权)人：ASMIP私人控股有限公司，
类型：发明
国别省市：