基板的等离子处理装置以及等离子处理方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种在平行平板型等离子处理装置中具有适于基板加工的离子能量，还可使该离子能量宽度减小来精细控制加工形状的基板的等离子处理装置以及等离子处理方法。等离子处理装置构成为包括：内部保持真空的室；配置于其内部、并构成为在主面上保持要处理的基板的ＲＦ电极；以及与该ＲＦ电极相对配置的对置电极；用于对所述ＲＦ电极外加规定频率的ＲＦ电压的ＲＦ电压外加装置；以及用于对所述ＲＦ电极外加规定的脉冲电压以便其与所述ＲＦ电压叠加的脉冲电压外加装置。所述脉冲电压外加装置具有调整所述脉冲电压的所述外加的定时、并设定不外加所述脉冲电压的停止时间的控制机构。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及在真空室内RF电极和对置电极互相相对配置，并利用两者间生成的等离 子对保持在所述RF电极上的基板进行加工的所谓平行平板型等离子处理装置及其等离子 处理方法。
技术介绍
对半导体晶片等的基板进行布线等作业之际，需要对所述基板实施精细的加工处理， 因此以往常常使用采用等离子的处理装置。现有的等离子处理装置中，高频(RF)电极和对置电极互相相对配置于抽排至预定真 空度的真空室内，并将要用于处理的基板保持于RF电极的与对置电极相对的主面上，构 成所谓平行平板型等离子处理装置。其构成为如箭头所示将等离子生成以及利用其进行的 基板加工所要使用的气体从所述气体导入管导入真空室内，同时用未图示的真空泵从排气 口将真空室内抽排成真空。然后，通过由13.56MHz的商用RF电源经过匹配器将RF (电压)加到RF电极上， 从而在RF电极和对置电极之间生成等离子。这时，等离子中的正离子利用RF电极上所产生的负的自偏置电位Vdc高速入射至RF 电极上的基板。其结果是，利用此时的基板入射能量来引发基板上的表面反应，进行反应 性离子蚀刻(RIE)、 CVD (化学气相沉积)、溅射、离子注入等这类等本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基板的等离子处理装置，其特征在于，具有：　　　　内部可保持真空的室；　　　　配置于所述室内，并构成为在主面上保持要处理的基板的ＲＦ电极；　　　　在所述室内与所述ＲＦ电极相对配置的对置电极；　　　　用于对所述ＲＦ电极外加规定频率的ＲＦ电压的ＲＦ电压外加装置；以及　　　　用于对所述ＲＦ电极外加规定的脉冲电压以便所述脉冲电压与所述ＲＦ电压叠加的脉冲电压外加装置，　　　　所述脉冲电压外加装置具有调整所述脉冲电压的所述外加的定时、并设定不外加所述脉冲电压的停止时间的控制机构。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：宇井明生，市川尚志，玉置直树，林久贵，小岛章弘，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：JP[日本]