半导体制造装置以及半导体器件的制造方法制造方法及图纸

半导体制造装置（１）包括腔室（２），气体供给装置（３），真空泵（５），电极（６），导电编织丝网（２１）和射频电源（１８）。电极６被安置在腔室之外并固定到该腔室。气体供给装置将气体提供到腔室中。真空泵对腔室进行排气。射频电源经由导电编织丝网向电极提供射频能量。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体制造装置以及一种半导体器件的制造方法。2. 现有技术半导体器件的制造方法通常包括对半导体晶片进行加工的晶片工 艺、装配工艺和检验工艺。日本特开专利申请(JP-A-Heisei，7-37870) 和日本特开专利申请(JP-A-Heisei，l0-144495)公开了在上述晶片加工 中使用的半导体制造装置。图1示出了日本特开专利申请(JP-A-Heisei，7-37870)中公开的半 导体制造装置101。半导体制造装置101被用于从晶片127去除抗蚀剂。 半导体制造装置101包括钟形炉102、气体供给装置103、真空室104、 第一电极106、第二电极111、加热器114和导电部件120。钟形炉102 由石英制成。气体供给装置103连接到钟形炉102的顶部。钟形炉102 的底部形成凸缘。钟形炉102的底部与真空室104的顶部相连。屏蔽 电极112形成真空室104的顶部的一部分。屏蔽电极112具有孔113， 该孔将钟形炉102的内部与真空室104的内部相连接。屏蔽电极112 接地。第一电极106和第二电极111被配置在钟形炉102之外。导电 部件120将第一电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体制造装置包括：腔室；气体供给装置，被配置为将气体提供到所述腔室中；真空泵，被配置为对所述腔室进行排气；电极，被配置在所述腔室之外且被固定到所述腔室；导电编织丝网；以及射频电源，被配置 为通过所述导电编织丝网向所述电极提供射频能量。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：竹原圭一郎，
申请(专利权)人：恩益禧电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]