一种异构集成HEMT器件结构制造技术

本发明专利技术属于HEMT器件技术领域，尤其是一种异构集成HEMT器件结构，现提出如下方案，包括电路板、压紧球、器件主体、转动弯板和抵接块，所述电路板的顶端固定连接有防护板，所述防护板的内壁固定连接有带动所述压紧球与所述器件主体顶端紧密贴合的工作弹簧，所述压紧球与工作弹簧的连接部位固定连接有升降孔板，所述升降孔板的一端开设有用于带动所述转动弯板竖直旋转的升降孔槽，本发明专利技术通过设置抵接块，工作弹簧工作带动压紧球与器件主体的顶端相贴合，与此同时，工作弹簧工作通过升降孔板带动两组升降孔槽同步升降，以使得升降孔槽运动带动转动弯板转动，转动弯板通过伸缩孔槽带动抵接块与器件主体侧壁相贴合，实现对器件主体的限位操作。的限位操作。的限位操作。

【技术实现步骤摘要】
一种异构集成HEMT器件结构


[0001]本专利技术涉及HEMT器件
，尤其涉及一种异构集成HEMT器件结构。

技术介绍

[0002]HEMT，高电子迁移率晶体管。这是一种异质结场效应晶体管，又称为调制掺杂场效应晶体管、二维电子气场效应晶体管、选择掺杂异质结晶体管等，这种器件及其集成电路都能够工作于超高频、超高速领域，原因就在于它是利用具有很高迁移率的所谓二维电子气来工作的，HEMT是电压控制器件，HEMT的基本结构就是一个调制掺杂异质结，高迁移率的二维电子气存在于调制掺杂的异质结中，这种二维电子气不仅迁移率很高，而且在极低温度下也不“冻结”，则HEMT有很好的低温性能，可用于低温研究工作中。
[0003]但是，现有的异构集成HEMT器件结构在使用时出现未对HEMT器件进行防护的问题，导致HEMT器件使用时容易因为磕碰导致HEMT器件受损，影响HEMT器件的工作性能，以及现有的异构集成HEMT器件结构在使用时出现HEMT器件容易发生偏移的问题，导致HEMT器件接触不良，不能满足人们的需求，为此需要一种异构集成HEMT器件结构。...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种异构集成HEMT器件结构，包括电路板(1)、压紧球(3)、器件主体(4)、转动弯板(7)和抵接块(9)，其特征在于：所述电路板(1)的顶端固定连接有防护板(2)，所述防护板(2)的内壁固定连接有带动所述压紧球(3)与所述器件主体(4)顶端紧密贴合的工作弹簧(5)，所述压紧球(3)与工作弹簧(5)的连接部位固定连接有升降孔板(6)，所述升降孔板(6)的一端开设有用于带动所述转动弯板(7)竖直旋转的升降孔槽(8)，所述转动弯板(7)的外壁设置有用于带动所述抵接块(9)与器件主体(4)侧壁紧密贴合的伸缩孔槽(10)，所述电路板(1)的上方位于防护板(2)的外壁开设有通风口(11)。2.根据权利要求1所述的一种异构集成HEMT器件结构，其特征在于：所述电路板(1)的外壁贯穿有拨动杆(12)，且拨动杆(12)的一端位于电路板(1)的下方固定连接有与电路板(1)底端滑动连接的工作孔板(13)，所述工作孔板(13)的侧壁与电路板(1)的连接部位设置有夹紧弹簧(14)，所述工作孔板(13)的内壁活动连接有伸缩导柱(15)，且伸缩导柱(15)与工作孔板(13)的连接部位开设有伸缩斜槽(16)，所述伸缩导柱(15)的一端固定连接有与电路板(1)底端滑动连接的夹紧推杆(17)，且夹紧推杆(17)远离伸缩导柱(15)的一端延伸至电路板(1)的上方固定连...

【专利技术属性】
技术研发人员：钱锋，刘涛，
申请(专利权)人：江苏柒捌玖电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：