【技术实现步骤摘要】
一种三维堆叠封装结构及其封装方法
[0001]本专利技术涉及半导体封装
,具体为一种三维堆叠封装结构及其封装方法
。
技术介绍
[0002]伴随半导体先进制程进入了7纳米和5纳米,电晶体大小也因此不断接近原子的物理体积极限,因此,半导体产业除了持续发展先进芯片制程之外,寻找既能维持小体积,同时又能保持很好的散热的封装方式,将成为延续摩尔定律的新配方
。
技术实现思路
[0003]针对现有技术的不足,本专利技术提供了一种三维堆叠封装结构及其封装方法,以解决上述
技术介绍
中提到的问题
。
[0004]为解决上述技术问题,本专利技术提供如下技术方案:
[0005]一种三维堆叠封装结构,包括第一封装体
、
第二封装体和第三封装体,其中第一封装体包括基板
、
连接于基板背面的底部锡球,第二封装体包括连接于基板正面的元器件和多层堆叠芯片,第三封装体包括导热硅脂和倒装芯片,倒装芯片的背面通过倒装植球与顶层的堆叠芯片连接,倒装芯片的正面内嵌在导热硅脂内,第一封装体
、
第二封装体和第三封装体整体的外围塑封有塑封体,塑封高度与导热硅脂的高度一致,以使导热硅脂裸露在外
。
[0006]优选的,所述基板的正面和背面设有多个开窗,底部锡球与基板背面的开窗连接,元器件与基板正面的开窗连接
。
[0007]优选的,底层的所述堆叠芯片使用装片胶或装片膜与基板正面进行连接结合,相邻堆叠芯片之间使用浸入式胶进行结 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.
一种三维堆叠封装结构,其特征在于,包括第一封装体
(1)、
第二封装体
(2)
和第三封装体
(3)
,其中第一封装体
(1)
包括基板
(11)、
连接于基板
(11)
背面的底部锡球
(12)
,第二封装体
(2)
包括连接于基板
(11)
正面的元器件
(21)
和多层堆叠芯片
(22)
,第三封装体
(3)
包括导热硅脂
(31)
和倒装芯片
(32)
,倒装芯片
(32)
的背面通过倒装植球
(33)
与顶层的堆叠芯片
(22)
连接,倒装芯片
(32)
的正面内嵌在导热硅脂
(31)
内,第一封装体
(1)、
第二封装体
(2)
和第三封装体
(3)
整体的外围塑封有塑封体
(4)
,塑封高度与导热硅脂
(31)
的高度一致,以使导热硅脂
(31)
裸露在外
。2.
根据权利要求1所述的一种三维堆叠封装结构,其特征在于,所述基板
(11)
的正面和背面设有多个开窗,底部锡球
(12)
与基板
(11)
背面的开窗连接,元器件
(21)
与基板
(11)...
【专利技术属性】
技术研发人员:冯亮,李韦韦,葛志伟,
申请(专利权)人:江苏柒捌玖电子科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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