合封结构制造技术

本申请公开了一种合封结构，合封结构包括：引线框架，引线框架包括基岛和多个引脚；绝缘栅双极型晶体管、第一二极管和第二二极管，绝缘栅双极型晶体管、第一二极管和第二二极管安装在基岛的第一表面；以及塑封体，包覆引线框架、绝缘栅双极型晶体管、第一二极管以及第二二极管，多个引脚沿塑封体的侧边延伸至外部；多个引脚包括基极引脚、发射极引脚、功率输入引脚和功率输出引脚。本申请实现了将绝缘栅双极型晶体管、第一二极管和第二二极管合封到一个封装结构中，减小了封装体积，简化了外围电路的复杂度，并且减少了外围电路的安装步骤和安装成本。和安装成本。和安装成本。

【技术实现步骤摘要】
合封结构


[0001]本技术涉及半导体封装
，更具体地，涉及一种合封结构。

技术介绍

[0002]功率因数校正电路(Power Factor Correction，PFC)用于调整电源功率因数，以提升电子设备对电能的利用效率。目前已广泛应用于各领域的电子设备中。
[0003]以空调用功率因数校正电路为例，通常采用驱动芯片以及功率管(如IGBT)、快恢复二极管的分立器件搭建而成。然而，上述实现方式增加了外围电路的复杂度，增加了外围电路的搭建步骤，电路体积较大，制作成本高、集成适配性低。

技术实现思路

[0004]鉴于上述问题，本技术的目的在于提供一种解决上述技术问题的合封结构。
[0005]根据本申请提供了一种合封结构，包括：
[0006]引线框架，所述引线框架包括基岛和多个引脚；
[0007]绝缘栅双极型晶体管、第一二极管和第二二极管，所述绝缘栅双极型晶体管、所述第一二极管和所述第二二极管安装在所述基岛的第一表面；以及
[0008]塑封体，所述塑封体包覆所述引线框架、所述绝缘栅双极型晶体管、所述第一二极管以及所述第二二极管，所述多个引脚沿所述塑封体的侧边延伸至外部；
[0009]所述多个引脚包括基极引脚、发射极引脚、功率输入引脚和功率输出引脚。
[0010]可选地，所述多个引脚由所述基极引脚、所述发射极引脚、所述功率输入引脚和所述功率输出引脚构成。
[0011]可选地，所述多个引脚还包括开尔文发射极引脚，所述多个引脚由所述基极引脚、所述开尔文发射极引脚、所述发射极引脚、所述功率输入引脚和所述功率输出引脚构成。
[0012]可选地，所述绝缘栅双极型晶体管的发射极、所述第二二极管的阳极与所述发射极引脚连接，所述绝缘栅双极型晶体管的集电极、所述第二二极管的阴极、所述第一二极管的阳极与所述功率输入引脚连接，所述绝缘栅双极型晶体管的基极与所述基极引脚连接，所述第一二极管的阴极与所述功率输出引脚连接。
[0013]可选地，所述绝缘栅双极型晶体管的发射极、所述第二二极管的阳极与所述开尔文发射极引脚和所述发射极引脚连接，所述绝缘栅双极型晶体管的集电极、所述第二二极管的阴极、所述第一二极管的阳极与所述功率输入引脚连接，所述绝缘栅双极型晶体管的基极与所述基极引脚连接，所述第一二极管的阴极与所述功率输出引脚连接。
[0014]可选地，所述绝缘栅双极型晶体管的第一表面与第二表面相对，所述绝缘栅双极型晶体管的第二表面面向所述基岛的第一表面，所述绝缘栅双极型晶体管第二表面引出的集电极同所述基岛的第一表面电连接并连接至所述功率输入引脚，所述绝缘栅双极型晶体管的第一表面引出的发射极电连接所述发射极引脚，所述绝缘栅双极型晶体管的第一表面引出的基极电连接所述基极引脚；所述第一二极管的第一表面与第二表面相对，所述第一
二极管的第二表面面向所述基岛的第一表面，所述第一二极管的第二表面引出的阳极电连接所述基岛的第一表面，所述第一二极管的第一表面引出的阴极电连接所述功率输出引脚；所述第二二极管的第一表面与第二表面相对，所述第二二极管的第二表面面向所述基岛的第一表面，所述第二二极管的第二表面引出的阴极同所述基岛的第一表面电连接，所述第二二极管的第一表面引出的阳极电连接所述发射极引脚。
[0015]可选地，所述绝缘栅双极型晶体管的第一表面与第二表面相对，所述绝缘栅双极型晶体管的第二表面面向所述基岛的第一表面，所述绝缘栅双极型晶体管第二表面引出的集电极同所述基岛的第一表面电连接并连接至所述功率输入引脚，所述绝缘栅双极型晶体管的第一表面引出的发射极电连接所述开尔文发射极引脚和所述发射极引脚，所述绝缘栅双极型晶体管的第一表面引出的基极电连接所述基极引脚；所述第一二极管的第一表面与第二表面相对，所述第一二极管的第二表面面向所述基岛的第一表面，所述第一二极管的第二表面引出的阳极电连接所述基岛的第一表面，所述第一二极管的第一表面引出的阴极电连接所述功率输出引脚；所述第二二极管的第一表面与第二表面相对，所述第二二极管的第二表面面向所述基岛的第一表面，所述第二二极管的第二表面引出的阴极同所述基岛的第一表面电连接，所述第二二极管的第一表面引出的阳极电连接所述开尔文发射极引脚和所述发射极引脚。
[0016]可选地，所述第二二极管的衬底的掺杂类型为N型，所述第一二极管的衬底的掺杂类型为P型。
[0017]可选地，所述绝缘栅双极型晶体管、所述第一二极管、所述第二二极管沿同一方向并列排布在所述基岛的第一表面。
[0018]可选地，所述第二二极管位于所述绝缘栅双极型晶体管和所述第一二极管之间。
[0019]可选地，所述绝缘栅双极型晶体管的面积大于所述第二二极管的面积，且所述第一二极管的面积大于所述第二二极管的面积。
[0020]可选地，所述绝缘栅双极型晶体管的基极通过第一类键合线与所述基极引脚电连接；所述第二二极管的阳极通过第一类键合线与所述发射极引脚电连接；所述绝缘栅双极型晶体管的发射极通过第二类键合线与所述发射极引脚电连接；所述第一二极管的阴极经由第二类键合线与所述功率输出引脚电连接；所述第二类键合线的宽度大于所述第一类键合线的宽度。
[0021]可选地，所述绝缘栅双极型晶体管的基极和发射极分别通过第一类键合线与所述基极引脚和所述开尔文发射极引脚电连接；所述第二二极管的阳极通过第一类键合线与所述发射极引脚电连接；所述绝缘栅双极型晶体管的发射极通过第二类键合线与所述发射极引脚电连接；所述第一二极管的阴极经由第二类键合线与所述功率输出引脚电连接；所述第二类键合线的宽度大于所述第一类键合线的宽度。
[0022]可选地，所述基岛与所述功率输入引脚直接连接。
[0023]可选地，所述塑封体上设置有第一凹槽和/或第二凹槽，所述第一凹槽位于所述发射极引脚与相邻的所述功率输入引脚或所述功率输出引脚之间，所述第二凹槽位于所述功率输入引脚与所述功率输出引脚之间。
[0024]可选地，所述第一凹槽和所述第二凹槽的宽度为1.0mm～2.0mm，所述第一凹槽和所述第二凹槽的深度为0.5mm～2.0mm。
[0025]可选地，所述发射极引脚和所述功率输出引脚的宽度为1.0mm～1.5mm；所述基极引脚的宽度为0.6mm～1.0mm；所述功率输入引脚的宽度为1.0mm～2.0mm；所述基极引脚与所述发射极引脚之间的中心间距为3.4mm～4.6mm；所述发射极引脚与相邻的所述功率输入引脚或所述功率输出引脚之间的中心间距为3.7mm～5.0mm；所述功率输入引脚与所述功率输出引脚之间的中心间距为3.7mm～5.0mm。
[0026]可选地，所述发射极引脚和所述功率输出引脚的宽度为1.0mm～1.5mm；所述基极引脚的宽度为0.6mm～1.0mm；所述功率输入引脚的宽度为1.0mm～2.0mm；相邻所述引脚之间的中心间距相等，所述中心间距为4.0mm～5.0mm。
[0027]可选地，所述发射极引脚和所述功率输出引脚的宽度为本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种合封结构，其特征在于，包括：引线框架，所述引线框架包括基岛和多个引脚；绝缘栅双极型晶体管、第一二极管和第二二极管，所述绝缘栅双极型晶体管、所述第一二极管和所述第二二极管安装在所述基岛的第一表面；以及塑封体，所述塑封体包覆所述引线框架、所述绝缘栅双极型晶体管、所述第一二极管以及所述第二二极管，所述多个引脚沿所述塑封体的侧边延伸至外部；所述多个引脚包括基极引脚、发射极引脚、功率输入引脚和功率输出引脚。2.根据权利要求1所述的合封结构，其特征在于，所述多个引脚由所述基极引脚、所述发射极引脚、所述功率输入引脚和所述功率输出引脚构成。3.根据权利要求1所述的合封结构，其特征在于，所述多个引脚还包括开尔文发射极引脚，所述多个引脚由所述基极引脚、所述开尔文发射极引脚、所述发射极引脚、所述功率输入引脚和所述功率输出引脚构成。4.根据权利要求2所述的合封结构，其特征在于，所述绝缘栅双极型晶体管的发射极、所述第二二极管的阳极与所述发射极引脚连接，所述绝缘栅双极型晶体管的集电极、所述第二二极管的阴极、所述第一二极管的阳极与所述功率输入引脚连接，所述绝缘栅双极型晶体管的基极与所述基极引脚连接，所述第一二极管的阴极与所述功率输出引脚连接。5.根据权利要求3所述的合封结构，其特征在于，所述绝缘栅双极型晶体管的发射极、所述第二二极管的阳极与所述开尔文发射极引脚和所述发射极引脚连接，所述绝缘栅双极型晶体管的集电极、所述第二二极管的阴极、所述第一二极管的阳极与所述功率输入引脚连接，所述绝缘栅双极型晶体管的基极与所述基极引脚连接，所述第一二极管的阴极与所述功率输出引脚连接。6.根据权利要求2所述的合封结构，其特征在于，所述绝缘栅双极型晶体管的第一表面与第二表面相对，所述绝缘栅双极型晶体管的第二表面面向所述基岛的第一表面，所述绝缘栅双极型晶体管第二表面引出的集电极同所述基岛的第一表面电连接并连接至所述功率输入引脚，所述绝缘栅双极型晶体管的第一表面引出的发射极电连接所述发射极引脚，所述绝缘栅双极型晶体管的第一表面引出的基极电连接所述基极引脚；所述第一二极管的第一表面与第二表面相对，所述第一二极管的第二表面面向所述基岛的第一表面，所述第一二极管的第二表面引出的阳极电连接所述基岛的第一表面，所述第一二极管的第一表面引出的阴极电连接所述功率输出引脚；所述第二二极管的第一表面与第二表面相对，所述第二二极管的第二表面面向所述基岛的第一表面，所述第二二极管的第二表面引出的阴极同所述基岛的第一表面电连接，所述第二二极管的第一表面引出的阳极电连接所述发射极引脚。7.根据权利要求3所述的合封结构，其特征在于，所述绝缘栅双极型晶体管的第一表面与第二表面相对，所述绝缘栅双极型晶体管的第二表面面向所述基岛的第一表面，所述绝缘栅双极型晶体管第二表面引出的集电极同所述基岛的第一表面电连接并连接至所述功率输入引脚，所述绝缘栅双极型晶体管的第一表面引出的发射极电连接所述开尔文发射极引脚和所述发射极引脚，所述绝缘栅双极型晶体管的第一表面引出的基极电连接所述基极引脚；所述第一二极管的第一表面与第二表面相对，所述第一二极管的第二表面面向所述基岛的第一表面，所述第一二极管的第二表面引出的阳极电连接所述基岛的第一表面，所
述第一二极管的第一表面引出的阴极电连接所述功率输出引脚；所述第二二极管的第一表面与第二表面相对，所述第二二极管的第二表面面向所述基岛的第一表面，所述第二二极管的第二表面引出的阴极同所述基岛的第一表面电连接，所述第二二极管的第一表面引出的阳极电连接所述开尔文发射极引脚和所述发射极引脚。8.根据权利要求1所述的合封结构，其特征在于，所述第二二极管的衬底的掺杂类型为N型，所述第一二极管的衬底的掺杂类型为P型。9.根据权利要求1所述的合封结构，其特征在于，所述绝缘栅双极型晶体管、所述第一二极管、所述第二二极管沿同一方向并列排布在所述基岛的第一表面。10.根据权利要求9所述的合封结构，其特征在于，所述第二二极管位于所述绝缘栅双极型晶体管和所述第一二极管之间。11.根据权利要求1所述的合封结构，其特征在于，所述绝缘栅双极型晶体管的面积大于所述第二二极管的面积，且所述第一二极管的面积大于所...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘静，吴立波，万海攀，
申请(专利权)人：杭州士兰微电子股份有限公司，
类型：新型
国别省市：