封装基底及包括其的半导体装置制造方法及图纸

公开了一种封装基底，该封装基底包括：玻璃基底，该玻璃基底包括第一表面和第二表面，该第二表面是与该第一表面相反的表面；腔单元，该腔单元形成玻璃基底内部的空间；腔框架，该腔框架将空间划分为多个区域；以及腔元件，该腔元件被包括在腔单元的至少一部分中，其中，腔框架可以包括多个框架贯通孔，该框架贯通孔沿从一个侧部至另一侧部的方向贯穿。通孔沿从一个侧部至另一侧部的方向贯穿。通孔沿从一个侧部至另一侧部的方向贯穿。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】封装基底及包括其的半导体装置


[0001]本申请涉及一种具有用于划分成多个空间的贯通孔的腔框架的封装基底以及包括其的半导体装置。

技术介绍

[0002]在制造电子部件时，在半导体晶圆上实施电路被称为前端(FE：Front
‑
End)工艺，并且使晶圆可以实际用在产品中的晶圆的组装被称为后端(BE：Back
‑
End)工艺。在后端工艺中包括封装工艺。
[0003]半导体行业近年来使电子产品快速发展的四大关键技术包括半导体技术、半导体封装技术、制造工艺技术、以及软件技术。半导体技术正在以各种形式发展，诸如小于微米单位的纳米单位的线宽、一千万个或以上的单元、高速运行、以及大量散热等，但是还没有完全得到封装技术的支持。因此，可以认为封装后的半导体的电性能可以通过具有电连接的封装技术而不是半导体本身的性能来确定。
[0004]陶瓷或树脂被用作封装基底的材料。在诸如Si基底的陶瓷基底的情况下，由于高电阻或高介电常数，不容易在陶瓷基底上安装高性能且高频的半导体元件。在树脂基底的情况下，可以在该树脂基底上安装高性能且高频的半导体元件，但是在减小导线的间距方面存在明显的限制。
[0005]最近，正在进行将硅或玻璃应用于高端封装基底的研究。通过在硅基底或玻璃基底上形成贯通过孔并且将传导材料应用在该贯通过孔中，可以缩短元件与主板之间的导线长度，并且具有优异的电特性。
[0006]然而，在这类玻璃基底的小型化制造工艺期间，在原板中发生弯曲问题、损坏或缺陷的可能性较高，并且需要改善这类问题和散热效率的解决方案。
[0007]上述
技术介绍
是专利技术人为得出实施方式而获得的技术信息或者在得出过程期间获得的技术信息，并不一定是在提交本公开之前向公众公开的现有技术。
[0008]作为相关的现有技术，韩国专利公开号10
‑
2015
‑
0083278中公开了“Multi
‑
layered Substrate and Manufacturing Method for Multi
‑
layered Substrate(多层基底以及多层基底的制造方法)”等。

技术实现思路

[0009]技术问题
[0010]本申请旨在解决上述问题，并且本申请公开了一种封装基底，该封装基底包括改善散热功能并且具有增强的机械特性和电特性的腔结构。
[0011]技术方案
[0012]在总体方面中，根据实施方式的封装基底包括：
[0013]玻璃基底，该玻璃基底包括第一表面和第二表面，该第二表面是与该第一表面相反的表面；
[0014]腔单元，该腔单元具有形成在玻璃基底内部的空间；
[0015]腔框架，该腔框架将空间划分为多个区域；以及
[0016]腔元件，该腔元件被包括在腔单元的至少一部分中，
[0017]其中，腔框架可以包括框架贯通孔，该框架贯通孔沿从一个表面至另一表面的方向贯穿。
[0018]在一个实施方式中，框架贯通孔的直径可以具有30μm至500μm。
[0019]在一个总体方面中，根据实施方式的半导体装置包括：
[0020]半导体元件单元，在该半导体元件单元中设置有一个或更多个半导体元件；
[0021]封装基底，该封装基底电连接至半导体元件；以及
[0022]主板，该主板电连接至封装基底并且对要彼此连接的半导体元件与外部的电信号进行传输，
[0023]其中，封装基底可以为根据上述的封装基底。
[0024]技术效果
[0025]根据实施方式的封装基底包括划分内部空间的腔框架，并且包括在腔框架处的框架贯通孔，从而可以使内部元件的散热更容易并且改善机械特性和电特性。
附图说明
[0026]图1是用于示出根据实施方式的半导体装置的截面结构的示意图；
[0027]图2是用于示出根据另一实施方式的封装基底的内部设置腔元件的截面结构的示意图；
[0028]图3的(a)和(b)分别是通过使用截面示出根据实施方式的封装基底的一部分和内部空间的示意图；
[0029]图4的(a)和(b)分别是通过使用截面示出根据实施方式的封装基底的一部分和具有设置在其中的腔元件的内部空间的示意图；
[0030]图5是通过使用截面示出根据实施方式的玻璃基底中形成的芯部过孔的形式的示意图；
[0031]图6是用于示出从上方观察的根据实施方式的具有施用支撑单元的腔单元的玻璃基底的示意图；
[0032]图7是通过使用截面示出根据实施方式的具有施用支撑单元的腔单元的玻璃基底的示意图；
[0033]图8是用于示出根据实施方式的腔元件被固定至具有施用支撑单元的腔单元的玻璃基底的图像的示意图；
[0034]图9是用于示出根据实施方式的封装基底的内部设置腔框架和框架贯通孔的截面结构的示意图；
[0035]图10是用于示出从上方观察的根据实施方式的具有腔框架和框架贯通孔的玻璃基底的示意图；以及
[0036]图11是用于示出从上方观察更详细图像的根据实施方式具有腔框架和框架贯通孔的玻璃基底的示意图。
具体实施方式
[0037]在下文中，将参照附图详细描述本公开的示例性实施方式，以使本专利技术所属
的普通技术人员轻松实现这些实施方式。然而，示例性实施方式可以以不同的形式实施并且不应被解释为限于本文中所阐述的实施方式。在整个说明书中，相同的附图标记表示相同的元件。
[0038]在本申请中，除非有相反说明，否则短语某一元件“包括”或“包括有”另一元件意指某一元件还可以包括一个或更多个其他元件，而不排除一个或更多个其他元件的存在或添加。
[0039]在本申请中，应当理解的是，当一个元件被称为与另一元件“连接”时，它可以直接连接至另一元件或者可以存在中间元件。
[0040]在本申请中，“B被放置在A上”是指B被放置成与A直接接触或被放置在A之上并在其间插入另一层或结构，并因此不应被解释为仅限于B被放置成与A直接接触，除非描述明确规定。
[0041]在本申请中，马库什型表述中的“其(一个或更多个)组合”表示选自该马库什型表述的部件的一种或更多种混合物或组合，即，表示包括选自被包括的部件的一个或更多个部件。
[0042]在本申请中，描述“A和/或B”是指“A或B，或者A和B”。
[0043]在本申请中，诸如“第一”、“第二”、“A”或“B”的术语用于将相同的术语彼此区分开。除非上下文另有明确规定，否则单数形式“一”、“一个”和“该”包括复数形式。
[0044]在本申请中，除非另有特别说明，否则单数形式在上下文中被解释为包括复数形式以及单数形式。
[0045]专利技术人已经认识到，在开发能够呈现具有更高集成度和更薄厚度的高性能的半导体装置的过程中，不仅是装置本身，而且封装工艺也是改善其性能的重要因素。在对此进行研究时，专利技术人本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种封装基底，包括：玻璃基底，所述玻璃基底包括第一表面和第二表面，所述第二表面是与所述第一表面相反的表面；腔单元，所述腔单元具有形成在所述玻璃基底内部的空间；腔框架，所述腔框架将所述空间划分为多个区域；以及腔元件，所述腔元件被包括在所述腔单元的至少一部分中，其中，所述腔框架包括框架贯通孔，所述框架贯通孔沿从一个表面至另一表面的方向贯穿。2.根据权利要求1所述的封装基底，其中，所述框架贯通孔具有30μm至500μm的直径。3.根据权利要求2所述的封装基底，其中，所述框架贯通孔的直径为R，所述框架贯通孔的长度为Lh，以及所述框架贯通孔的比例R/Lh为1至10。4.根据权利要求1所述的封装基底，其中，所述框架贯通孔包括多个数目的框架贯通孔，以及其中，所述多个框架贯通孔之间的间隔为所述框架贯通孔的直径的1倍或更大。5.根据权利要求1所述的封装基底，其中，所述腔框架的宽度为所述框架贯通孔的直径的1.5倍或更大。6.根据权利要求1所述的封装基底，其中，所述框架贯通孔至少部分地或全部填充有...

【专利技术属性】
技术研发人员：卢荣镐，金镇哲，
申请(专利权)人：爱玻索立克公司，
类型：发明
国别省市：