封装基底及包括其的半导体装置制造方法及图纸

公开了一种封装基底，该封装基底包括：玻璃基底，该玻璃基底包括第一表面和第二表面，该第二表面是与该第一表面相反的表面；腔单元，该腔单元形成玻璃基底内部的空间；腔框架，该腔框架将空间划分为多个区域；以及腔元件，该腔元件被包括在腔单元的至少一部分中，其中，腔框架可以包括多个框架贯通孔，该框架贯通孔沿从一个侧部至另一侧部的方向贯穿。通孔沿从一个侧部至另一侧部的方向贯穿。通孔沿从一个侧部至另一侧部的方向贯穿。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】封装基底及包括其的半导体装置


[0001]本申请涉及一种具有用于划分成多个空间的贯通孔的腔框架的封装基底以及包括其的半导体装置。

技术介绍

[0002]在制造电子部件时，在半导体晶圆上实施电路被称为前端(FE：Front
‑
End)工艺，并且使晶圆可以实际用在产品中的晶圆的组装被称为后端(BE：Back
‑
End)工艺。在后端工艺中包括封装工艺。
[0003]半导体行业近年来使电子产品快速发展的四大关键技术包括半导体技术、半导体封装技术、制造工艺技术、以及软件技术。半导体技术正在以各种形式发展，诸如小于微米单位的纳米单位的线宽、一千万个或以上的单元、高速运行、以及大量散热等，但是还没有完全得到封装技术的支持。因此，可以认为封装后的半导体的电性能可以通过具有电连接的封装技术而不是半导体本身的性能来确定。
[0004]陶瓷或树脂被用作封装基底的材料。在诸如Si基底的陶瓷基底的情况下，由于高电阻或高介电常数，不容易在陶瓷基底上安装高性能且高频的半导体元件。在树脂基底的情况下，可以在该树脂基底上安装高本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种封装基底，包括：玻璃基底，所述玻璃基底包括第一表面和第二表面，所述第二表面是与所述第一表面相反的表面；腔单元，所述腔单元具有形成在所述玻璃基底内部的空间；腔框架，所述腔框架将所述空间划分为多个区域；以及腔元件，所述腔元件被包括在所述腔单元的至少一部分中，其中，所述腔框架包括框架贯通孔，所述框架贯通孔沿从一个表面至另一表面的方向贯穿。2.根据权利要求1所述的封装基底，其中，所述框架贯通孔具有30μm至500μm的直径。3.根据权利要求2所述的封装基底，其中，所述框架贯通孔的直径为R，所述框架贯通孔的长度为Lh，以及所述框架贯通孔的比例R/Lh为1至10。4.根据权利要求1所述的封装基底，其中，所述框架贯通孔包括多个数目的框架贯通孔，以及其中，所述多个框架贯通孔之间的间隔为所述框架贯通孔的直径的1倍或更大。5.根据权利要求1所述的封装基底，其中，所述腔框架的宽度为所述框架贯通孔的直径的1.5倍或更大。6.根据权利要求1所述的封装基底，其中，所述框架贯通孔至少部分地或全部填充有...

【专利技术属性】
技术研发人员：卢荣镐，金镇哲，
申请(专利权)人：爱玻索立克公司，
类型：发明
国别省市：