本公开提供了一种光刻图形形成方法、装置、电子设备和可读存储介质，涉及集成电路技术领域。其中，光刻图形形成方法包括：基于待光刻层需绘制的目标图形的图形特征，配置出对应的多组光刻修整操作；执行所述多组光刻修整操作，得到对应的多组光刻图形，以由所述多组光刻图形构成所述目标图形，其中，所述多组光刻图形中的至少两组光刻于所述待光刻层的表面上。通过本公开的技术方案，能够将复杂的目标图形拆分为多个较简单的子图形，而简单的子图形有利于降低对工艺窗口的极限要求，进而保证光刻成型的轮廓、线宽粗糙度以及边缘粗糙度等参数的质量，以降低光刻过程产生缺陷的概率。以降低光刻过程产生缺陷的概率。以降低光刻过程产生缺陷的概率。
【技术实现步骤摘要】
光刻图形形成方法、装置、电子设备和可读存储介质
[0001]本公开涉及集成电路
，尤其涉及一种光刻图形形成方法、一种光刻图形形成装置、一种光刻图形、一种电子设备和一种计算机可读存储介质。
技术介绍
[0002]半导体指常温下导电性能介于导体和绝缘体之间的器件，随着半导体技术的发展和半导体体积微小化要求的提高，半导体器件的尺寸也逐渐缩小。
[0003]半导体的目标尺寸的减小也造成了目标图像被设计的越来越复杂，而为了满足目标图像的光刻需求，对应需要增大设计和制程的工艺窗口，而工艺窗口的增大则会导致光刻成型的轮廓、线宽粗糙度、边缘粗糙度等对图形质量的影响越来越明显。
[0004]需要说明的是，在上述
技术介绍
部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
技术实现思路
[0005]本公开的目的在于提供一种光刻图形形成方法、形成装置、光刻图形、电子设备和可读存储介质，有利于降低光刻过程产生缺陷的概率。
[0006]本公开的其他特性和优点将通过下面的详细描述变得显然，或部分地通过本公开的实践而习得。
[0007]根据本公开的一个方面，提供一种光刻图形形成方法，包括：基于待光刻层需绘制的目标图形的图形特征，配置出对应的多组光刻修整操作；执行所述多组光刻修整操作，得到对应的多组光刻图形，以由所述多组光刻图形构成所述目标图形，其中，所述多组光刻图形中的至少两组光刻于所述待光刻层的表面上。
[0008]在本公开的一种示例性实施例中，所述图形特征包括目标图形的分布特征、构成所述目标图形的线条方向和所述目标图形中的图形类型中的至少一种。
[0009]在本公开的一种示例性实施例中，所述执行所述多组光刻修整操作包括：在每组所述光刻修整操作中，对基于光刻操作得到的光刻初始图形进行修整操作得到对应的所述光刻图形。
[0010]在本公开的一种示例性实施例中，所述多组光刻图形包括第一光刻图形，所述对基于光刻操作得到的光刻初始图形进行修整操作得到对应的所述光刻图形包括：在所述待光刻层的表面涂覆第一光刻胶，并基于所述目标图形中的第一方向子图对所述第一光刻胶进行光刻操作直至到达所述待光刻层的表面，得到第一光刻初始图形；对所述第一光刻初始图形进行所述修整操作，得到第一光刻图形。
[0011]在本公开的一种示例性实施例中，所述多组光刻图形还包括第二光刻图形，所述对基于光刻操作得到的光刻初始图形进行修整操作得到对应的所述光刻图形还包括：在所述第一光刻图形上涂覆第二光刻胶；基于所述目标图形中的第二方向子图对所述第二光刻胶进行光刻操作直至到达所述待光刻层的表面，得到第二光刻初始图形；对所述第二光刻
初始图形进行所述修整操作，得到第二光刻图形。
[0012]在本公开的一种示例性实施例中，在所述第一光刻图形上涂覆第二光刻胶之前，还包括：在所述第一光刻图形上形成牺牲材料层，其中，所述牺牲材料层包括旋涂碳层、氧化硅层、金属氧化层、有机介电层和先进图膜层中的至少一种。
[0013]在本公开的一种示例性实施例中，所述第一光刻胶和所述第二光刻胶均为正性胶；或所述第一光刻胶和所述第二光刻胶均为负性胶；或所述第一光刻胶和所述第二光刻胶中的一种为所述正性胶，另一种为所述负性胶。
[0014]在本公开的一种示例性实施例中，所述第一光刻胶和所述第二光刻胶中的一种为所述正性胶，另一种为所述负性胶，在所述待光刻层的表面涂覆第一光刻胶之前，还包括：对所述光刻操作的工艺过程执行仿真操作，并基于仿真结果确定所述第一光刻胶采用正性胶，所述第二光刻胶采用负性胶，或第一光刻胶采用负性胶，所述第二光刻胶采用正性胶。
[0015]在本公开的一种示例性实施例中，所述多组光刻图形还包括第三光刻图形，所述第三光刻图形光刻于所述待光刻层的表面上，或所述第三光刻图形的光刻底面高于所述待光刻层的表面。
[0016]在本公开的一种示例性实施例中，所述对基于光刻操作得到的光刻初始图形进行修整操作得到对应的所述光刻图形包括：对所述光刻初始图形进行所述修整操作，得到光刻修整图形；对所述光刻修整图形进行坚膜处理，得到对应的所述光刻图形。
[0017]在本公开的一种示例性实施例中，所述对所述光刻初始图形进行所述修整操作，得到光刻修整图形包括：对所述光刻初始图形进行光刻关键尺寸的量测，基于量测结果确定所述光刻初始图形的图形预补量；基于所述图形预补量对所述光刻初始图形进行修整，得到所述光刻修整图形。
[0018]在本公开的一种示例性实施例中，所述基于所述图形预补量对所述光刻初始图形进行修整，得到所述光刻修整图形包括：基于所述图形预补量和修整时长对所述光刻初始图形进行气体修整操作，对导入的修整气体进行等离子激活生成等离子体，所述等离子体用于将所述光刻初始图形中所述图形预补量的光刻胶氧化为可挥发性气体，以修整所述光刻初始图形，其中，所述修整时长基于修整公式配置，所述修整公式为t＝C/k，t为所述修整时长，C为所述图形预补量，k为修整系数。
[0019]在本公开的一种示例性实施例中，还包括：收集所述光刻修整操作的工艺窗口，将所述工艺窗口反馈至所述光刻图形的设计端或工艺端，以使所述设计端基于所述工艺窗口调整所述光刻图形的设计参数，或使所述工艺端基于所述工艺窗口调整所述光刻图形的工艺参数。
[0020]根据本公开的另一个方面，提供了一种光刻图形，所述光刻图形包括多组，多组所述光刻图形中的至少两组光刻于待光刻层的表面上，其中，多组所述光刻图形分别对多组光刻胶进行光刻操作生成，所述多组光刻胶均为正性胶，或所述多组光刻胶均为负性胶，或所述多组光刻胶包括所述正性胶和所述负性胶。
[0021]根据本公开的再一个方面，提供了一种光刻图形形成装置，包括：配置模块，用于基于待光刻层需绘制的目标图形的图形特征，配置出对应的多组光刻修整操作；光刻修整模块，用于执行所述多组光刻修整操作，得到对应的多组光刻图形，以由所述多组光刻图形构成所述目标图形，其中，所述多组光刻图形中的至少两组光刻于所述待光刻层的表面上。
[0022]根据本公开的又一个方面，提供了一种电子设备，包括：处理器；以及存储器，用于存储处理器的可执行指令；其中，处理器配置为经由执行可执行指令来执行上述任意一项所述的光刻图形形成方法。
[0023]根据本公开的又一个方面，提供了一种计算机可读介质，其上存储有计算机程序，所述程序被处理器执行时实现如上述实施例中所述的光刻图形形成方法。
[0024]本公开的实施例所提供的光刻图形形成方案，针对在待光刻层上待光刻的目标图形，通过对该目标图形的图形特征进行自动分析，以基于分析结果将目标图形拆分为多个子图形，每个子图形对应于一组光刻修整操作，进而通过分别执行多组光刻修整操作，在待光刻层上光刻出目标图形，通过多组光刻修整操作的配置，能够将复杂的目标图形拆分为多个较简单的子图形，而简单的子图形有利于降低对工艺窗口的极限要求，进而保证光刻成型的轮廓、线宽本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种光刻图形形成方法，其特征在于，包括：基于待光刻层需绘制的目标图形的图形特征，配置出对应的多组光刻修整操作；执行所述多组光刻修整操作，得到对应的多组光刻图形，以由所述多组光刻图形构成所述目标图形，其中，所述多组光刻图形中的至少两组光刻于所述待光刻层的表面上。2.根据权利要求1所述的光刻图形形成方法，其特征在于，所述图形特征包括目标图形的分布特征、构成所述目标图形的线条方向和所述目标图形中的图形类型中的至少一种。3.根据权利要求1所述的光刻图形形成方法，其特征在于，所述执行所述多组光刻修整操作包括：在每组所述光刻修整操作中，对基于光刻操作得到的光刻初始图形进行修整操作得到对应的所述光刻图形。4.根据权利要求3所述的光刻图形形成方法，其特征在于，所述多组光刻图形包括第一光刻图形，所述对基于光刻操作得到的光刻初始图形进行修整操作得到对应的所述光刻图形包括：在所述待光刻层的表面涂覆第一光刻胶，并基于所述目标图形中的第一方向子图对所述第一光刻胶进行光刻操作直至到达所述待光刻层的表面，得到第一光刻初始图形；对所述第一光刻初始图形进行所述修整操作，得到第一光刻图形。5.根据权利要求4所述的光刻图形形成方法，其特征在于，所述多组光刻图形还包括第二光刻图形，所述对基于光刻操作得到的光刻初始图形进行修整操作得到对应的所述光刻图形还包括：在所述第一光刻图形上涂覆第二光刻胶；基于所述目标图形中的第二方向子图对所述第二光刻胶进行光刻操作直至到达所述待光刻层的表面，得到第二光刻初始图形；对所述第二光刻初始图形进行所述修整操作，得到第二光刻图形。6.根据权利要求5所述的光刻图形形成方法，其特征在于，在所述第一光刻图形上涂覆第二光刻胶之前，还包括：在所述第一光刻图形上形成牺牲材料层，其中，所述牺牲材料层包括旋涂碳层、氧化硅层、金属氧化层、有机介电层和先进图膜层中的至少一种。7.根据权利要求5所述的光刻图形形成方法，其特征在于，所述第一光刻胶和所述第二光刻胶均为正性胶；或所述第一光刻胶和所述第二光刻胶均为负性胶；或所述第一光刻胶和所述第二光刻胶中的一种为所述正性胶，另一种为所述负性胶。8.根据权利要求7所述的光刻图形形成方法，其特征在于，所述第一光刻胶和所述第二光刻胶中的一种为所述正性胶，另一种为所述负性胶，在所述待光刻层的表面涂覆第一光刻胶之前，还包括：对所述光刻操作的工艺过程执行仿真操作，并基于仿真结果确定所述第一光刻胶采用正性胶，所述第二光刻胶采用负性胶，或第一光刻胶采用负性胶，所述第二光刻胶采用正性
胶。9.根据权利要求5所述的光刻图形形成方法，其特征在于，所述多组光刻图形还包括第三光刻图形，所述第三光刻图形光刻于...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈恩浩，汪珊，周创，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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