基于刻蚀与双重光刻的超分辨率图案实现方法及装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种基于刻蚀与双重光刻的超分辨率图案实现方法及装置，其中方法包括：第一次光刻：在衬底上涂覆正性光刻胶或负性光刻胶，基于第一光学掩膜版对所述衬底进行曝光，再进行显影形成第一图案；刻蚀：对所述第一图案的光刻胶进行刻蚀，使所述第一图案中的线宽细化；第二次光刻：在所述刻蚀后的所述衬底上涂覆非光敏性光刻胶或负性光刻胶，直接对所述衬底进行曝光，或使用第二光学掩膜版对所述衬底进行曝光，所述第二光学掩膜版包括部分露出或全部露出所述第一次光刻形成的图案的光学掩膜版；再对所述衬底进行显影并热烘焙固化，得到最终的超分辨率图案。本发明专利技术可简单快速实现超过光刻机分辨率的图案。速实现超过光刻机分辨率的图案。速实现超过光刻机分辨率的图案。

【技术实现步骤摘要】
基于刻蚀与双重光刻的超分辨率图案实现方法及装置


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种基于刻蚀与双重光刻的超分辨率图案实现方法及装置。

技术介绍

[0002]目前，半导体制造工艺中光刻机的分辨率都有相应的极限，例如200nm，当工艺需要的图形是低于200nm的线宽或者孔时，光刻机便不能很好的将图形曝光出来，这时候用的较多的是双重曝光。然而现有自对准双重曝光工艺步骤有光刻
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沉积
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刻蚀等工艺步骤，相对繁琐且对设备要求较高，例如申请号为202110728156.1的专利技术专利申请《一种改善自对准双重曝光工艺侧墙倾斜的制作方法及装置》，申请号为201610596339.1的专利技术专利《自对准双重曝光显影工艺的方法以及半导体器件》，这两篇专利文献就是针对自对准双重曝光工艺制作超分辨率线宽或者孔图案的一些问题进行改进和创新，但工艺仍比较繁琐。

技术实现思路

[0003]为了解决上述问题，本专利技术提出一种基于刻蚀与双重光刻的超分辨率图案实现方法及装置，使用刻蚀与双重光刻等工艺，可简单快速实现超过光刻机分辨率的图案。
[0004]本专利技术采用的技术方案如下：
[0005]一种基于刻蚀与双重光刻的超分辨率图案实现方法，包括以下步骤：
[0006]第一次光刻：在衬底上涂覆正性光刻胶或负性光刻胶，基于第一光学掩膜版对所述衬底进行曝光，再进行显影形成第一图案；
[0007]刻蚀：对所述第一图案的光刻胶进行刻蚀，使所述第一图案中的线宽细化；
[0008]第二次光刻：在所述刻蚀后的所述衬底上涂覆非光敏性光刻胶或负性光刻胶，直接对所述衬底进行曝光，或使用第二光学掩膜版对所述衬底进行曝光，所述第二光学掩膜版包括部分露出或全部露出所述第一次光刻形成的图案的光学掩膜版；再对所述衬底进行显影并热烘焙固化，得到最终的超分辨率图案。
[0009]进一步地，对所述第一图案的光刻胶进行刻蚀的方式包括干法刻蚀和湿法刻蚀。
[0010]进一步地，对所述衬底进行干法刻蚀时，使用的气体包括混合气体，所述混合气体包括氧气或氢气。
[0011]进一步地，对所述衬底进行湿法刻蚀时，使用的药液包括TMAH即四甲基氢氧化铵。
[0012]进一步地，所述第二次光刻中，若在所述第一次光刻后的所述衬底上涂覆负性光刻胶，则能够使用第三光学掩膜版对所述衬底进行曝光，所述第三光学掩膜版包括部分露出或全部露出所述第一次光刻形成的第一图案且在其他区域形成第二图案的光学掩膜版。
[0013]进一步地，所述第二次光刻中，在所述第一次光刻后的所述衬底上涂覆的非光敏性光刻胶或负性光刻胶的厚度，不超过所述第一次刻蚀后光刻胶的厚度。
[0014]进一步地，所述非光敏性光刻胶不受光刻和显影液的影响。
[0015]进一步地，所述非光敏性光刻胶包括ARC材料，所述ARC材料即抗反射涂层。
[0016]一种基于刻蚀与双重光刻的超分辨率图案实现装置，包括：
[0017]第一光刻模块，被配置为在衬底上涂覆正性光刻胶或负性光刻胶，基于第一光学掩膜版对所述衬底进行曝光，再进行显影形成第一图案；
[0018]刻蚀模块，被配置为对所述第一图案的光刻胶进行刻蚀，使所述第一图案中的线宽细化；
[0019]第二光刻模块，被配置为在所述刻蚀模块刻蚀后的所述衬底上涂覆非光敏性光刻胶或负性光刻胶，直接对所述衬底进行曝光，或使用第二光学掩膜版对所述衬底进行曝光，所述第二光学掩膜版包括部分露出或全部露出所述第一光刻模块光刻形成的第一图案的光学掩膜版；再对所述衬底进行显影并热烘焙固化，得到最终的超分辨率图案。
[0020]进一步地，所述非光敏性光刻胶包括ARC材料，所述ARC材料即抗反射涂层。
[0021]本专利技术的有益效果在于：
[0022]本专利技术利用材料特性等，提出基于刻蚀与双重光刻的超分辨率图案实现方法及装置，可简单快速实现超过光刻机分辨率的图案。相对于传统的多步自对准双重曝光工艺，本专利技术在工艺实现上更简单，对设备要求更低，更利于生产和良率的提升。
附图说明
[0023]图1本专利技术实施例1的基于刻蚀与双重光刻的超分辨率图案实现方法的流程图。
[0024]图2本专利技术实施例1的涂覆有正性光刻胶的硅片示意图。
[0025]图3本专利技术实施例1的硅片曝光示意图。
[0026]图4本专利技术实施例1的硅片显影示意图。
[0027]图5本专利技术实施例1的硅片刻蚀示意图。
[0028]图6本专利技术实施例1的第二次光刻工艺的涂胶方式示意图。
[0029]图7本专利技术实施例1的第二次光刻工艺的曝光方式之一示意图。
[0030]图8本专利技术实施例1的第二次光刻工艺的曝光方式之二示意图。
[0031]图9本专利技术实施例1的第二次光刻工艺的曝光方式之三示意图。
[0032]图10本专利技术实施例1的第二次光刻工艺的曝光方式之四示意图。
[0033]图11本专利技术实施例1的再次显影并热烘焙固化形成的超分辨率图像示意图。
具体实施方式
[0034]为了对本专利技术的技术特征、目的和效果有更加清楚的理解，现说明本专利技术的具体实施方式。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术，即所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0035]实施例1
[0036]如图1所示，本实施例提供了一种基于刻蚀与双重光刻的超分辨率图案实现方法，包括第一次光刻、刻蚀以及第二次光刻这三个步骤，其中：
[0037]第一次光刻步骤是在衬底上涂覆正性光刻胶或负性光刻胶，基于第一光学掩膜版对衬底进行曝光，再进行显影形成第一图案。
[0038]刻蚀步骤是对第一图案的光刻胶进行刻蚀，使第一图案中的线宽细化，例如将200nm线宽细化为150nm线宽。
[0039]第二次光刻步骤是在刻蚀后的衬底上涂覆非光敏性光刻胶或负性光刻胶，直接对衬底进行曝光，或使用第二光学掩膜版对衬底进行曝光，第二光学掩膜版包括部分露出或全部露出第一次光刻形成的图案的光学掩膜版；再对衬底进行显影并热烘焙固化，得到最终的超分辨率图案。
[0040]优选地，对第一图案的光刻胶进行刻蚀的方式包括干法刻蚀和湿法刻蚀。更为优选地，对衬底进行干法刻蚀时，使用的气体包括混合气体，混合气体包括氧气或氢气。更为优选地，对衬底进行湿法刻蚀时，使用的药液包括TMAH即四甲基氢氧化铵。
[0041]优选地，第二次光刻中，若在第一次光刻后的衬底上涂覆负性光刻胶，则能够使用第三光学掩膜版对衬底进行曝光，第三光学掩膜版包括部分露出或全部露出第一次光刻形成的第一图案且在其他区域形成第二图案的光学掩膜版。
[0042]优选地，第二次光刻中，在第一次光刻后的衬底上涂覆的非光敏性光刻胶或负性光刻本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于刻蚀与双重光刻的超分辨率图案实现方法，其特征在于，包括以下步骤：第一次光刻：在衬底上涂覆正性光刻胶或负性光刻胶，基于第一光学掩膜版对所述衬底进行曝光，再进行显影形成第一图案；刻蚀：对所述第一图案的光刻胶进行刻蚀，使所述第一图案中的线宽细化；第二次光刻：在所述刻蚀后的所述衬底上涂覆非光敏性光刻胶或负性光刻胶，直接对所述衬底进行曝光，或使用第二光学掩膜版对所述衬底进行曝光，所述第二光学掩膜版包括部分露出或全部露出所述第一次光刻形成的图案的光学掩膜版；再对所述衬底进行显影并热烘焙固化，得到最终的超分辨率图案。2.根据权利要求1所述的基于刻蚀与双重光刻的超分辨率图案实现方法，其特征在于，对所述第一图案的光刻胶进行刻蚀的方式包括干法刻蚀和湿法刻蚀。3.根据权利要求2所述的基于刻蚀与双重光刻的超分辨率图案实现方法，其特征在于，对所述衬底进行干法刻蚀时，使用的气体包括混合气体，所述混合气体包括氧气或氢气。4.根据权利要求2所述的基于刻蚀与双重光刻的超分辨率图案实现方法，其特征在于，对所述衬底进行湿法刻蚀时，使用的药液包括TMAH即四甲基氢氧化铵。5.根据权利要求1所述的基于刻蚀与双重光刻的超分辨率图案实现方法，其特征在于，所述第二次光刻中，若在所述第一次光刻后的所述衬底上涂覆负性光刻胶，则能够使用第三光学掩膜版对所述衬底进行曝光，所述第三光学掩膜版包括部分露出或全部露出所述第一次光刻形成的第一图案且...

【专利技术属性】
技术研发人员：余巨峰，王百钱，杨荣，余明斌，
申请(专利权)人：上海铭锟半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：