本发明提供了一种磁光效应驱动的非易失性光开关及其制备方法，该非易失性开关包括SOI衬底和钆镓石榴石衬底；所述SOI衬底包括自下而上的硅衬底、埋氧层和顶层硅；所述钆镓石榴石衬底上生长有铈掺杂的钇铁石榴石铁氧体；所述埋氧层通过刻蚀形成两个并...

本发明提供了一种波导光栅的刻蚀均匀性改善方法及制备方法，每对晶圆进行一定深度的刻蚀后，旋转一定角度，重复刻蚀和旋转操作直至达到预定刻蚀深度形成波导光栅。本发明通过重复刻蚀和旋转的操作，能够平均晶圆上不同位置处的刻蚀速率，从而达到提高光栅...

本发明涉及半导体技术领域，公开了一种非晶硅光波导的制作方法及非晶硅光波导，该方法，采用微米级光刻机和干法刻蚀产生深亚微米高度的介质台阶，并采用深亚微米厚度的非晶硅沉积和无掩模干法回刻蚀，获得深亚微米宽度的非晶硅光波导。本发明解决了现有技...

本发明提供了一种硬掩模保护的硅光波导表面氧化平滑方法，包括：步骤1、提供一SOI衬底，所述SOI衬底包括自下而上的硅衬底、埋氧层和顶层硅；步骤2、在所述顶层硅表面依次形成第一氧化硅层和硬掩模层；步骤3、光刻和干法刻蚀所述顶层硅形成硅光波...

本发明涉及半导体制造领域，提供了硅基光电探测器及制备方法，包括衬底、第一氧化硅层、外延层、第二氧化硅层、金属电极层以及金属层；第一氧化硅层沉积在衬底上表面，并开窗暴露衬底形成外延的窗口区域；外延层在窗口区域生长，并被第一氧化硅层包围，外...

本发明涉及光通信技术领域，具体涉及一种降低

本发明提供了一种锗波导的制备方法，包括

本发明公开了一种纳米压印母版的制备方法，其中方法包括以下步骤：

本发明公开了一种硅基二硫化钼的太赫兹调制器及其制备方法，包括硅基二硫化钼异质结结构，所述硅基二硫化钼异质结结构从下至上依次包括Si衬底、第一SiO2层、MoS2层和第二SiO2层，第二SiO2层中设置有加热电极，所述加热电极上方设置有接...

本发明提供锗光电探测器及通过热失配应力提高其长波响应的方法，属于锗光电探测器技术领域，在单晶硅衬底上高温外延生长单晶锗层，然后沉积硅帽层，所述硅帽层厚度为0.5

本发明提供一种锗光电探测器及通过应力记忆提高其长波响应的方法，属于锗光电探测器技术领域，包括以下步骤：在单晶硅衬底上以氧化硅开窗定义位置，选择性外延生长单晶锗层，然后沉积多晶硅层并刻蚀成覆盖锗层的图形，再沉积氮化硅，所述氮化硅将所述多晶...

本发明涉及集成光电子器件技术领域，具体涉及一种高方向性的波导光栅天线及其制备方法，包括上层和下层，所述下层为晶圆层，所述上层为光栅层，所述晶圆层顶面设置有波导图形，所述光栅层顶面设置有光栅。相比于交错刻蚀不同深度的光栅槽，以及在波导上下...

本发明公开了一种热光移相器、热光移相器制造方法及热光移相器阵列，该热光移相器阵列包括若干个热光移相器构成的阵列通道；其中，相邻通道间对应热光移相器的加热电阻具有预设阻值差，两个对应热光移相器的加热电阻通过互连金属线串联，以使串联的每一组...

本发明公开了一种集成铌酸锂薄膜和量子光源的光芯片及其制备方法，制备方法包括如下步骤：S1：在光刻胶的保护下，在LNOI晶圆上的单晶LiNbO3薄膜层刻蚀出LiNbO3光波导；S2：在光刻胶的保护下，在InP晶圆上制备出InP纳米束绝热锥...

本发明公开了一种基于应力分散和裂纹阻挡图案的氮化硅器件制备方法，包括以下步骤：在半导体衬底上通过热氧方式生长氧化硅层；在氧化硅层表面沉积非晶硅层作为硬掩膜；使用具有副图案的掩膜版进行光刻，副图案包括若干交错排布的矩形图案，矩形图案填充于...

本发明公开了一种集成

本发明公开了一种集成太阳能电池和CMOS电路的光电探测器及制造方法，该光电探测器包括由下至上的硅衬底和氧化层；其中，所述硅衬底和所述氧化层包括CMOS集成电路区域、探测器区域和硅太阳能电池区域。本发明通过修改硅衬底上浅沟槽隔离的成熟CM...

本发明提供一种大马士革氮化硅波导化学机械抛光方法，主要涉及集成光电技术领域，在沉积氮化硅步骤后进行反向刻蚀，去除大部分非波导区域氮化硅；然后生长一层保护衬底氧化硅的保护层；再进行正向光刻、正向刻蚀保护层、化学机械抛光、去除保护层、退火和...

本发明公开了一种无停止层接触孔刻蚀的方法，包括以下步骤：S1.在硅波导基底上沉积介质层，再涂覆光刻胶并图形化；S2.通过感应耦合等离子机台和第一气体刻蚀所述介质层，刻蚀的平均深度为h1；S3.通过磁场增强反应离子刻蚀机台和第二气体刻蚀所...

本发明公开了一种基于刻蚀与双重光刻的超分辨率图案实现方法及装置，其中方法包括：第一次光刻：在衬底上涂覆正性光刻胶或负性光刻胶，基于第一光学掩膜版对所述衬底进行曝光，再进行显影形成第一图案；刻蚀：对所述第一图案的光刻胶进行刻蚀，使所述第一...