提前获取套刻下货值的方法技术

本发明专利技术提供一种提前获取套刻下货值的方法，包括：针对多个不同厚度的外延层分别进行光刻；对光刻后的所述外延层进行量测以得到多组套刻偏差数据；根据所述外延层的厚度和所述套刻偏差数据，建立多个拟合函数；根据所述拟合函数和需要进行光刻的外延层的厚度，获取所述需要进行光刻的外延层的套刻下货值。本申请通过对不同厚度的外延层进行光刻，并获取多组套刻偏差数据，利用套刻偏差数据，建立拟合函数，最后利用拟合函数可以提前获取需要进行光刻的外延层的套刻下货值，提高了外延层套刻精度，保证了套刻的准确性，也避免了因overlay异常导致的外延层需要光刻返工的情况。常导致的外延层需要光刻返工的情况。常导致的外延层需要光刻返工的情况。

【技术实现步骤摘要】
提前获取套刻下货值的方法


[0001]本申请涉及光刻
，具体涉及一种提前获取套刻下货值的方法。

技术介绍

[0002]外延生长工艺广泛地应用于多功能半导体器件的制造领域，如BCD(双极
‑
COMS
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DMOS)器件，功率半导体器件等器件的制造，外延层用于提高产品的耐高压性能。
[0003]外延过程是利用硅原子或者其他一些原子沿晶相生长的特点，因此外延生长具有方向性，所以外延过程中图形会发生漂移，不同厚度的外延层漂移的程度存在差异，对于光刻而言，overlay(套刻)偏差(shift)则较大；此外，由于外延层的overlay异常，就导致光刻的返工次数较多，浪费人力物力。

技术实现思路

[0004]本申请提供了一种提前获取套刻下货值的方法，可以解决光刻工艺中，外延层的overlay偏差较大、由于外延层的overlay异常导致光刻的返工次数较多等问题中的至少一个问题。
[0005]一方面，本申请实施例提供了一种提前获取套刻下货值的方法，包括：
[0006]针对多个不同厚本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种提前获取套刻下货值的方法，其特征在于，包括：针对多个不同厚度的外延层分别进行光刻；对光刻后的所述外延层进行量测以得到多组套刻偏差数据；根据所述外延层的厚度和所述套刻偏差数据，建立多个拟合函数；根据所述拟合函数和需要进行光刻的外延层的厚度，获取所述需要进行光刻的外延层的套刻下货值。2.根据权利要求1所述的提前获取套刻下货值的方法，其特征在于，所述针对多个不同厚度的外延层分别进行光刻的步骤包括：以一定的厚度间隔，针对多个所述外延层分别进行光刻。3.根据权利要求2所述的提前获取套刻下货值的方法，其特征在于，所述厚度间隔为0.2μm。4.根据权利要求1或2所述的提前获取套刻下货值的方法，其特征在于，针对厚度为3.7μm～4.5μm区间内的多个所述外延层分别进行光刻。5.根据权利要求1所述的提前获取套刻下货值的方法，其特征在于，各组所述套刻偏差数据包括：最大套刻偏移量、最小套刻偏移量和多个中间套刻偏移量。6.根据权利要求5所述的提前获取套刻下货值的方法，其特征在于，所述根据所述外延层的厚度和所述套刻偏差数据，建立多个拟合函数的步骤包括：根据所述外延...

【专利技术属性】
技术研发人员：董俊，张其学，宋振伟，王雷，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：