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本发明提供一种提前获取套刻下货值的方法,包括:针对多个不同厚度的外延层分别进行光刻;对光刻后的所述外延层进行量测以得到多组套刻偏差数据;根据所述外延层的厚度和所述套刻偏差数据,建立多个拟合函数;根据所述拟合函数和需要进行光刻的外延层的厚度,...该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。
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本发明提供一种提前获取套刻下货值的方法,包括:针对多个不同厚度的外延层分别进行光刻;对光刻后的所述外延层进行量测以得到多组套刻偏差数据;根据所述外延层的厚度和所述套刻偏差数据,建立多个拟合函数;根据所述拟合函数和需要进行光刻的外延层的厚度,...