带注入筛的晶体管制造技术

本公开涉及带注入筛的晶体管。一种设备包含衬底和安置在所述衬底上的晶体管。所述晶体管包含源极和安置在所述源极上的源极触点。所述晶体管还包含漏极和安置在所述漏极上的漏极触点。栅极安置在所述源极触点和所述漏极触点之间，并且筛选区安置成邻近于所述源极触点或所述漏极触点。所述筛选区与轻掺杂区相对应。所述筛选区包含注入筛，所述注入筛配置成减小所述筛选区中的有效剂量，以便将所述筛选区的可接受剂量范围偏移到更高剂量范围。所述可接受剂量范围与所述筛选区的可接受击穿电压值相对应。压值相对应。压值相对应。

【技术实现步骤摘要】
带注入筛的晶体管


[0001]本公开总体上涉及晶体管，且更具体地说，涉及用于减小晶体管的某一区中的注入剂量浓度的注入筛。

技术介绍

[0002]晶体管装置，如高电压晶体管，可包含具有N或P注入物的轻掺杂区(取决于晶体管的类型)。在一些情况下，轻掺杂区可对应于源极和/或漏极的触点
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栅极(“C2G”)区(C2G区也可称为漏极延伸区、“DER”或“LDD区”)。在一些情况下，轻掺杂区可以对应于晶体管的触点
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有源区域边缘(“C2A”)区。C2G和C2A区中的掺杂有助于晶体管承受高电压。高电压范围将取决于应用类型。例如，在存储器装置中，某些逻辑晶体管可能需要承受10伏到35伏的电压。然而，在电力电子装置中，高电压晶体管可能需要承受数百伏。在一些装置中，每个装置内的注入剂量浓度可能不同。例如，由于例如不同的电压阈值(Vt)要求和/或不同的沟道宽度，存储器装置(以及其它类型的晶体管装置)可具有带不同击穿电压(BV)要求的高电压晶体管(例如，在外围电路系统中)，这可随着沟道变窄而将可接受的注入剂量浓度范围偏移到更高的值。具有不同的BV要求可意味着在例如晶体管的C2G和/或C2A区中的不同注入剂量浓度。制造晶体管需要不同注入剂量浓度的装置可意味着许多注入步骤(连同相关联的掩模)，以确保每个不同晶体管具有可接受的注入剂量浓度。另外，在一些晶体管中，在同一晶体管的不同区内具有不同的注入剂量浓度可能是有益的。例如，C2G区中的注入剂量浓度可不同于C2A区中的注入剂量浓度。因此，在常规的晶体管中，可能需要多个步骤来为每个掺杂区注入所需的掺杂剂浓度。然而，具有多个注入步骤可能意味着制造过程的效率将降低并且可能增加制造成本。
[0003]出于上述原因以及本领域技术人员在阅读和理解本说明书后将变得显而易见的其它原因，本领域需要限制用于制造晶体管装置的不同注入剂量浓度的数目。

技术实现思路

[0004]本公开的一方面涉及一种设备，其包括：衬底；以及晶体管，其安置在所述衬底上，所述晶体管包含：源极和安置在所述源极上的源极触点、漏极和安置在所述漏极上的漏极触点、安置在所述源极触点和所述漏极触点之间的栅极，以及安置成邻近于所述源极触点或所述漏极触点的筛选区，所述筛选区与轻掺杂区相对应，其中所述筛选区包含注入筛，所述注入筛配置成减小所述筛选区中的有效剂量，以便将所述筛选区的可接受剂量范围偏移到更高剂量范围，所述可接受剂量范围与所述筛选区的可接受击穿电压值相对应。
[0005]本公开的另一方面涉及一种方法，其包括：在衬底上形成第一轻掺杂区，所述第一轻掺杂区具有用于掺杂注入物的第一可接受剂量范围；在所述衬底上形成第二轻掺杂区，所述第二轻掺杂区具有用于所述掺杂注入物的第二可接受剂量范围，所述第二可接受剂量范围的用于所述掺杂注入物的剂量范围高于所述第一可接受剂量范围；在同一注入步骤期间用所述掺杂注入物掺杂所述第一和第二轻掺杂区；通过减小所述第一轻掺杂区中的有效
剂量，将所述第一可接受剂量范围偏移成与所述第二可接受剂量范围重叠，使得所述掺杂注入物使用共享剂量浓度。
[0006]本公开的又一方面涉及一种设备，其包括：衬底；以及第一晶体管，其安置在所述衬底上，第一晶体管包含：源极和安置在所述源极上的源极触点、漏极和安置在所述漏极上的漏极触点、安置在所述源极触点和所述漏极触点之间的栅极，以及安置成邻近于所述源极触点的第一筛选区和安置成邻近于所述漏极触点的第二筛选区，所述第一和第二筛选区中的每一个分别与第一和第二轻掺杂区相对应，其中所述第一筛选区包含第一注入筛，所述第一注入筛配置成减小所述第一筛选区中的第一有效剂量，以便将所述第一筛选区的第一可接受剂量范围偏移到第一更高剂量范围，其中所述第二筛选区包含第二注入筛，所述第二注入筛配置成减小所述第二筛选区中的第二有效剂量，以便将所述第二筛选区的第二可接受剂量范围偏移到第二更高剂量范围，其中所述第一和第二可接受剂量范围中的每一个与对应于所述设备中的第二晶体管的掺杂区的第三可接受剂量范围或对应于所述第一晶体管中的第三轻掺杂区的掺杂区的第四可接受剂量范围重叠，所述第三掺杂区的有效剂量高于所述第一和第二有效剂量中的任一个，所述第四掺杂区的有效剂量不同于所述第一和第二有效剂量中的任一个，其中所述第一和第二注入筛中的每一个包含用于阻挡所述掺杂注入物的至少一个多晶硅线。
附图说明
[0007]图1A和1B示出两个晶体管的触点
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栅极区的击穿电压随注入剂量浓度而变的曲线。
[0008]图2A和2B示出根据本公开的在触点
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栅极区中具有注入筛的晶体管的俯视图和横截面视图。
[0009]图2C到2E示出根据本公开的触点
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栅极区的注入筛的各种实施例的部分俯视平面图。
[0010]图3A和3B示出晶体管的触点
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栅极区和触点
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有源区域边缘区的击穿电压随注入剂量浓度而变的曲线。
[0011]图4A示出根据本公开的在触点
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有源区域边缘区中具有注入筛的晶体管的俯视图。
[0012]图4B示出根据本公开的触点
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有源区域边缘区的注入筛的另一实施例的部分俯视平面图。
[0013]图5示出根据本公开的在触点
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栅极和触点
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有源区域边缘区中具有注入筛的晶体管的俯视图。
具体实施方式
[0014]通常，晶体管衬底的某些区可能需要掺杂(例如，N或P掺杂)，以改变衬底的电特性(例如，电阻、击穿电压等)。例如，在晶体管制造期间，C2G区(源极和/或漏极)和/或C2A区(源极和/或漏极)可能需要掺杂注入(例如，N注入、P注入等)，以提供导电性和/或维持所述区的高BV(例如，高于可接受的BV限值)。然而，不同晶体管的同一区(例如，C2G区或C2A区)中的注入剂量浓度(“剂量”)可能需要不同的掺杂剂浓度水平。例如，一个晶体管的C2G区可
能需要比另一个晶体管C2G区更高的掺杂剂浓度(C2A区的情况类似)。不同晶体管可以是同一装置(例如，存储器装置)的一部分，也可以是一起制造的不同装置的一部分。另外，同一晶体管的不同区的剂量可能需要不同的掺杂剂浓度水平。例如，C2G区可能需要与同一晶体管的C2A区不同(例如，更高)的掺杂剂浓度水平。掺杂区需要不同剂量可能有几个原因，例如，一些晶体管中的装置宽度减小(例如，C2G区中需要更高的掺杂剂浓度)、一些晶体管中C2G区使用场板(也需要更高剂量)等。因此，在相关技术系统中，必须使用在所有相关晶体管各自可接受的注入剂量浓度范围内的共享注入剂量浓度，或者制造过程必须包含具有适当掩模的额外注入步骤，以考虑具有不同掺杂剂浓度要求的晶体管区。然而，希望通过在不同晶体管的区(例如，C2G、C2A等)之间和/或在同一晶体管内共享注入剂量浓度(例如，N注入、P注入等)来降低成本，即使这些区需要不同剂量。
[0015]本技术的实施例针对在晶体管的某本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种设备，其包括：衬底；以及晶体管，其安置在所述衬底上，所述晶体管包含，源极和安置在所述源极上的源极触点，漏极和安置在所述漏极上的漏极触点，安置在所述源极触点和所述漏极触点之间的栅极，以及安置成邻近于所述源极触点或所述漏极触点的筛选区，所述筛选区与轻掺杂区相对应，其中所述筛选区包含注入筛，所述注入筛配置成减小所述筛选区中的有效剂量，以便将所述筛选区的可接受剂量范围偏移到更高剂量范围，所述可接受剂量范围与所述筛选区的可接受击穿电压值相对应。2.根据权利要求1所述的设备，其中所述可接受剂量范围与所述设备中的第二晶体管的掺杂区的第二可接受剂量范围重叠，所述第二晶体管的所述掺杂区的有效剂量高于所述筛选区的所述有效剂量。3.根据权利要求1所述的设备，其中所述可接受剂量范围与所述晶体管的第二轻掺杂区的第二可接受剂量范围重叠，所述第二轻掺杂区的有效剂量高于所述筛选区的所述有效剂量。4.根据权利要求1所述的设备，其中注入筛包含用于阻挡所述掺杂注入物的至少一个特征。5.根据权利要求4所述的设备，其中所述至少一个特征包含多个标线，所述标线是具有实心部分和间隙部分的虚线，其中所述实心部分的宽度可在0.04μm到0.15μm的范围内，所述实心部分的长度可在0.2μm到0.4μm的范围内，且其中所述间隙部分的长度可在0.2μm到0.4μm的范围内。6.根据权利要求5所述的设备，其中所述虚线布置成使得在沿所述晶体管的长度方向观察时，虚线的实心部分与邻近线的所述间隙部分对准。7.根据权利要求4所述的设备，其中所述至少一个特征包含多个为实线的标线，其中所述标线中的每一个的宽度在0.04μm到0.15μm的范围内，且其中邻近线之间的间隔在0.04μm到1μm的范围内。8.根据权利要求4所述的设备，其中所述筛选区是触点
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栅极区，其中所述至少一个特征包含在所述晶体管的宽度方向上延伸的多个标线，其中所述设备包含浅沟槽隔离区，其处于所述筛选区在所述晶体管的所述宽度方向上的相对侧上，且其中所述标线中的每一个的两端延伸到所述相应浅沟槽隔离区中。9.根据权利要求8所述的设备，其中所述标线的在所述注入筛的至少一侧上的所述端部通过连接层连接到所述栅极，以形成场板。10.根据权利要求8所述的设备，其中所述标线的所述端部不连接到所述栅极，以形成浮动配置。11.根据权利要求4所述的设备，其中所述筛选区是触点
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有源区域区，且
其中所述至少一个特征包含围绕所述触点形成C形配置的至少一个标线。12.根据权利要求11所述的设备，其中所述C形配置在所述触点和所述筛选区的有源区域边缘之间居中。13.根据权利要求1所述的设备，其进一步包括：第二筛选区，其安置成邻近于所述源极触点或所述漏极触点中的另一个，所述第二筛选区与第二轻掺杂区相对应，其中所述第二筛选区包含第二注入筛，所述第二注入筛配置成减小所述第二筛选区中的有效剂量，以便将所述第二筛选区的第二可接受剂量范围偏移到第二更高剂量范围，所述第二可接受剂量范围与所述第二筛选区的可接受击穿电压值相对应。14.一种方法，其包括：在衬底上形成第一轻掺杂区，所述第一轻掺杂区具有用于掺杂注入物的第一可接受剂量范围；在所述衬底上形成第二轻掺杂区，所述第二轻掺杂区具有用于所述掺杂注入物的第二可接受剂量范围，...

【专利技术属性】
技术研发人员：M，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：