一种加热盘结构及镀膜设备制造技术

本实用新型专利技术涉及半导体镀膜设备技术领域，具体涉及一种加热盘结构及镀膜设备。本实用新型专利技术提供的一种加热盘结构，包括盘体、多个止挡块和多个支撑块；多个所述止挡块沿着所述盘体上表面的边缘依次设置，多个所述止挡块之间形成与晶圆相适配的放置区；多个所述支撑块设置于所述盘体的上表面，所述支撑块与所述盘体一体成型，多个所述支撑块均位于所述放置区；所述止挡块高于所述支撑块。晶圆下表面与止挡块之间并无缝隙，止挡块限位住晶圆，防止晶圆偏移，以保证晶圆的对中性，支撑块与盘体是一体成型的，两者的膨胀系数相同，这样温度升高时，支撑块和盘体的形变系数相同，使得晶圆下表面与盘体上表面之间的缝隙始终是均匀的。与盘体上表面之间的缝隙始终是均匀的。与盘体上表面之间的缝隙始终是均匀的。

【技术实现步骤摘要】
一种加热盘结构及镀膜设备


[0001]本技术涉及半导体镀膜设备
，具体涉及一种加热盘结构及镀膜设备。

技术介绍

[0002]如图1所示，现有的加热盘在盘体1
’
上表面的边缘处设有陶瓷环5，在盘体1
’
上表面还设有陶瓷柱4，陶瓷柱4在陶瓷环5的内部，晶圆放置在加热盘上时，晶圆的下表面与陶瓷柱4的上表面相接触并产生缝隙，而晶圆边缘的下表面与陶瓷环5内侧上表面也有缝隙。
[0003]由于陶瓷环5和陶瓷柱4均与盘体1
’
的材质不同，在加热盘升温时，造成陶瓷柱4、陶瓷环5与盘体1
’
的膨胀系数不同，使得晶圆下表面与盘体1上表面之间的缝隙以及晶圆下表面与陶瓷环内侧上表面之间的缝隙的宽度不均匀，进而影响等离子场的均匀性。

技术实现思路

[0004](一)本技术所要解决的问题是：在加热盘升温时，由于陶瓷柱、陶瓷环与盘体的膨胀系数不同，使得晶圆下表面与盘体上表面之间的缝隙以及晶圆下表面与陶瓷环内侧上表面之间的缝隙宽度不均匀，进而影响等离子场的均匀性。
[0005](二)技术方案
[0006]一种加热盘结构，包括盘体、多个止挡块和多个支撑块；
[0007]多个所述止挡块沿着所述盘体上表面的边缘依次设置，多个所述止挡块之间形成与晶圆相适配的放置区；
[0008]多个所述支撑块设置于所述盘体的上表面，所述支撑块与所述盘体一体成型，多个所述支撑块均位于所述放置区；
[0009]所述止挡块高于所述支撑块。r/>[0010]根据本技术的一个实施例，所述止挡块与所述盘体一体成型，或，所述止挡块固接于所述盘体上。
[0011]根据本技术的一个实施例，所述止挡块为球体、圆柱体或正多棱柱中的任意一种。
[0012]根据本技术的一个实施例，多个所述止挡块等距设置。
[0013]根据本技术的一个实施例，所述支撑块为球体、正多棱锥或圆锥体中的任意一种。
[0014]根据本技术的一个实施例，一个所述支撑块与所述盘体同轴设置，剩余所述支撑块的轴线在所述盘体上表面上的投影均落在所述上表面的同心圆上。
[0015]根据本技术的一个实施例，所述止挡块固接于所述盘体上时，在所述盘体的上表面开设有多个安装孔，所述止挡块密封连接于所述安装孔内。
[0016]根据本技术的一个实施例，所述支撑块的高度为0.02mm
‑
5mm，所述止挡块的高度为0.1mm
‑
10mm。
[0017]根据本技术的一个实施例，所述止挡块为陶瓷块、蓝宝石块、铝块、镍合金块和哈氏合金块中的任意一种。
[0018]一种镀膜设备，包括上述的一种加热盘结构。
[0019]本技术的有益效果：
[0020]本技术提供的一种加热盘结构，包括盘体、多个止挡块和多个支撑块；多个止挡块沿着盘体上表面的边缘依次设置，多个止挡块之间形成与晶圆相适配的放置区；多个支撑块设置于盘体的上表面，支撑块与盘体一体成型，多个支撑块均位于放置区；止挡块高于支撑块。
[0021]晶圆对中放置在盘体上时，晶圆的下表面与支撑块的上表面相接触，晶圆的下表面与支撑块的上表面之间形成缝隙，同时晶圆的侧面与止挡块的侧面相接触，晶圆下表面与止挡块之间并无缝隙，止挡块限位住晶圆，防止晶圆偏移，以保证晶圆的对中性，又支撑块与盘体是一体成型的，两者的膨胀系数相同，这样温度升高时，支撑块和盘体的形变系数相同，使得晶圆下表面与盘体上表面之间的缝隙始终是均匀的，保证离子浓度更加均匀。
附图说明
[0022]为了更清楚地说明本技术具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本技术的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0023]图1为本技术实施例提供的现有加热盘的结构图；
[0024]图2为本技术实施例提供的立体图。
[0025]图标：1
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盘体；2
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止挡块；3
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支撑块；1
’‑
盘体；4
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陶瓷柱；5
‑
陶瓷环。
具体实施方式
[0026]下面将结合实施例对本技术的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0027]如图1所示，现有的加热盘在盘体1
’
上表面的边缘处设有陶瓷环5，在盘体1
’
上表面还设有多个陶瓷柱4，陶瓷柱4均匀分布，陶瓷柱4在陶瓷环5的内部，陶瓷柱4的上表面高于陶瓷环5内侧的上表面，陶瓷环5内侧的上表面与加热盘上表面相齐平，晶圆放置在加热盘上时，晶圆的下表面与陶瓷柱4的上表面相接触，晶圆下表面与加热盘上表面之间形成缝隙，而晶圆边缘的下表面与陶瓷环5之间也形成缝隙，这样在加热盘升温时，由于陶瓷柱4、陶瓷环5均与盘体1
’
的材质不相同，陶瓷柱4、陶瓷环5与加热盘的膨胀系数不同，使得晶圆下表面与盘体1上表面之间的缝隙宽度以及晶圆下表面与陶瓷环5上表面之间的缝隙不均匀，进而影响等离子场的均匀性。
[0028]如图2所示，本技术的一个实施例提供了一种加热盘结构，包括盘体1、多个止挡块2和多个支撑块3；
[0029]多个止挡块2沿着盘体1上表面的边缘依次设置，多个止挡块2之间形成与晶圆相
适配的放置区，晶圆放入到放置区时，晶圆的侧面同时与多个止挡块2相接触，以此限位住晶圆，防止晶圆偏移，以保证晶圆的对中性，止挡块2与晶圆侧面之间相接触，无缝隙，消除了原来陶瓷环5与盘体1之间的缝隙，而止挡块2不会对晶圆薄膜的性能产生的局部影响。
[0030]多个支撑块3设置于盘体1的上表面，支撑块3与盘体1一体成型，多个支撑块3均位于放置区，支撑块3的材料与加热盘材料保持一致，保持支撑块3与加热盘的膨胀系数一致。这样加热盘升温时，由于保持支撑块3与加热盘的膨胀系数一致，晶圆下表面与盘体1上表面之间的缝隙始终是均匀的，离子浓度更加均匀。
[0031]其中，止挡块2高于支撑块3，这样止挡块2能够将晶圆限位在放置区中。
[0032]在本实施例中，止挡块2与盘体1一体成型，止挡块2与盘体1的材料相同，且止挡块2为圆柱体，其设置有六块，沿着盘体1的上表面的边缘处圆周等距阵列分布，止挡块2的高度为0.1mm
‑
10mm，优选为6mm。在防止晶圆时，晶圆的下表面只与支撑块3相接触，晶圆下表面并不与止挡块2相接触，晶圆的侧面与止挡块2侧面相接触，晶圆下表面与止挡块2之本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种加热盘结构，其特征在于，包括盘体(1)、多个止挡块(2)和多个支撑块(3)；多个所述止挡块(2)沿着所述盘体(1)上表面的边缘依次设置，多个所述止挡块(2)之间形成与晶圆相适配的放置区；多个所述支撑块(3)设置于所述盘体(1)的上表面，所述支撑块(3)与所述盘体(1)一体成型，多个所述支撑块(3)均位于所述放置区；所述止挡块(2)高于所述支撑块(3)。2.根据权利要求1所述的一种加热盘结构，其特征在于，所述止挡块(2)与所述盘体(1)一体成型，或，所述止挡块(2)固接于所述盘体(1)上。3.根据权利要求2所述的一种加热盘结构，其特征在于，所述止挡块(2)为球体、圆柱体或正多棱柱中的任意一种。4.根据权利要求3所述的一种加热盘结构，其特征在于，多个所述止挡块(2)等距设置。5.根据权利要求1所述的一种加热盘结构，其特征在于，所述支撑块(3)为球体、正多棱锥或圆锥体中的任意一种。6.根据权利要求5所述的一...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄明策，野沢俊久，谈太德，吴凤丽，
申请(专利权)人：拓荆科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：