一种可流动性薄膜沉积设备气体流向系统技术方案

本发明专利技术涉及半导体加工设备技术领域，更具体的说，涉及一种可流动性薄膜沉积设备气体流向系统。本发明专利技术提供了一种可流动性薄膜沉积设备气体流向系统，包括第一RPS反应单元、第二RPS反应单元和第三RPS清洗单元：第一RPS反应单元，可通断地与第一反应腔室连接，用于解离并输送工艺气体；第二RPS反应单元，可通断地与第二反应腔室连接，用于解离并输送工艺气体；第三RPS清洗单元，可通断地分别第一反应腔室、第二反应腔室连接，用于解离并输送清洁气体。本发明专利技术提供的可流动性薄膜沉积设备气体流向系统，通过控制不同的进气方向，实现不同的配方控制，实现不同区域的清洁，提升穹顶腔室的清洗效果，并提高单次预防性维护的跑片数量，降低持有成本。降低持有成本。降低持有成本。

【技术实现步骤摘要】
一种可流动性薄膜沉积设备气体流向系统


[0001]本专利技术涉及半导体加工设备
，更具体的说，涉及一种可流动性薄膜沉积设备气体流向系统。

技术介绍

[0002]等离子体化学气相沉积(plasma chemical vapor deposition)是指用等离子体激活反应气体，促进在基体表面或近表面空间进行化学反应，生成固态膜的技术。
[0003]在晶片表面上生成薄膜一般会使用薄膜沉积等离子设备，中国专利技术专利CN202111665983.7公开了一种半导体设备，通过设置RPS设备用于给反应腔室提供等离子体气源，等离子体气源在所述反应腔室内发生化学反应后生成氟离子，从而使得氟离子从所述反应腔室内流出。
[0004]但是，如上述现有技术中的薄膜沉积等离子设备，在长时间进行工艺跑片时，穹顶腔室会生成一定的薄膜，RPS(Remote Plasma Source，远程等离子体源)设备的清洁气体无法对穹顶腔室进行彻底清洁，长期会引起工艺腔室产生颗粒。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的是提供一种可流动性薄膜沉本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种可流动性薄膜沉积设备气体流向系统，其特征在于，包括第一RPS反应单元、第二RPS反应单元和第三RPS清洗单元：第一RPS反应单元，可通断地与第一反应腔室连接，用于解离并输送工艺气体；第二RPS反应单元，可通断地与第二反应腔室连接，用于解离并输送工艺气体；第三RPS清洗单元，可通断地分别第一反应腔室、第二反应腔室连接，用于解离并输送清洁气体。2.根据权利要求1所述的可流动性薄膜沉积设备气体流向系统，其特征在于，所述第一RPS反应单元，设置有第一水气管路；所述第一水气管路，设置有第一流量阀，用于控制水气向第一RPS反应单元的流通；所述第二RPS反应单元，设置有第二水气管路；所述第二水气管路，设置有第二流量阀，用于控制水气向第二RPS反应单元的流通。3.根据权利要求2所述的可流动性薄膜沉积设备气体流向系统，其特征在于，所述第一RPS反应单元，设置有第一清洁气体管路；所述第一清洁气体管路，设置有第三流量阀，用于控制清洁气体向第一RPS反应单元流通；所述第二RPS反应单元，设置有第二清洁气体管路；所述第二清洁气体管路，设置有第四流量阀，用于控制清洁气体向第二RPS反应单元流通。4.根据权利要求3所述的可流动性薄膜沉积设备气体流向系统，其特征在于，所述第三RPS清洗单元，设置有第三清洁气体管路；所述第三清洁气体管路，设置有第五流量阀，用于控制清洁气体向第三RPS清洗单元流通。5.根据权利要求4所述的可流动性薄膜沉积设备气体流向系统，其特征在于，所述第一RPS反应单元，设置有第一工艺气体管路，用于通入工艺气体；所述第二RPS反应单元，设置有第二工艺气体管路，用于通入工艺气体。6.根据权利要求5所述的可流动性薄膜沉积设备气体流向系统，其特征在于，当进行工艺流程时：第一流量阀、第二流量阀、第三流量阀、第四流量阀、第五流量阀关闭；第一工艺气体管路和第二工艺气体管路通入工艺气体；第一RPS反应单元进行解离工艺气体并输送至第一反应腔室；第二RPS反应单元进行解离工艺气体并输送至第二反应腔室。7.根据权利要求5所述的可流动性薄膜沉积设备气体流向系统，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：谭华强，尹艳超，谈太德，
申请(专利权)人：拓荆科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：