一种可流动性薄膜沉积设备气体流向系统技术方案

本发明专利技术涉及半导体加工设备技术领域，更具体的说，涉及一种可流动性薄膜沉积设备气体流向系统。本发明专利技术提供了一种可流动性薄膜沉积设备气体流向系统，包括第一RPS反应单元、第二RPS反应单元和第三RPS清洗单元：第一RPS反应单元，可通断地与第一反应腔室连接，用于解离并输送工艺气体；第二RPS反应单元，可通断地与第二反应腔室连接，用于解离并输送工艺气体；第三RPS清洗单元，可通断地分别第一反应腔室、第二反应腔室连接，用于解离并输送清洁气体。本发明专利技术提供的可流动性薄膜沉积设备气体流向系统，通过控制不同的进气方向，实现不同的配方控制，实现不同区域的清洁，提升穹顶腔室的清洗效果，并提高单次预防性维护的跑片数量，降低持有成本。降低持有成本。降低持有成本。

【技术实现步骤摘要】
一种可流动性薄膜沉积设备气体流向系统


[0001]本专利技术涉及半导体加工设备
，更具体的说，涉及一种可流动性薄膜沉积设备气体流向系统。

技术介绍

[0002]等离子体化学气相沉积(plasma chemical vapor deposition)是指用等离子体激活反应气体，促进在基体表面或近表面空间进行化学反应，生成固态膜的技术。
[0003]在晶片表面上生成薄膜一般会使用薄膜沉积等离子设备，中国专利技术专利CN202111665983.7公开了一种半导体设备，通过设置RPS设备用于给反应腔室提供等离子体气源，等离子体气源在所述反应腔室内发生化学反应后生成氟离子，从而使得氟离子从所述反应腔室内流出。
[0004]但是，如上述现有技术中的薄膜沉积等离子设备，在长时间进行工艺跑片时，穹顶腔室会生成一定的薄膜，RPS(Remote Plasma Source，远程等离子体源)设备的清洁气体无法对穹顶腔室进行彻底清洁，长期会引起工艺腔室产生颗粒。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的是提供一种可流动性薄膜沉积设备气体流向系统，解决现有技术中RPS结构下薄膜沉积设备的穹顶腔室难以进行彻底有效清洁的问题。
[0006]为了实现上述目的，本专利技术提供了一种可流动性薄膜沉积设备气体流向系统，包括第一RPS反应单元、第二RPS反应单元和第三RPS清洗单元：
[0007]第一RPS反应单元，可通断地与第一反应腔室连接，用于解离并输送工艺气体；
[0008]第二RPS反应单元，可通断地与第二反应腔室连接，用于解离并输送工艺气体，
[0009]第三RPS清洗单元，可通断地分别第一反应腔室、第二反应腔室连接，用于解离并输送清洁气体。
[0010]在一实施例中，所述第一RPS反应单元，设置有第一水气管路；
[0011]所述第一水气管路，设置有第一流量阀，用于控制水气向第一RPS反应单元的流通；
[0012]所述第二RPS反应单元，设置有第二水气管路；
[0013]所述第二水气管路，设置有第二流量阀，用于控制水气向第二RPS反应单元的流通。
[0014]在一实施例中，所述第一RPS反应单元，设置有第一清洁气体管路；
[0015]所述第一清洁气体管路，设置有第三流量阀，用于控制清洁气体向第一RPS反应单元流通；
[0016]所述第二RPS反应单元，设置有第二清洁气体管路；
[0017]所述第二清洁气体管路，设置有第四流量阀，用于控制清洁气体向第二RPS反应单元流通。
[0018]在一实施例中，所述第三RPS清洗单元，设置有第三清洁气体管路；
[0019]所述第三清洁气体管路，设置有第五流量阀，用于控制清洁气体向第三RPS清洗单元流通。
[0020]在一实施例中，所述第一RPS反应单元，设置有第一工艺气体管路，用于通入工艺气体；
[0021]所述第二RPS反应单元，设置有第二工艺气体管路，用于通入工艺气体。
[0022]在一实施例中，当进行工艺流程时：
[0023]第一流量阀、第二流量阀、第三流量阀、第四流量阀、第五流量阀关闭；
[0024]第一工艺气体管路和第二工艺气体管路通入工艺气体；
[0025]第一RPS反应单元进行解离工艺气体并输送至第一反应腔室；
[0026]第二RPS反应单元进行解离工艺气体并输送至第二反应腔室。
[0027]在一实施例中，当进行RPS环境流程时：
[0028]第一流量阀、第二流量阀开启，水蒸气进入第一RPS反应单元和第二RPS反应单元；
[0029]第三流量阀、第四流量阀、第五流量阀关闭；
[0030]第一工艺气体管路和第二工艺气体管路通入保护气体。
[0031]在一实施例中，当进行腔室特别清洁流程时：
[0032]第一流量阀、第二流量阀、第三流量阀、第四流量阀关闭；
[0033]第五流量阀开启，清洁气体进入第三RPS清洗单元解离并输送至第一反应腔室、第二反应腔室进行清洁。
[0034]在一实施例中，当进行穹顶腔室清洁流程时：
[0035]第一流量阀、第二流量阀、第五流量阀关闭；
[0036]第三流量阀开启，清洁气体进入第一RPS反应单元解离并输送至第一反应腔室；
[0037]第四流量阀开启，清洁气体进入第二RPS反应单元解离并输送至第二反应腔室。
[0038]在一实施例中，当进行全清洁流程时：
[0039]第一流量阀、第二流量阀关闭；
[0040]第三流量阀、第四流量阀、第五流量阀开启；
[0041]清洁气体进入第一RPS反应单元、第二RPS反应单元、第三RPS清洗单元解离并输送至第一反应腔室和第二反应腔室。
[0042]在一实施例中，所述第三流量阀、第四流量阀、第五流量阀设置有孔板密封垫片，用于调整分气均匀。
[0043]在一实施例中，所述第三RPS清洗单元，设置有第三清洁气体管路；
[0044]所述第三清洁气体管路，设置有孔板密封垫片，用于调节清洁气体流向第三RPS清洗单元的气流大小。
[0045]在一实施例中，所述孔板密封垫片的直径为0.5mm至2.5mm。
[0046]在一实施例中，当进行穹顶腔室清洁流程时：
[0047]第一流量阀、第二流量阀开启，水蒸气进入第一RPS反应单元和第二RPS反应单元；
[0048]第三流量阀、第四流量阀关闭；
[0049]第一工艺气体管路和第二工艺气体管路通入保护气体。
[0050]本专利技术提供的可流动性薄膜沉积设备气体流向系统，通过控制不同的进气方向，
实现不同的配方控制，实现不同区域的清洁，提升穹顶腔室的清洗效果，并提高单次预防性维护(Preventive Maintenance，PM)的跑片数量，延长单次PM时间。
附图说明
[0051]本专利技术上述的以及其他的特征、性质和优势将通过下面结合附图和实施例的描述而变的更加明显，在附图中相同的附图标记始终表示相同的特征，其中：
[0052]图1揭示了根据本专利技术实施例1的可流动性薄膜沉积设备气体流向系统的俯视图；
[0053]图2揭示了根据本专利技术实施例1的可流动性薄膜沉积设备气体流向系统的原理示意图；
[0054]图3揭示了根据本专利技术实施例1的可流动性薄膜沉积设备气体流向系统的正面示意图；
[0055]图4揭示了根据本专利技术实施例2的可流动性薄膜沉积设备气体流向系统的原理示意图。
[0056]图中各附图标记的含义如下：
[0057]101第一RPS反应单元；
[0058]102第二RPS反应单元；
[0059]103第三RPS清洗单元；
[0060]201第一流量阀；
[0061]202第二流量阀；
[0062]203第三流量阀；
[0063]204第四流量阀；<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种可流动性薄膜沉积设备气体流向系统，其特征在于，包括第一RPS反应单元、第二RPS反应单元和第三RPS清洗单元：第一RPS反应单元，可通断地与第一反应腔室连接，用于解离并输送工艺气体；第二RPS反应单元，可通断地与第二反应腔室连接，用于解离并输送工艺气体；第三RPS清洗单元，可通断地分别第一反应腔室、第二反应腔室连接，用于解离并输送清洁气体。2.根据权利要求1所述的可流动性薄膜沉积设备气体流向系统，其特征在于，所述第一RPS反应单元，设置有第一水气管路；所述第一水气管路，设置有第一流量阀，用于控制水气向第一RPS反应单元的流通；所述第二RPS反应单元，设置有第二水气管路；所述第二水气管路，设置有第二流量阀，用于控制水气向第二RPS反应单元的流通。3.根据权利要求2所述的可流动性薄膜沉积设备气体流向系统，其特征在于，所述第一RPS反应单元，设置有第一清洁气体管路；所述第一清洁气体管路，设置有第三流量阀，用于控制清洁气体向第一RPS反应单元流通；所述第二RPS反应单元，设置有第二清洁气体管路；所述第二清洁气体管路，设置有第四流量阀，用于控制清洁气体向第二RPS反应单元流通。4.根据权利要求3所述的可流动性薄膜沉积设备气体流向系统，其特征在于，所述第三RPS清洗单元，设置有第三清洁气体管路；所述第三清洁气体管路，设置有第五流量阀，用于控制清洁气体向第三RPS清洗单元流通。5.根据权利要求4所述的可流动性薄膜沉积设备气体流向系统，其特征在于，所述第一RPS反应单元，设置有第一工艺气体管路，用于通入工艺气体；所述第二RPS反应单元，设置有第二工艺气体管路，用于通入工艺气体。6.根据权利要求5所述的可流动性薄膜沉积设备气体流向系统，其特征在于，当进行工艺流程时：第一流量阀、第二流量阀、第三流量阀、第四流量阀、第五流量阀关闭；第一工艺气体管路和第二工艺气体管路通入工艺气体；第一RPS反应单元进行解离工艺气体并输送至第一反应腔室；第二RPS反应单元进行解离工艺气体并输送至第二反应腔室。7.根据权利要求5所述的可流动性薄膜沉积设备气体流向系统，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：谭华强，尹艳超，谈太德，
申请(专利权)人：拓荆科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：