一种PECVD炉管进气结构制造技术

本实用新型专利技术涉及太阳能电池生产领域，一种PECVD炉管进气结构，PECVD炉管的炉门端口部内侧有半环形的进气管，进气管顺序通过连接管、衔接管、8字混气管连接连接母管，母管通过第一阀门连接第一气源管，母管通过第二阀门连接第二气源管，母管通过第三阀门连接第三气源管，母管通过第四阀门连接第四气源管，母管通过第五阀门连接第五气源管，衔接管、8字混气管固定安装在PECVD炉管外壁，进气管背对炉门的侧壁上有多个小孔。解决了传统机台底部进气方案时混合不够充分和进气口堵塞问题。混合不够充分和进气口堵塞问题。混合不够充分和进气口堵塞问题。

【技术实现步骤摘要】
一种PECVD炉管进气结构


[0001]本技术涉及太阳能电池生产领域，特别涉及一种PECVD炉管进气结构。

技术介绍

[0002]晶硅太阳能电池的基本结构通常采用 P 型硅作为衬底，通过磷扩散将上表面的p 型硅转变为 n 型硅，从而形成一个简单的 p
‑
n 结，随后利用化学气相沉积法在扩散层的上方沉积一层 SiNx减反射膜，除了可以有效实现表面钝化，增长少子寿命，其还能够降低入射光的反射率。最后，由丝网印刷将浆料分别印刷在硅片的上下表面，作用为有效收集和导出电流。
[0003]晶硅太阳能电池的核心是p
‑
n 结。当通过扩散形成 p
‑
n 结后，由于 p
‑
n 结两边的电子和空穴浓度不同，载流子会自发地在有浓度梯度的地方移动。电子离开 n 区后，不能运动的掺杂离子依然停留在原地，在 n 区形成正电荷区域。同理，空穴离开后，p 区形成负电荷区域。由于耗尽区两边电荷的极性差异较大，p
‑
n 结之间会形成一个势垒电场。由于势垒电场的方向与载流子扩散方向不同本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种PECVD炉管进气结构，其特征在于：PECVD炉管（3）的炉门端口部内侧有半环形的进气管（4），进气管（4）与PECVD炉管（1）的通过定位垫（5）固定连接，进气管（4）顺序通过连接管（1）、衔接管（2）、8字混气管（6）连接母管，母管通过第一阀门（8）连接第一气源管（7），母管通过第二阀门（10）连接第二气源管（9），母管通过第三阀门（12）连接第三气源管（11），母管通过第四阀门（14）连接第四气源管（13），母管通过第五阀门（16）连接第五气源管（15），衔接管（2）、8字混气管（6）固定安装在PECVD炉管（3）外壁，进气管（4）背对炉门的侧壁上有多个小孔（22）。2.根据权利要求1所述的一种PECVD炉管进气结构，其特征在于：进气管（4）与PECVD炉管（1）的内壁为可拆卸连接且进气管（4）与PECVD炉管（1）的内壁之间有间隙。3.根据权利要求1或者权利要求2所述的一种PECVD炉管进气结构，其特征在于：进气管（4）的半环形的弧长为3π/2
‑
7π/4。4.根据权利要求1所述的一种PECVD炉管进气结构，其特征在于：连接管（1）贯穿PECV...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭卫，赵科巍，杜泽霖，李陈阳，张云鹏，
申请(专利权)人：山西潞安太阳能科技有限责任公司，
类型：新型
国别省市：