【技术实现步骤摘要】
镀膜装置
[0001]本技术涉及镀膜领域,特别涉及一种镀膜装置。
技术介绍
[0002]现有的镀膜装置在例如通过等离子体增强化学气相沉积(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition,PECVD)法镀膜时,大多存在镀膜效率低、均匀性差、镀膜原料过度分解的问题。
技术实现思路
[0003]本技术一个目的在于提供改进的镀膜装置。
[0004]针对以上目的,本技术实施例的一方面涉及一种镀膜装置,其包括:腔室;镀膜原料入口,位于腔室、可连通腔室内外;等离子体激发部,设于腔室;以及载送部,位于腔室内、包括辊,辊可被首尾相接的基材卷绕、并可驱使基材相对于等离子体激发部运动,辊驱使基材运动时,基材的彼此相反的第一表面和第二表面均可直接面对等离子体激发部产生的等离子体区。
[0005]一些实施例中,载送部包括复数个辊,复数个辊可被一层或多层基材局部缠绕。
[0006]一些实施例中,载送部包括首尾相接地卷绕于辊外侧的传送件,传送件可承载基材。
[0007]一些实施例中,传送件包括可贯通其分别靠近和远离基材的两侧的孔。
[0008]一些实施例中,载送部包括支架,复数个辊安装于支架。
[0009]一些实施例中,腔室设有导轨,支架可沿导轨移动。
[0010]一些实施例中,载送部包括设于支架的涨紧结构,涨紧结构适于调节辊与基材之间的摩擦力大小。
[0011]一些实施例中,载送部包括轴套,辊通过轴套安装于支架,涨紧结构包括固定于支架 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种镀膜装置(10),其特征在于,包括:腔室(12);镀膜原料入口(14),位于所述腔室(12)、可连通所述腔室(12)内外;等离子体激发部(16),设于所述腔室(12);以及载送部(18),位于所述腔室(12)内、包括辊(28),所述辊(28)可被首尾相接的基材(20)卷绕、并可驱使所述基材(20)相对于等离子体激发部(16)运动,所述辊(28)驱使所述基材(20)运动时,所述基材(20)的彼此相反的第一表面(22)和第二表面(24)均可直接面对所述等离子体激发部(16)产生的等离子体区(26)。2.如权利要求1所述的镀膜装置(10),其特征在于,所述载送部(18)包括复数个所述辊(28),所述复数个所述辊(28)可被一层或多层所述基材(20)局部缠绕。3.如权利要求1所述的镀膜装置(10),其特征在于,所述载送部(18)包括首尾相接地卷绕于所述辊(28)外侧的传送件(30),所述传送件(30)可承载所述基材(20)。4.如权利要求3所述的镀膜装置(10),其特征在于,所述传送件(30)包括可贯通其分别靠近和远离所述基材(20)的两侧的孔(32)。5.如权利要求2所述的镀膜装置(10),其特征在于,所述载送部(18)包括支架(34),所述复数个所述辊(28)安装于所述支架(34)。6.如权利要求5所述的镀膜装置(10),其特征在于,所述腔室(12)设有导轨(36),所述支架(34)可沿所述导轨(36)移动。7.如权利要求5所述的镀膜装置(10),其特征在于,所述载送部(18)包括设于所述支架(34)的涨紧结构(38),所述涨紧结构(38)适于调节所述辊(28)与所述基材(20)之间的摩擦力大小。8.如权利要求7所述的镀膜装置(10),其特征在于,所述载送部(18)包括轴套(40),所述辊(28)通过所述轴套(40)安装于所述支架(34),所述涨紧结构(38)包括固定于所述支架(34)的杆部(42),设于所述杆部(42)的调节部(44),以及被所述杆部(42)贯穿、位于所述调节部(44)与所述轴套(40)之间的弹力部(46)。9.如权利要求2所述的镀膜装置(10),其特征在于,所述载送部(18)包括设于所述腔室(12)的驱动部(48),所述复数个所述辊(28)包括可驱使所述基材(20)循环运动的主动辊(50),所述驱动部(48)与所述主动辊(50)连接并可驱使其转动。10.如权利要求9所述的镀膜装置(10),其特征在于,所述复数个所述辊(28)包括从动辊(52),所述从动辊(52)可在所述主动辊(50)和/或所述基材(20)带动下转动。11.如权利要求2所述的镀膜装置(10),其特征在于,所述复数个所述辊(28)彼此平行延伸、相互间隔地分布于所述等离子体激发部(16)附近。12.如权利要求5所述的镀膜装置(10),其特征在于,所述支架(34)包括彼此连接的承载部(54)和支撑部(56),所述复数个所述辊(28)安装于所述承载部(54)。13.如权利要求12所述的镀膜装置(10),其特征在于,所述承载部(54)包括彼此平行的第一承载件(58)和第二承载件(60),以及于所述第一承载件(58)的两端沿远离所述第二承载件(60)的方向延伸的第三承载件(62),所述复数个所述辊(28)包括安装于所述第三承载件(62)的远离所述第一承载件(58)的一侧的两个所述辊(28)和安装于所述第一承载件(58)和所述第二承载件(60)的分别靠近所述第三承载件(62)的一侧的若干所述辊(28)。
14.如权利要求13所述的镀膜装置(10),其特征在于,安装于所述第三承载件(62)的所述两个所述辊(28)分别与安装于所述第二承载件(60)的所述辊(28)中的侧端两个所述辊(28)在所述第三承载件(62)的延伸方向(E)上彼此对齐。15.如权利要求14所述的镀膜装置(10),其特征在于,所述安装于所述第三承载件(62)的所述两个所述辊(28)和安装于所述第二承载件(60)的所述侧端两个所述辊(28)中每个所述辊(28)分别靠近所述腔室(12)的一个角落。16.如权利要求13所述的镀膜装置(10),其特征在于,安装于所述第一承载件(58)的所述辊(28)与安装于所述第二承载件(60)的所述辊(28)在平行于所述第三承载件(62)的延伸方向(E)的方向上彼此错位排列。17.如权利要求13所述的镀膜装置(10),其特征在于,所述若干所述辊(28)被所述等离子体激发部(16)间隔成若干组,各组所述辊(28)中安装于所述第一承载件(58)的任意相邻两个所述辊(28)之间的第一距离(D1)与安装于所述第二承载件(60)的任意相邻两个所述辊(28)之间的第二距离(D2)相同,且小于任意相邻两组所述辊(28)之间的第三距离(D3)。18.如权利要求17所述的镀膜装置(10),其特征在于,所述若干组所述辊(28)中相邻两组所述辊(28)之间的所述第三距离(D3)彼此相同。19.如权利要求13所述的镀膜装置(10),其特征在于,所述支撑部(56)包括在所述第一承...
【专利技术属性】
技术研发人员:宗坚,
申请(专利权)人:江苏菲沃泰纳米科技股份有限公司,
类型:新型
国别省市:
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