存储器件制造技术

实施方式提供能够抑制开关元件的劣化的存储器件。实施方式的存储器件具备：存储单元，其包括串联连接的阻变元件和开关元件；和控制电路。控制电路构成为执行第1动作、第2动作以及第3动作，第1动作是基于第1电流使阻变元件为第1电阻值的动作，第2动作是基于第2电流使阻变元件为与第1电阻值不同的第2电阻值的动作，第3动作是基于第3电流判定阻变元件是为第1电阻值、还是为第2电阻值的动作。控制电路构成为在至少一个动作中，向存储单元交替地流动具有互不相同的极性的两个电流。具有互不相同的极性的两个电流。具有互不相同的极性的两个电流。

【技术实现步骤摘要】
存储器件
[0001]本申请享受以日本特许申请2021－144742号(申请日：2021年9月6日)和美国特许申请17/537395(申请日：2021年11月29日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。


[0002]实施方式涉及存储器件。

技术介绍

[0003]已知使用阻变元件来作为存储元件的存储器件。阻变元件与开关元件串联连接而作为存储单元发挥功能。开关元件可使用两端子型的开关元件。

技术实现思路

[0004]本专利技术要解决的技术问题在于提供能够抑制开关元件的劣化的存储器件。
[0005]实施方式的存储器件具备：存储单元，其包括串联连接的阻变元件和开关元件；和控制电路。上述控制电路构成为执行第1动作、第2动作以及第3动作，上述第1动作是基于第1电流使上述阻变元件为第1电阻值的动作，上述第2动作是基于第2电流使上述阻变元件为与上述第1电阻值不同的第2电阻值的动作，上述第3动作是基于第3电流判定上述阻变元件是为上述第1电阻值、还是为上述第2电阻值的动作。上述控制电路构成为在至少一个动作中，向上述存储单元交替地流动具有互不相同的极性的两个电流。
附图说明
[0006]图1是表示包括第1实施方式涉及的存储器件的存储系统的构成的一个例子的框图。
[0007]图2是表示第1实施方式涉及的存储单元阵列的电路结构的一个例子的电路图。
[0008]图3是表示第1实施方式涉及的阻变元件的构成的一个例子的剖视图。
[0009]图4是表示第1实施方式涉及的存储器件中的一系列动作的一个例子的流程图。
[0010]图5是表示第1实施方式涉及的存储器件中的写入动作的一个例子的时序图。
[0011]图6是表示第1实施方式涉及的存储器件中的写入动作的一个例子的时序图。
[0012]图7是表示第1实施方式涉及的存储器件中的读取动作的一个例子的时序图。
[0013]图8是表示第1实施方式的变形例涉及的存储器件中的一系列动作的一个例子的流程图。
[0014]图9是表示第1实施方式的变形例涉及的存储器件中的伴随着读取动作的写入动作的第1例的时序图。
[0015]图10是表示第1实施方式的变形例涉及的存储器件中的伴随着读取动作的写入动作的第2例的时序图。
[0016]图11是表示第1实施方式的变形例涉及的存储器件中的伴随着读取动作的写入动
作的第3例的时序图。
[0017]图12是表示第2实施方式涉及的存储器件中的一系列动作的一个例子的流程图。
[0018]图13是表示第2实施方式涉及的存储器件中的写入动作的一个例子的时序图。
[0019]图14是表示第2实施方式涉及的存储器件中的写入动作的一个例子的时序图。
[0020]图15是表示第2实施方式涉及的存储器件中的读取动作的一个例子的时序图。
[0021]图16是表示第2实施方式的变形例涉及的存储器件中的一系列动作的一个例子的流程图。
[0022]图17是表示第2实施方式的变形例涉及的存储器件中的伴随着读取动作的写入动作的第1例的时序图。
[0023]图18是表示第2实施方式的变形例涉及的存储器件中的伴随着读取动作的写入动作的第2例的时序图。
[0024]图19是表示第2实施方式的变形例涉及的存储器件中的伴随着读取动作的写入动作的第3例的时序图。
[0025]图20是表示第2实施方式的变形例涉及的存储器件中的伴随着读取动作的写入动作的第4例的时序图。
[0026]图21是表示第3实施方式涉及的存储器件中的一系列动作的一个例子的流程图。
[0027]图22是表示第4实施方式涉及的存储器件中的一系列动作的一个例子的流程图。
[0028]图23是表示第5实施方式涉及的存储控制器的构成的一个例子的框图。
[0029]图24是表示第5实施方式涉及的存储控制器中的一系列动作的一个例子的流程图。
[0030]图25是表示第5实施方式涉及的存储器件中的刷新动作的一个例子的时序图。
[0031]图26是表示第5实施方式的变形例涉及的存储控制器中的一系列动作的一个例子的流程图。
[0032]图27是表示其他变形例涉及的存储器件中的写入动作的一个例子的时序图。
[0033]图28是表示其他变形例涉及的存储器件中的写入动作的一个例子的时序图。
[0034]图29是表示其他变形例涉及的存储器件中的写入动作的一个例子的时序图。
[0035]图30是表示其他变形例涉及的存储器件中的写入动作的一个例子的时序图。
[0036]标号说明
[0037]1存储系统；2存储器件；3存储控制器；3a正选择数；3b负选择数；10存储单元阵列；11行选择电路；12列选择电路；13译码电路；14写入电路；15读出电路；16电压生成电路；17输入输出电路；18控制电路；21、23铁磁性层；22非磁性层。
具体实施方式
[0038]以下，参照附图对几个实施方式进行说明。此外，在以下的说明中，对具有相同的功能和结构的构成要素赋予共同的参照标号。另外，在对具有共同的参照标号的多个构成要素进行区别的情况下，对该共同的参照标号附加后缀来进行区别。
[0039]1.第1实施方式
[0040]对第1实施方式进行说明。
[0041]1.1构成
[0042]1.1.1存储系统
[0043]首先，对包括第1实施方式涉及的存储器件的存储系统的构成进行说明。图1是表示包括第1实施方式涉及的存储器件的存储系统的构成的一个例子的框图。
[0044]存储系统1为存储装置。存储系统1执行数据的写入动作和读取动作。存储系统1包括存储器件2和存储控制器3。
[0045]存储器件2例如为磁存储器件(MRAM：Magnetoresistive Random Access Memory)。存储器件2以非易失的方式存储数据。存储器件2包括磁阻效应元件来作为存储元件。磁阻效应元件是通过磁隧道结(MTJ：Magnetic Tunnel Junction)来具有磁阻效应(Magnetoresistance effect)的阻变元件的一种。磁阻效应元件也被称为MTJ元件。
[0046]存储控制器3例如由如SoC(System
‑
on
‑
a
‑
Chip，片上系统)那样的集成电路构成。存储控制器3根据来自外部的未图示的主机设备的要求，对存储器件2执行写入动作和读取动作等。在写入动作时，存储控制器3向存储器件2发送要写入的数据。另外，在读取动作时，存储控制器3接收从存储器件2读出的数据。
[0047]1.1.2存储器件
[0048]下面，接着参照图1对第1实施方式涉及的存储器件的内部构成进行说明。
[0049]存储器件2具备存储单元阵列10、行选择电路11、列选择本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器件，具备：存储单元，其包括串联连接的阻变元件和开关元件；和控制电路，其构成为执行第1动作、第2动作以及第3动作，所述第1动作是基于第1电流使所述阻变元件为第1电阻值的动作，所述第2动作是基于第2电流使所述阻变元件为与所述第1电阻值不同的第2电阻值的动作，所述第3动作是基于第3电流判定所述阻变元件是为所述第1电阻值、还是为所述第2电阻值的动作，所述控制电路构成为：在至少一个动作中，向所述存储单元交替地流动具有互不相同的极性的两个电流。2.根据权利要求1所述的存储器件，所述至少一个动作包括所述第1动作，所述控制电路构成为：在所述第1动作中，向所述存储单元交替地流动所述第1电流和具有与所述第1电流的极性不同的极性的第4电流。3.根据权利要求2所述的存储器件，所述至少一个动作还包括所述第2动作，所述控制电路构成为：在所述第2动作中向所述存储单元交替地流动所述第2电流和具有与所述第2电流的极性不同的极性的第5电流。4.根据权利要求1所述的存储器件，所述至少一个动作包括所述第3动作，所述控制电路构成为：在所述第3动作中，向所述存储单元交替地流动所述第3电流和具有与所述第3电流的极性不同的极性的第6电流。5.根据权利要求1所述的存储器件，所述至少一个动作包括所述第1动作、所述第2动作以及所述第3动作，所述控制电路构成为：在所述第1动作中，向所述存储单元交替地流动所述第1电流和具有与所述第1电流的极性不同的极性的第4电流，在所述第2动作中，向所述存储单元交替地流动所述第2电流和具有与所述第2电流的极性不同的极性的第5电流，在所述第3动作中，向所述存储单元交替地流动所述第3电流和具有与所述第3电流的极性不同的极性的第6电流。6.根据权利要求5所述的存储器件，所述第4电流、所述第5电流以及所述第6电流各自比所述第1电流和所述第2电流小。7.根据权利要求6所述的存储器件，所述第4电流、所述第5电流以及所述第6电流各自比所述第3电流小。8.根据权利要求5所述的存储器件，流动所述第4电流的期间、流动所述第5电流的期间以及流动所述第6电流的期间各自比流动所述第1电流的期间和流动所述第2电流的期间短。9.根据权利要求8所述的存储器件，流动所述第4电流的期间、流动所述第5电流的期间以及流动所述第6电流的期间各自比流动所述第3电流的期间短。
10.根据权利要求5所述的存储器件，所述控制电路构成为：在所述第1动作中，在所述第1电流之后向所述存储单元流动所述第4电流，在所述第2动作中，在所述第2电流...

【专利技术属性】
技术研发人员：松下直辉，
申请(专利权)人：铠侠股份有限公司，
类型：发明
国别省市：