一种存储单元以及相关设备制造技术

本申请实施例提供了一种存储单元以及相关设备，存储单元中包括的第一MTJ的第一电极通过第一金属线与第二MTJ的第一电极串联，第一MTJ的第一电极与第二MTJ的第一电极为同层电极。其中，不同方向以及不同大小的电流流经第一MTJ以及第二MTJ，会改变第一MTJ和/或第二MTJ的阻值状态。这样，便可以通过第一MTJ与第二MTJ不同阻值的组合实现多态存储，提升了存储器的存储效率。储器的存储效率。储器的存储效率。储器的存储效率。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：秦青，周雪，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：