磁存储器制造技术

本发明专利技术提供磁存储器，具备：电极，沿包含第1方向及与第1方向交叉的第2方向的平面延伸；第1布线，沿第1方向延伸；多个第2布线，配置于电极与第1布线之间，沿第2方向延伸且沿第1方向排列；多个第1磁性部件，与第1布线对应设置，各自具备电连接于第1布线的第1部分和电连接于电极的第2部分，沿与第1方向及第2方向交叉的第3方向从第1部分向第2部分延伸，从第3方向观察时，与多个第2布线中相邻的2个之间对应地分别存在一个第1磁性部件；及控制电路，电连接于电极、第1布线及多个第2布线，在向多个第1磁性部件中的一个写入第1信息时向位于一个第1磁性部件的第1方向的一侧的多个第2布线中的至少2根分别供给第1电流。至少2根分别供给第1电流。至少2根分别供给第1电流。

【技术实现步骤摘要】
磁存储器
[0001]本申请以基于在2021年9月3日申请的在先日本特许申请第2021
‑
144302号的优先权的利益为基础且要求该利益，通过引用而包括其全部内容。


[0002]本专利技术的实施方式涉及磁存储器。

技术介绍

[0003]已知有通过使电流流动于磁性部件而使磁性部件的磁壁移动(移位)的磁存储器。在该磁存储器中，信息向磁性部件的写入，通过使电流流动于场线而由该电流产生的磁场来进行。担心为了写入信息而流动于场线的电流大从而因电迁移导致场线断线。

技术实现思路

[0004]本实施方式提供一种能够抑制场线断线的磁存储器。
[0005]基于本实施方式的磁存储器，具备：电极，沿着包含第1方向及与所述第1方向交叉的第2方向的平面延伸；第1布线，沿着所述第1方向延伸；多个第2布线，配置于所述电极与所述第1布线之间，沿着所述第2方向延伸，沿着所述第1方向排列；多个第1磁性部件，与所述第1布线对应地设置，各第1磁性部件具备电连接于所述第1布线的第1部分和电连接于所述电极的第2部分，沿着与所述第1方向及所述第2方向交叉的第3方向从所述第1部分朝向所述第2部分延伸，在从所述第3方向观察时，与所述多个第2布线中的相邻的2根布线之间相对应地分别存在一个第1磁性部件；以及控制电路，电连接于所述电极、所述第1布线及所述多个第2布线，所述控制电路，在向所述多个第1磁性部件中的一个第1磁性部件写入第1信息的情况下，向位于所述一个第1磁性部件的所述第1方向的一侧的所述多个第2布线中的至少2根布线分别供给第1电流。
[0006]根据上述构成，能够提供一种能够抑制场线断线的磁存储器。
附图说明
[0007]图1是示出一实施方式的磁存储器的俯视图。
[0008]图2是以图1所示的剖切线A
‑
A剖切了的磁存储器的剖视图。
[0009]图3是示出磁性部件的剖视图。
[0010]图4是示出磁隙的一例的剖视图。
[0011]图5是示出磁隙的另一例的剖视图。
[0012]图6是说明一实施方式的磁存储器的写入动作的图。
[0013]图7是说明不分割电流的情况下的写入动作的图。
[0014]图8是说明分割了电流的情况下的写入动作的图。
[0015]图9中，图9A、9B是说明避免轭的饱和的写入动作的图。
[0016]图10中，图10A、10B是说明避免轭的饱和的写入动作的图。
[0017]图11是说明一实施方式的磁存储器的写入中的磁通的预估的图。
[0018]图12是说明存储部阵列的端部处的写入动作的图。
具体实施方式
[0019]以下，参照附图对本专利技术的实施方式进行说明。附图是示意性的或概念性的，各部分的厚度与宽度的关系、部分间的大小的比率等不一定与现实的相同。即使在表示相同部分的情况下，也存在根据附图而彼此的尺寸、比率不同地表示的情况。在本说明书和各图中，对与关于已经出现的图在先描述过的要素同样的要素，标注同一标号并适当省略详细说明。
[0020]以下，参照附图，说明实施方式。
[0021](一实施方式)
[0022]将基于一实施方式的磁存储器的俯视图示于图1，将以图1所示的剖切线A
‑
A剖切了的截面示于图2。本实施方式的磁存储器，具备在将m、n设为自然数时呈m行n列配置的存储部10
ij
(i＝1、
…
、m，j＝1、
…
、n)。此外，在图1中，示出了呈3行5列排列的存储部10
11
～10
35
。
[0023]第i(i＝1、
…
、m)行的存储部10
i1
～10
in
沿着在x方向上延伸的位线BL
i
配置，一端电连接于位线BL
i
。在本说明书中，“A与B电连接”，指的是A与B既可以直接连接，也可以经由导电体而间接地连接。在第i(i＝1、
…
、m)行中，奇数列的存储部10
i1
、10
i3
、
…
与偶数列的存储部10
i2
、10
i4
、
…
在纸面上在上下方向(y方向)上错开配置。例如，偶数列的存储部10
i2
(i＝1、
…
、m)在存储部10
i1
与存储部10
i3
之间且在纸面上向下侧错开配置。通过使用这样的配置，能够将多个存储部稠密地配置，能够进行集成化。
[0024]针对配置于第j(j＝1、
…
、n)列的存储部10
1j
、
…
10
mj
各自，设置有2个场线FL
j
、FL
j+1
。并且，场线FL
j+1
(j＝1、
…
、n
‑
1)配置于第j列的存储部10
ij
(i＝1、
…
、m)与第j+1列的存储部10
ij+1
之间的区域的上方。另外，场线FL
j+1
(j＝1、
…
、n
‑
1)也可以配置成，与第j列的存储部10
ij
(i＝1、
…
、m)各自的一部分重叠，并且与第j+1列的存储部10
ij+1
(i＝1、
…
、m)各自的一部分重叠。
[0025]例如，针对配置于第2列的存储部10
i2
(i＝1、
…
、m)设置有场线FL2和场线FL3。场线FL2配置于第1列的存储部10
i1
(i＝1、
…
、m)与第2列的存储部10
i2
之间的区域的上方。另外，场线FL2也可以配置成，与第1列的存储部10
i1
(i＝1、
…
、m)各自的一部分重叠，并且与第2列的存储部10
i2
(i＝1、
…
、m)各自的一部分重叠。各场线FL
j
(j＝1、
…
、n+1)沿着y方向延伸，与各位线BL
i
(i＝1、
…
、m)交叉。并且，各场线FL
j
(j＝1、
…
、n+1)连接于控制电路100而被控制。另外，各位线BL
i
(i＝1、
…
、m)也连接于控制电路100而被控制。
[0026]如图2所示，在存储部10
ij
(i＝1、
…
、m，j＝1、
…
、n)的上方配置有轭25a。轭25a配置于所有场线FL1～FL
n+1...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种磁存储器，具备：电极，沿着包含第1方向及与所述第1方向交叉的第2方向的平面延伸；第1布线，沿着所述第1方向延伸；多个第2布线，配置于所述电极与所述第1布线之间，沿着所述第2方向延伸且沿着所述第1方向排列；多个第1磁性部件，与所述第1布线对应地设置，各第1磁性部件具备电连接于所述第1布线的第1部分和电连接于所述电极的第2部分，沿着与所述第1方向及所述第2方向交叉的第3方向从所述第1部分朝向所述第2部分延伸，在从所述第3方向观察时，与所述多个第2布线中的相邻的2根布线之间相对应地分别存在一个第1磁性部件；以及控制电路，电连接于所述电极、所述第1布线及所述多个第2布线，所述控制电路，在向所述多个第1磁性部件中的一个第1磁性部件写入第1信息的情况下，向位于所述一个第1磁性部件的所述第1方向的一侧的所述多个第2布线中的至少2根布线分别供给第1电流。2.根据权利要求1所述的磁存储器，在向所述一个第1磁性部件写入第1信息的情况下，向位于所述一个第1磁性部件的所述第1方向的另一侧的所述多个第2布线中的至少1根布线供给方向与所述第1电流不同的第2电流。3.根据权利要求2所述的磁存储器，所述至少1根布线为多根布线。4.根据权利要求1至3中任一项所述的磁存储器，具备：第2磁性部件，连接于所述电极，沿着所述平面延伸，且配置于所述电极与所述多个第2布线之间；第3磁性部件，沿着所述平面延伸，所述多个第2布线位于所述第2磁性部件与所述第3磁性部件之间；多个第4磁性部件，在所述第2磁性部件与所述第3磁性部件之间且与所述多个第1磁性部件对应地配置，沿着所述第3方向延伸；以及非磁性体，配置于所述第1磁性部件的所述第2部分与对应的所述第4磁性部件之间及所述第2部分与所述第3磁性部件之间中的至少一方，所述第4磁性部件及所述第3磁性部件中的至少一方与所述第2部分电连接。5.根据权利要求2或3所述的磁存储器，在将所述第1电流的大小的绝对值设为I1、将所述第2电流的大小的绝对值设为I2、将位于所述一个第1磁性部件的所述第1方向的一侧的第2布线的个数设为k1且将位于另一侧的第2布线的个数设为k2时，满足k1
×
I1＝k2
×
I2。6.根据权利要求5所述的磁存储器，k1＝k2。7.根据权利要求3所述的磁存储器，供给所述第1电流的第2布线位于彼此相邻的位置，供给所述第2电流的第2布线位于彼此相邻的位置。8.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：下村尚治，梅津信之，近藤刚，上田善宽，大寺泰章，山本明人，冈岛睦，门昌辉，中西务，M，
申请(专利权)人：铠侠股份有限公司，
类型：发明
国别省市：