【技术实现步骤摘要】
本技术的实施方式涉及一种半导体装置。
技术介绍
1、在3维半导体存储器的接触区域内形成柱部(梁部)与接触插塞的情况下，担心接触插塞的形状产生异常。
技术实现思路
1、一实施方式提供一种能在接触区域内适当形成插塞的半导体装置。
2、根据一实施方式，半导体装置具备积层膜，所述积层膜在第1方向上交替包含多个第1绝缘膜与多个电极层，且包含第1区域与第2区域。所述装置还具备柱状部，所述柱状部设置在所述第1区域内，在与所述多个电极层的交叉部分设置着多个存储单元。所述装置还具备设置在所述第2区域内，在所述第1方向延伸的柱部。所述装置还具备插塞，所述插塞在所述第2区域内，设置所述多个电极层中的第1电极层上。而且，在所述柱部的第1侧面与所述插塞的第2侧面对向的情况下，所述第2侧面的形状在所述第1侧面的方向上为凹型。
3、根据所述构成，能提供一种能在接触区域内适当形成插塞的半导体装置。
【技术保护点】
1.一种半导体装置，其特征在于具备：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于所述插塞在所述第1方向上贯通比所述多个电极层中的所述第1电极层上方的电极层，且所述半导体装置还具备：
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于所述第1侧面介隔所述第2绝缘膜与所述第2侧面对向。
4.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于在所述第1方向上，所述第2绝缘膜的上端的位置比所述柱部的上端的位置高。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于与所述第1方向垂直的剖面中的所述柱部的形状在所述第1电极层的上表面的上方为圆形...
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于具备：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于所述插塞在所述第1方向上贯通比所述多个电极层中的所述第1电极层上方的电极层，且所述半导体装置还具备：
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于所述第1侧面介隔所述第2绝缘膜与所述第2侧面对向。
4.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于在所述第1方向上，所述第2绝缘膜的上端的位置比所述柱部的上端的位置高。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于与所述第1方向垂直的剖面中的所述柱部的形状在所述第1电极层的上表面的上方为圆形，且在所述第1电极层的上表面的下方为圆形。
6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于所述插塞不与所述柱部相接。
7.根据权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员：永嶋贤史，樫山翔太，井口直，西川拓也，
申请(专利权)人：铠侠股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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