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文档序号:41550829
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根据一实施方式,半导体装置具备积层膜,所述积层膜在第1方向上交替包含多个第1绝缘膜与多个电极层,且包含第1区域与第2区域。所述装置还具备柱状部,所述柱状部设置在所述第1区域内,在与所述多个电极层的交叉部分设置着多个存储单元。所述装置还具备设...
该专利属于铠侠股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过铠侠股份有限公司授权不得商用。
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