老化测试方法、系统与电子设备技术方案

本公开提供一种晶圆老化测试方法、系统与电子设备。晶圆老化测试方法包括：获取目标芯片颗粒的多个测试单元在第i个老化时间段结束时的测试通过率，测试通过率为多个测试单元中测试结果为通过的测试单元的占比，i为大于1的整数；根据目标芯片颗粒在前i个老化时间段对应的测试通过率确定目标芯片颗粒对应的失效分布模型；根据失效分布模型确定目标芯片颗粒对应的目标老化时间；在当前时间小于目标老化时间时，继续对目标芯片颗粒进行下一个老化时间段的电流老化测试，在当前时间大于等于目标老化时间时，停止对目标芯片颗粒进行电流老化测试。本公开实施例可以对每个芯片颗粒确定合适的电流老化时间，进而提高芯片产品的可靠性。性。性。

【技术实现步骤摘要】
老化测试方法、系统与电子设备


[0001]本公开涉及晶圆测试领域，具体而言，涉及一种老化测试方法、系统与电子设备。

技术介绍

[0002]芯片颗粒在使用过程中产生的失效问题不可避免，因此，通常会在晶圆生产完成后对芯片颗粒进行老化测试(burn in，BI测试)，目的是使得品质不好的芯片颗粒在加速老化的测试环境中尽快失效，保留稳定可靠的芯片颗粒。
[0003]现有技术通常通过大量芯片颗粒的实验结果确定一个固定的时间作为老化时间。由于不同的产品存在差异，固定的老化时间不能有效区分芯片颗粒间存在的差异或者生产过程的异常，某些芯片颗粒会出现过度老化或者老化不足的问题，最终导致老化测试无法达到预期的效果。
[0004]需要说明的是，在上述
技术介绍
部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

技术实现思路

[0005]本公开的目的在于提供一种老化测试方法、系统与电子设备，用于至少在一定程度上克服由于相关技术的限制和缺陷而导致的晶圆老化测试过程中不同晶圆和芯片颗粒存在老化不足或过度老化的问题。
[0006]根据本公开实施例的第一方面，提供一种老化测试方法，包括：获取目标芯片颗粒的多个测试单元在第i个老化时间段结束时的测试通过率，所述测试通过率为所述多个测试单元中测试结果为通过的测试单元的占比，i为大于1的整数；根据所述目标芯片颗粒在前i个所述老化时间段对应的测试通过率确定所述目标芯片颗粒对应的失效分布模型；根据所述失效分布模型确定所述目标芯片颗粒对应的目标老化时间；在当前时间小于所述目标老化时间时，继续对所述目标芯片颗粒进行下一个老化时间段的电流老化测试，在所述当前时间大于等于所述目标老化时间时，停止对所述目标芯片颗粒进行电流老化测试。
[0007]在本公开的一种示例性实施例中，所述根据所述目标芯片颗粒在前i个所述老化时间段对应的测试通过率确定所述目标芯片颗粒对应的失效分布模型包括：获取前i个所述老化时间段结束后对应的i个所述测试通过率及所述i个测试通过率对应的测试时间；将所述i个测试通过率以及所述i个测试通过率对应的测试时间带入预设公式以确定所述失效分布模型的常数，所述预设公式至少包括威布尔分布公式，所述失效分布模型是变量为时间的模型；根据所述失效分布模型的常数确定所述失效分布模型。
[0008]在本公开的一种示例性实施例中，所述根据所述失效分布模型确定所述目标芯片颗粒对应的目标老化时间包括：将所述失效分布模型的值等于预设失效概率时对应的时间设置为所述目标老化时间。
[0009]在本公开的一种示例性实施例中，所述根据所述失效分布模型确定所述目标芯片颗粒对应的目标老化时间包括：根据所述失效分布模型的曲线的第一切线确定所述目标老
化时间。
[0010]在本公开的一种示例性实施例中，所述根据所述失效分布模型的曲线的第一切线确定所述目标老化时间包括：将所述第一切线与X轴的第一交点对应的横坐标确定为所述目标老化时间。
[0011]在本公开的一种示例性实施例中，所述根据所述失效分布模型的曲线的第一切线确定所述目标老化时间包括：确定所述第一切线与X轴的第一交点；将所述失效分布模型的曲线上与所述第一交点距离最近的点对应的横坐标确定为所述目标老化时间。
[0012]在本公开的一种示例性实施例中，所述根据所述失效分布模型的曲线的第一切线确定所述目标老化时间包括：确定所述第一切线与X轴的第一交点；将所述失效分布模型的曲线上与所述第一交点距离最近的点对应的横坐标的预设倍数确定为所述目标老化时间。
[0013]在本公开的一种示例性实施例中，所述根据所述失效分布模型的曲线的第一切线确定所述目标老化时间包括：确定所述失效分布模型的曲线的第二切线，所述第二切线与所述失效分布模型的曲线的交点的X坐标大于所述第一切线与所述失效分布模型的曲线的交点的X坐标；确定所述第一切线与所述第二切线的第二交点；将所述第二交点对应的横坐标确定为所述目标老化时间。
[0014]在本公开的一种示例性实施例中，所述根据所述失效分布模型的曲线的第一切线确定所述目标老化时间包括：确定所述失效分布模型的曲线的第二切线，所述第二切线与所述失效分布模型的曲线的交点的X坐标大于所述第一切线与所述失效分布模型的曲线的交点的X坐标；确定所述第一切线与所述第二切线的第二交点；将所述失效分布模型的曲线上与所述第二交点距离最近的点对应的横坐标确定为所述目标老化时间。
[0015]在本公开的一种示例性实施例中，所述根据所述失效分布模型的曲线的第一切线确定所述目标老化时间包括：确定所述失效分布模型的曲线的第二切线，所述第二切线与所述失效分布模型的曲线的交点的X坐标大于所述第一切线与所述失效分布模型的曲线的交点的X坐标；确定所述第一切线与所述第二切线的第二交点；将所述失效分布模型的曲线上与所述第二交点距离最近的点对应的横坐标的预设倍数确定为所述目标老化时间。
[0016]在本公开的一种示例性实施例中，所述目标芯片颗粒的多个测试单元的数量使得当失效概率达到预设值时，置信度大于等于0.95，所述置信度根据失效概率与所述测试单元的数量得到。
[0017]在本公开的一种示例性实施例中，所述目标芯片颗粒为目标晶圆中多个芯片颗粒的一个，所述方法还包括：在所述目标晶圆的所述多个芯片颗粒均达到对应的目标老化时间时，停止对所述目标晶圆进行环境老化测试。
[0018]根据本公开实施例的第二方面，提供一种老化测试系统，包括：测试结果获取部件，设置为获取目标芯片颗粒的多个测试单元在第i个老化时间段结束时的测试通过率，所述测试通过率为所述多个测试单元中测试结果为通过的测试单元的占比，i为大于1的整数；失效模型拟合部件，设置为根据所述目标芯片颗粒在前i个所述老化时间段对应的测试通过率确定所述目标芯片颗粒对应的失效分布模型；老化时间确定部件，设置为根据所述失效分布模型确定所述目标芯片颗粒对应的目标老化时间；老化时间控制部件，设置为在当前时间小于所述目标老化时间时，继续对所述目标芯片颗粒进行下一个老化时间段的电流老化测试，在所述当前时间大于等于所述目标老化时间时，停止对所述目标芯片颗粒进
行电流老化测试。
[0019]根据本公开的第三方面，提供一种电子设备，包括：存储器；以及耦合到所述存储器的处理器，所述处理器被配置为基于存储在所述存储器中的指令，执行如上述任意一项所述的方法。
[0020]根据本公开的第四方面，提供一种计算机可读存储介质，其上存储有程序，该程序被处理器执行时实现如上述任意一项所述的老化测试方法。
[0021]本公开实施例通过根据目标芯片颗粒的多个测试单元在每个老化时间段结束后的测试通过率生成该目标芯片颗粒对应的失效分布模型，继而确定该目标芯片颗粒对应的目标老化时间，根据该目标老化时间确定是否对该目标芯片颗粒继续进行电流老化测试，可以为每个芯片颗粒确定合适的老化时间，避免相关技术中使用统一老化时间造成的部分晶圆或芯片颗粒存在老本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种老化测试方法，其特征在于，包括：获取目标芯片颗粒的多个测试单元在第i个老化时间段结束时的测试通过率，所述测试通过率为所述多个测试单元中测试结果为通过的测试单元的占比，i为大于1的整数；根据所述目标芯片颗粒在前i个所述老化时间段对应的测试通过率确定所述目标芯片颗粒对应的失效分布模型；根据所述失效分布模型确定所述目标芯片颗粒对应的目标老化时间；在当前时间小于所述目标老化时间时，继续对所述目标芯片颗粒进行下一个老化时间段的电流老化测试，在所述当前时间大于等于所述目标老化时间时，停止对所述目标芯片颗粒进行电流老化测试。2.如权利要求1所述的老化测试方法，其特征在于，所述根据所述目标芯片颗粒在前i个所述老化时间段对应的测试通过率确定所述目标芯片颗粒对应的失效分布模型包括：获取前i个所述老化时间段结束后对应的i个所述测试通过率及所述i个测试通过率对应的测试时间；将所述i个测试通过率以及所述i个测试通过率对应的测试时间带入预设公式以确定所述失效分布模型的常数，所述预设公式至少包括威布尔分布公式，所述失效分布模型是变量为时间的模型；根据所述失效分布模型的常数确定所述失效分布模型。3.如权利要求1所述的老化测试方法，其特征在于，所述根据所述失效分布模型确定所述目标芯片颗粒对应的目标老化时间包括：将所述失效分布模型的值等于预设失效概率时对应的时间设置为所述目标老化时间。4.如权利要求1所述的老化测试方法，其特征在于，所述根据所述失效分布模型确定所述目标芯片颗粒对应的目标老化时间包括：根据所述失效分布模型的曲线的第一切线确定所述目标老化时间。5.如权利要求4所述的老化测试方法，其特征在于，所述根据所述失效分布模型的曲线的第一切线确定所述目标老化时间包括：将所述第一切线与X轴的第一交点对应的横坐标确定为所述目标老化时间。6.如权利要求4所述的老化测试方法，其特征在于，所述根据所述失效分布模型的曲线的第一切线确定所述目标老化时间包括：确定所述第一切线与X轴的第一交点；将所述失效分布模型的曲线上与所述第一交点距离最近的点对应的横坐标确定为所述目标老化时间。7.如权利要求4所述的老化测试方法，其特征在于，所述根据所述失效分布模型的曲线的第一切线确定所述目标老化时间包括：确定所述第一切线与X轴的第一交点；将所述失效分布模型的曲线上与所述第一交点距离最近的点对应的横坐标的预设倍数确定为所述目标老化时间。8.如权利要求4所述的老化测试方法，其特征在于，所述根据所述失效分布模型的曲线的第一切线确定所述目标老化时间包括：确定所述失效分布模型的曲线的第二切线，所述第二切线与所述失效分布模型的曲线
的交点的X坐标大于所述第一切线与所述失效分布模型的曲线的交点的...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱凌峰，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：