本发明专利技术公开了半导体存储装置及其操作方法和半导体存储系统。该半导体存储装置包括地址生成电路和操作确定电路。地址生成电路生成与多个字线中的、相邻于已经发生行锤击的字线的另外的字线相对应的刷新目标地址。操作确定电路被配置为通过将行锤击地址与刷新目标地址相比较来生成地址匹配信息。址相比较来生成地址匹配信息。址相比较来生成地址匹配信息。
【技术实现步骤摘要】
半导体存储装置及其操作方法和半导体存储系统
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2021年7月27日在韩国知识产权局提交的申请号为10
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2021
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0098693的韩国申请的优先权，该申请通过引用被整体合并于此。
[0003]各个实施例总体上涉及半导体存储装置及其操作方法和半导体存储系统，并且更具体地涉及能够在行锤击发生时对相邻字线执行刷新操作的半导体存储装置及其操作方法和半导体存储系统。
技术介绍
[0004]通常，半导体存储装置包括大量存储单元以便存储数据。最近，随着电路设计和加工技术逐渐发展，半导体存储装置中所包括的存储单元的数量成指数地增加，而被一个存储单元占据的电路面积趋向于逐渐减小。换句话说，预定面积中所包括的存储单元的数量逐渐增加。
[0005]存储单元连接到字线和位线。半导体存储装置通过激活字线以及经由位线传送/接收数据来执行写入操作和读取操作。写入操作意指在半导体存储装置中接收的来自外部的数据被存储在存储单元中，而读取操作意指向外部设备传送存储在存储单元中的数据。因此，半导体存储装置优先执行对连接到存储单元的字线进行激活的激活操作，以便执行写入操作和读取操作。
[0006]同时，随着存储单元的数量逐渐增加，连接到多个存储单元中的每一个的字线之间的间隔逐渐减小。如上所述，字线基本上通过激活操作来维持激活状态。随后，在写入操作和读取操作之后，字线基本上维持非激活状态。因此，当对特定字线连续地执行写入操作和读取操作时，对应的字线的激活状态和非激活状态不可避免地重复。换句话说，对应的字线在激活状态和非激活状态之间反复地切换。
[0007]随后，对应的字线反复地切换，这导致由于对应的字线的切换而在与对应的字线相邻的字线中产生的耦合现象。在这种情况下，与进行切换的字线相邻的字线需要基本上维持非激活状态，但是由于耦合现象而不能基本上维持稳定的非激活状态。因此，由于该相邻字线具有不稳定的非激活状态，所以存储在连接到该字线的存储单元中的数据基本上不维持正常状态。换句话说，当对特定字线连续地执行写入操作和读取操作时，连接到相邻字线的存储单元具有存储的数据丢失的问题。
[0008]在下文中，为了描述方便起见，由激活操作(例如写入操作、读取操作等)导致的集中于特定字线的现象将被定义为行锤击。当行锤击发生时，半导体存储装置对相邻字线执行刷新操作，以便克服由于行锤击引起的问题。
[0009]同时，当对相邻字线的刷新操作未正确执行时，对应于相邻字线的数据可能丢失。因此，当行锤击发生时，有必要检查对相邻字线的刷新操作是否正确执行。在下文中，为了描述方便起见，经受刷新操作的相邻字线将被称为“刷新目标字线”。
技术实现思路
[0010]根据本公开的实施例的一种半导体存储装置可以包括：地址生成电路，其被配置为生成与多个字线中的、相邻于已经发生行锤击的字线的字线相对应的刷新目标地址；以及操作确定电路，其被配置为通过将刷新目标地址与对应于已经发生行锤击的字线的行锤击地址相比较来生成地址匹配信息。
[0011]根据本公开的实施例的半导体存储装置的操作方法可以包括：检测对多个字线的行锤击；检测与多个字线中的、已经发生行锤击的字线相对应的行锤击地址；生成与相邻于已经发生行锤击的字线的字线相对应的刷新目标地址；对刷新目标地址执行算术运算以及对行锤击地址执行算术运算；以及通过将执行算术运算的步骤的结果相比较来确定是否已经正常生成刷新目标地址。
[0012]根据本公开的实施例的半导体存储系统可以包括：半导体存储装置，其被配置为检测对多个字线的行锤击以生成行锤击检测信号，以及被配置为通过将对应于已经发生行锤击的字线的行锤击地址和与相邻于已经发生行锤击的字线的字线相对应的刷新目标地址相比较来生成地址匹配信息；以及系统控制装置，其被配置为基于行锤击检测信号和地址匹配信息来向半导体存储装置提供刷新目标地址。
附图说明
[0013]图1是示出根据本公开的实施例的半导体存储装置的配置的框图。
[0014]图2是示出图1的操作确定电路的配置的框图。
[0015]图3是示出图1的半导体存储装置的操作方法的流程图。
[0016]图4是示出根据本公开的实施例的半导体存储系统的配置的框图。
[0017]图5是示出图4的系统控制装置的配置的框图。
[0018]图6是示出图5的地址控制电路的配置的框图。
具体实施方式
[0019]本公开描述了关于结构和/或功能描述的实施例。本公开的权利范围不应当被理解为限于说明书中所描述的实施例。也就是说，本公开的权利范围应当被理解为包括可以实现技术精神的等同物，这是因为实施例可以以各种方式被修改并且可以具有各种形式。此外，在本公开中提出的目标或效果不意味着特定实施例应当包括所有目标或效果，或者仅仅包括这种效果。因此，本公开的权利范围不应当被理解为仅限于此。
[0020]应当如下理解在本申请中描述的术语的含义。
[0021]诸如“第一”和“第二”的术语用于将一个元件与另一个元件相区分，并且本公开的保护范围不应当受限于这些术语。例如，第一元件可以被命名为第二元件。同样地，第二元件可以被命名为第一元件。
[0022]除非上下文中另有清楚表述，否则单数的表达应当被理解为包括复数表达。诸如“包括”或“具有”的术语应当被理解为指示存在所设置的特性、数字、步骤、操作、元件、部件，或其组合，不排除可能存在或添加一个或多个其他特性、数字、步骤、操作、元件、部件，或其组合。
[0023]在每一个步骤中，为了描述方便起见而使用符号(例如，a、b和c)，并且符号不描述
步骤的顺序。除非在上下文中清楚描述特定顺序，否则可以以与上下文中所描述的顺序不同的顺序来执行步骤。也就是说，可以根据描述的顺序来执行步骤，可以基本上与描述的顺序同时地执行步骤，或者可以以与描述的顺序相反的顺序来执行步骤。
[0024]除非另外定义，否则在本文使用的包括技术术语或科学术语的所有术语具有与本领域的技术人员通常理解的含义相同的含义。除非在本申请中清楚定义，否则，在常用词典中定义的术语应当被理解为具有与相关技术中的上下文中含义相同的含义，并且不应当被理解为具有理想或过于形式的含义。
[0025]可以提供能够在行锤击发生时检测刷新目标字线的半导体存储装置及其操作方法和半导体存储系统的各个实施例。
[0026]本公开的实施例具有通过稳定地检测刷新目标字线而确保针对行锤击的稳定刷新操作的效果。
[0027]图1是示出根据本公开的实施例的半导体存储装置100的配置的框图。
[0028]参考图1，半导体存储装置100可以包括地址生成电路110和操作确定电路120。
[0029]首先，地址生成电路110可以被配置为生成刷新目标地址ADD_REF，刷新目标地址ADD_REF对应于多个字线WL1、WL2、...WLn(n是自然数)中的、与已本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体存储装置，包括：地址生成电路，其生成与多个字线中的、相邻于已经发生行锤击的字线的另外的字线相对应的刷新目标地址；以及操作确定电路，其通过将所述刷新目标地址与对应于已经发生所述行锤击的所述字线的行锤击地址相比较来生成地址匹配信息。2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，还包括：行锤击检测电路，其在行地址以实质上相同的地址值被输入预设次数时生成所述行锤击地址和行锤击检测信号。3.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中，所述操作确定电路包括：第一运算电路，其对所述刷新目标地址执行算术运算；第二运算电路，其对所述行锤击地址执行算术运算；以及比较电路，其通过将所述第一运算电路的输出值与所述第二运算电路的输出值相比较来生成所述地址匹配信息。4.根据权利要求3所述的半导体存储装置，其中，所述刷新目标地址包括：通过对所述行锤击地址执行对应于
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1的运算所获取的第一刷新目标地址，以及通过对所述行锤击地址执行对应于+1的运算所获取的第二刷新目标地址。5.根据权利要求4所述的半导体存储装置，其中，所述第一运算电路对所述第一刷新目标地址和所述第二刷新目标地址执行加法运算。6.根据权利要求3所述的半导体存储装置，其中，所述第二运算电路对所述行锤击地址和所述行锤击地址自身执行加法运算。7.根据权利要求3所述的半导体存储装置，其中，所述操作确定电路还包括：第一锁存电路，其基于第一控制信号来锁存所述刷新目标地址；第二锁存电路，其基于第二控制信号来锁存所述刷新目标地址；以及第三锁存电路，其基于所述行锤击检测信号来锁存所述行锤击地址。8.根据权利要求7所述的半导体存储装置，其中，所述第一控制信号和所述第二控制信号基于刷新命令信号被顺序地激活。9.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中，所述地址生成电路基于所述地址匹配信息再次生成所述刷新目标地址。10.一种半导体存储装置的操作方法，所述操作方法包括：检测对多个字线的行锤击；检测与所述多个字线中的、已经发生所述行锤击的字线相对应的行锤击地址；生成与相邻于已经发生所述行锤击的所述字线的字线相对应的刷新目标地址；对所述刷新目标地址执行算术运算以及对所述行锤击地址执行算术运算；以及通过将所述算术运算的结果相比较来确定是否已经正常生成所述刷新目标地址。11.根据权利要求10所述的操作方法，其中，在执行所述算术运算中，执行加法运算。12.根据...
【专利技术属性】
技术研发人员：林重昊，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：
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