访问字线的方法及字线解码电路结构技术

本发明专利技术提供的一种访问字线的方法，包括：将处理后的输入行地址，传输至第一解码电路，并同步输入行熔断电路，产生相应的标志信号和冗余地址；将所述冗余地址传输至第二解码电路，并同时将所述标志信号作为使能信号分别传输到所述第一解码电路和所述第二解码电路中，解码得到最终字线地址；其中所述第一解码电路用于解码正常地址，第二解码电路用于解码冗余地址。既能减少面积的占用又减少字线访问时间，利于提高芯片面积利用率和DRAM的工作效率。本发明专利技术提供的字线解码电路结构具有相应优势。势。势。

【技术实现步骤摘要】
访问字线的方法及字线解码电路结构


[0001]本专利技术属于半导体集成电路
，尤其涉及一种访问字线的方法及相应的字线解码电路结构。

技术介绍

[0002]DRAM（Dynamic Random Access Memory），即动态随机存取存储器，是最为常见的系统内存。一个DRAM存储阵列的配置，是包括多条沿存储阵列的行列连接布置的字线和位线，以及在字线和位线相交节点上逐个配置的存储电容在内的阵列结构。存储电容用于存储电荷，其存在满电状态和空置状态。通常，存储电容被充满电荷时的状态，用来表征二进制的1，存储电容的空置状态，也即未充电装备状态，被用来表征二进制的0。这样，通过存储阵列中的若干存储电容来存储二进制数据。
[0003]随着DRAM的制作体积不断缩小以及存储容量的不断增加，量产出的DRAM芯片中往往存在失效单元。为使DRAM能够正常使用，芯片设计中包含了冗余单元，冗余单元用于失效的单元的修复，以达到量产合格DRAM的目的。一个冗余单元由行冗余（字线冗余）和列冗余（位线冗余）来访问，字线控制存储电容中的数据传输到位线上，而字线本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.访问字线的方法，其特征在于：包括：将处理后的输入行地址，传输至第一解码电路，并同步输入行熔断电路，产生相应的标志信号和冗余地址；将所述冗余地址传输至第二解码电路，并同时将所述标志信号作为使能信号分别传输到所述第一解码电路和所述第二解码电路中，解码得到最终字线地址；其中所述第一解码电路用于解码正常地址，第二解码电路用于解码冗余地址。2.根据权利要求1所述的访问字线的方法，其特征在于：处理后的输入行地址是指将所述输入行地址经过行锁存电路进行锁存后得到的锁存行地址。3.根据权利要求2所述的访问字线的方法，其特征在于：所述传输至第一解码电路之前，所述锁存行地址输入行预解码电路进行解码。4.根据权利要求2所述的访问字线的方法，其特征在于：所述产生相应的标志信号和冗余地址的过程包括：将所述锁存行地址与存储在所述行熔断电路中的地址相比较，若地址匹配，行熔断电路会产生第一电平的所述标志信号和对应的冗余地址；若不匹配，则所述行熔断电路产生第二电平的所述标志信号和无效的冗余地址；所述第一电平和所述第二电平中，一个为高电平时另一个为低电平。5.根据权利要求1
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4任一项所述的访问字线的方法，其特征在于：所述解码得到最...

【专利技术属性】
技术研发人员：亚历山大，喻文娟，
申请(专利权)人：浙江力积存储科技有限公司，
类型：发明
国别省市：