一种晶圆激光解键合的台面制造技术

本实用新型专利技术涉及圆晶加工设备技术领域，具体为一种晶圆激光解键合的台面，包括底座，所述底座的顶部安装有承载架，所述承载架的顶部安装有承载台面，所述承载台面包括上中下三层结构，上层为多孔陶瓷，下层为支撑板，中层为圆柱体，所述圆柱体的顶部表面开设有两个环形槽。该晶圆激光解键合的台面中，通过其中设置的多孔陶瓷可以均匀导真空，吸附固定晶圆；通过其中设置的多孔陶瓷可以均匀导真空，吸附固定晶圆；设置8英寸区域的多孔陶瓷和12英寸区域的多孔陶瓷，保证真空可以分开控制，避免晶圆变形；设置上下移动的带吸嘴的负压泵，既可以吸附晶圆，防止晶圆移动，又可以为机械手取放晶圆提供空间，从而保证晶圆固定，避免晶圆变形。变形。变形。

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆激光解键合的台面


[0001]本技术涉及圆晶加工设备
，具体地说，涉及一种晶圆激光解键合的台面。

技术介绍

[0002]现在半导体封装技术发展很快，对产品的尺寸及成本控制的要求越来越高。为了适应封装尺寸的小型化，开发出了晶圆级封装技术。晶圆级封装就是以晶圆片为加工对象，在晶圆片上同时对多个芯片进行全部的封装，最后再切割成单个器件，使用时直接贴装到基板或印刷电路板上。由于晶圆级封装的封装尺寸与基板或印刷电路板上安装面积相同，所以晶圆级封装通常被认为是集成电路封装的最终形式。华为新开发的双芯堆叠技术就是晶圆级封装的一种形式。为了适应晶圆级封装，需要先把晶圆通过胶层固定到载板上，为了后继续工序的更好处理，一般载板为玻璃圆片，然后再在晶圆上进行堆叠建设及封装，等封装完成后还需要去掉载板，去掉载板的过程就是解键合的过程。现在最新型的解键合方法是通过激光来使晶圆和载板之间的胶层硬化，失去粘性，从而使载板和晶圆分离，激光解键合时就需要特殊的台面。这个台面需要满足以下几个方面的要求：台面要能兼容8英寸、及12英寸的晶圆；台面要能通过真空吸附8英寸、12英寸的晶圆，而且真空还不能相互干扰；台面的平整度要小于5um；台面要能实现晶圆的升降。
[0003]公开号为CN112967993A公开了一种晶圆的解键合方法，所述晶圆的解键合方法包括如下步骤：(1)将键合的晶圆输入清洗腔；(2)使用清洗腔中的喷嘴头对准所述键合的晶圆的边缘，喷出溶剂；(3)去除所述键合的晶圆的边缘溢胶；(4)对步骤(3)得到的键合的晶圆进行干燥；(5)将干燥后的键合的晶圆输入激光扫射平台进行解键合；步骤(2)中所述喷嘴头的压力为0.1
‑
10MPa。本专利技术所述晶圆的解键合方法中通过调整清洗腔中的喷嘴头的压力，使其对准边缘溢胶喷出适量的溶剂溶解边缘溢胶并去除，整个工艺过程简单，耗时短，利于提高晶圆的生产效率。
[0004]虽然该技术方案通过调整清洗腔中的喷嘴头的压力，使其对准边缘溢胶喷出适量的溶剂溶解边缘溢胶并去除，整个工艺过程简单，耗时短，利于提高晶圆的生产效率，但是市场上相类似的晶圆激光解键台面都是采用合金材料加真空吸盘的方式，台面尺寸远小于8金属晶圆的台面，台面支撑晶圆，在台面上均匀布置几个真空导孔，导孔上安装的真空吸嘴，吸嘴通过导孔传过来的负压吸附晶圆，这种台面的缺点：台面尺寸小于晶圆载片，如果晶圆载片有变形，则不能通过真空吸力消除变形，变形的载片会影响整个晶圆的平整度，从而影响到激光的解键合效果；吸嘴接触产品的位置受力，载片也会产生局部变形，在激光解键合后会在晶圆上容易留有印痕。

技术实现思路

[0005]本技术的目的在于提供一种晶圆激光解键合的台面，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0006]为实现上述目的，本技术提供了一种晶圆激光解键合的台面，包括底座，所述底座的顶部安装有承载架，所述承载架的顶部安装有承载台面，所述承载台面包括上中下三层结构，上层为多孔陶瓷，下层为支撑板，中层为圆柱体，所述圆柱体的顶部表面开设有两个环形槽，分别为内环槽和外环槽，所述圆柱体的表面中心处开设有三个通孔，所述内环槽和外环槽的内部表面均开设有若干真空导槽，所述真空导槽的底部开设有若干真空孔。
[0007]作为优选，所述外环槽的内圈直径为12英寸，所述内环槽的内圈直径为8英寸。
[0008]作为优选，所述真空导槽为网格状排列设置。
[0009]作为优选，所述圆柱体通过螺栓安装在支撑板上。
[0010]作为优选，所述底座的底部安装有底板。
[0011]作为优选，所述内环槽和外环槽的上部均镶嵌有环形的多孔陶瓷。
[0012]作为优选，所述真空孔的底端连接有真空管道，所述底座的内部安装有气缸，所述气缸的顶部输出轴安装有连杆，所述连杆的顶端安装有负压泵，所述负压泵的顶端安装有吸嘴，所述吸嘴位于通孔内。
[0013]与现有技术相比，本技术的有益效果：
[0014]该晶圆激光解键合的台面中，通过其中设置的多孔陶瓷可以均匀导真空，吸附固定晶圆；设置8英寸区域的多孔陶瓷和12英寸区域的多孔陶瓷，保证真空可以分开控制，避免晶圆变形；设置上下移动的带吸嘴的负压泵，既可以吸附晶圆，防止晶圆移动，又可以为机械手取放晶圆提供空间，从而保证晶圆固定，避免晶圆变形。
附图说明
[0015]图1为本技术的整体结构示意图；
[0016]图2为本技术的爆炸结构示意图；
[0017]图3为本技术中承载台面的爆炸结构示意图；
[0018]图4为本技术中底座的结构示意图。
[0019]图中各个标号意义为：
[0020]1、底座；11、底板；12、气缸；13、连杆；14、负压泵；15、吸嘴；2、承载架；3、承载台面；31、支撑板；32、圆柱体；321、外环槽；322、内环槽；323、通孔；324、真空导槽；325、真空孔；33、多孔陶瓷。
具体实施方式
[0021]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0022]在本技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的设备或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。
[0023]实施例1
[0024]本技术提供一种晶圆激光解键合的台面，如图1
‑
图4所示，包括底座1，底座1的顶部安装有承载架2，承载架2的顶部安装有承载台面3，承载台面3包括上中下三层结构，上层为多孔陶瓷33，可以均匀导真空，吸附固定晶圆，下层为支撑板31，中层为圆柱体32，圆柱体32的顶部表面开设有两个环形槽，分别为内环槽322和外环槽321，分别固定两个多孔陶瓷，圆柱体32的表面中心处开设有三个通孔323，内环槽322和外环槽321的内部表面均开设有若干真空导槽324，真空导槽324的底部开设有若干真空孔325，用于进行抽真空。
[0025]本实施例中，外环槽321的内圈直径为12英寸，内环槽322的内圈直径为8英寸，保证真空可以分开控制。
[0026]具体的，真空导槽324为网格状排列设置，保证均匀吸附。
[0027]进一步的，圆柱体32通过螺栓安装在支撑板31上，方便圆柱体32的固定。
[0028]进一步的，底座1的底部安装有底板11，保证底座1底部的密封。...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆激光解键合的台面，包括底座(1)，其特征在于：所述底座(1)的顶部安装有承载架(2)，所述承载架(2)的顶部安装有承载台面(3)，所述承载台面(3)包括上中下三层结构，上层为多孔陶瓷(33)，下层为支撑板(31)，中层为圆柱体(32)，所述圆柱体(32)的顶部表面开设有两个环形槽，分别为内环槽(322)和外环槽(321)，所述圆柱体(32)的表面中心处开设有三个通孔(323)，所述内环槽(322)和外环槽(321)的内部表面均开设有若干真空导槽(324)，所述真空导槽(324)的底部开设有若干真空孔(325)。2.根据权利要求1所述的晶圆激光解键合的台面，其特征在于：所述外环槽(321)的内圈直径为12英寸，所述内环槽(322)的内圈直径为8英寸。3.根据权利要求1所述的晶圆激光解键合的台面，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈志平，叶家焱，范亚飞，杨晓岗，王孝军，
申请(专利权)人：允哲半导体科技浙江有限公司，
类型：新型
国别省市：