【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及晶圆，特别涉及一种晶圆贴膜方法及装置。
技术介绍
1、晶圆切割是将晶圆上的每一颗晶粒加以切割分离，而切割前需要在晶圆的非电路板面(背面)贴上一层保护膜(切割膜或切割保护膜)，之后再将其送至晶圆切割机加以切割。切割完后，一颗颗的晶粒会井然有序的排列黏贴在胶带上，同时由于框架的支撑可避免晶粒因胶带皱褶而产生碰撞。
2、目前，常规的贴膜方式有真空贴膜和滚压贴膜两种，滚压贴膜是指将晶圆电路板面(正面)朝下放置，将薄膜覆盖于晶圆上表面(即背面)，然后利用辊轮辊压实现贴膜。真空贴膜是将切割膜与晶圆放置在真空腔内，利用抽真空的方式使得膜和晶圆贴合。
3、专利cn218849428u公开了一种用于晶圆贴膜的真空装置，包括真空腔体和密封盖，真空腔体上方设有环形台面，环形台面上设有片环安置槽；所述环形台面中间设有可升降的晶圆吸附台面；密封盖上设有驱使密封盖移动的第一升降组件，密封盖可与真空腔体紧密固定，以环形台面为界，朝向密封盖一侧为上腔体，环形台面另一侧为下腔体；所述上腔体、下腔体分别连接一真空设备，上腔体的压力小于下腔体的压力。使用时，晶圆的中心位置先与切割膜接触，随着晶圆的上升，与切割膜的接触面慢慢向外扩散，直至晶圆与切割膜完全贴合；随后，瞬间释放大气压，利用大气压将晶圆与切割膜之间的气泡排掉，完成贴膜操作。但这种真空贴膜的贴膜效率比较低下，且当晶圆出现翘曲时，膜与晶圆无法很好地贴合，导致贴膜效果差，影响晶圆后续加工工序。
技术实现思路
1、为了解决上述问题
2、为此，本专利技术的技术方案是：一种晶圆贴膜方法，将晶圆、贴好膜的片环依次放入真空腔体内，抽真空后，利用滚轮辅助膜与晶圆贴合。
3、在上述方案的基础上并作为上述方案的优选方案：初始阶段，晶圆与贴好膜的片环之间存在高度差；抽真空后，晶圆上移至上表面与片环上表面持平，片环位于滚轮的滚压范围内。
4、在上述方案的基础上并作为上述方案的优选方案：所述滚轮为长筒状结构，滚压范围覆盖晶圆和片环。
5、在上述方案的基础上并作为上述方案的优选方案：所述滚轮沿晶圆边缘滚压一圈，滚压范围仅包括晶圆边缘的无效区域和片环。
6、在上述方案的基础上并作为上述方案的优选方案：初始阶段，将晶圆放置在上升的晶圆吸附台面上，然后晶圆吸附台面下降，将贴好膜的片环放置在片环安置槽内，此时晶圆低于贴好膜的片环；开始抽真空，当真空值达到设定值后，晶圆吸附台面上升，使得晶圆上表面和片环上表面持平，滚轮开始滚压；滚压完成后，释放真空，利用大气压将膜与晶圆压在一起。
7、本专利技术的另一个技术方案是：一种晶圆贴膜装置，包括真空机构，真空机构内部设有滚压机构。
8、在上述方案的基础上并作为上述方案的优选方案：所述真空机构包括真空腔体和密封盖，两者密封配合，所述滚压机构位于密封盖内侧，滚压机构包括滚轮以及驱使滚轮移动的驱动组件。
9、在上述方案的基础上并作为上述方案的优选方案：所述滚轮为长筒状结构，滚轮两端转动安装在滚轮支架上，所述驱动组件带动滚轮支架平移，滚轮在片环、晶圆上方滚压。
10、在上述方案的基础上并作为上述方案的优选方案：所述滚轮转动安装在滚轮支架上，驱动组件带动滚轮支架转动，滚轮沿晶圆边缘滚压一圈。
11、在上述方案的基础上并作为上述方案的优选方案：所述真空腔体上方设有环形台面，环形台面上设有片环安置槽；所述环形台面中间设有可升降的晶圆吸附台面。
12、与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：
13、1、在真空腔体内设置滚压机构，利用滚轮来辅助真空贴膜，无论晶圆是否翘曲，都可与膜初步贴合，加快贴膜效率，集真空贴膜与滚压贴膜的优点为一体。
14、2、使用硬质滚轮进行滚压时，晶圆上表面与片环上表面齐平，滚轮滚膜时滚轮滚过片环上表面，不会硬挤压晶圆，避免造成晶圆损伤，降低晶圆次品率。
15、3、滚轮可设置成环绕晶圆边缘移动一圈，使得滚轮的滚压范围仅包括晶圆边缘的无效区域和片环，不会接触到晶圆内部有效区，既能实现非接触晶圆贴膜，又可加快非接触晶圆贴膜效率。
16、4、真空腔体的真空度不需要到极限真空，真空度达到100pa下就可以贴膜，相较于现有真空贴膜要求的20pa真空值，省去了100pa到20pa的抽真空工序，大幅减少了抽真空的时间，大幅提高了工作效率。
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1.一种晶圆贴膜方法，其特征在于：将晶圆、贴好膜的片环依次放入真空腔体内，抽真空后，利用滚轮辅助膜与晶圆贴合。
2.如权利要求1所述的一种晶圆贴膜方法，其特征在于：初始阶段，晶圆与贴好膜的片环之间存在高度差；抽真空后，晶圆上移至上表面与片环上表面持平，片环位于滚轮的滚压范围内。
3.如权利要求1所述的一种晶圆贴膜方法，其特征在于：所述滚轮为长筒状结构，滚压范围覆盖晶圆和片环。
4.如权利要求1所述的一种晶圆贴膜方法，其特征在于：所述滚轮沿晶圆边缘滚压一圈，滚压范围仅包括晶圆边缘的无效区域和片环。
5.如权利要求1所述的一种晶圆贴膜方法，其特征在于：初始阶段，将晶圆放置在上升的晶圆吸附台面上，然后晶圆吸附台面下降，将贴好膜的片环放置在片环安置槽内，此时晶圆低于贴好膜的片环；开始抽真空，当真空值达到设定值后，晶圆吸附台面上升，使得晶圆上表面和片环上表面持平，滚轮开始滚压；滚压完成后，释放真空，利用大气压将膜与晶圆压在一起。
6.一种晶圆贴膜装置，包括真空机构，其特征在于：真空机构内部设有滚压机构。
7.如权利要求
8.如权利要求6所述的一种晶圆贴膜装置，其特征在于：所述滚轮为长筒状结构，滚轮两端转动安装在滚轮支架上，所述驱动组件带动滚轮支架平移，滚轮在片环、晶圆上方滚压。
9.如权利要求6所述的一种晶圆贴膜装置，其特征在于：所述滚轮转动安装在滚轮支架上，驱动组件带动滚轮支架转动，滚轮沿晶圆边缘滚压一圈。
10.如权利要求6所述的一种晶圆贴膜装置，其特征在于：所述真空腔体上方设有环形台面，环形台面上设有片环安置槽；所述环形台面中间设有可升降的晶圆吸附台面。
...【技术特征摘要】
1.一种晶圆贴膜方法，其特征在于：将晶圆、贴好膜的片环依次放入真空腔体内，抽真空后，利用滚轮辅助膜与晶圆贴合。
2.如权利要求1所述的一种晶圆贴膜方法，其特征在于：初始阶段，晶圆与贴好膜的片环之间存在高度差；抽真空后，晶圆上移至上表面与片环上表面持平，片环位于滚轮的滚压范围内。
3.如权利要求1所述的一种晶圆贴膜方法，其特征在于：所述滚轮为长筒状结构，滚压范围覆盖晶圆和片环。
4.如权利要求1所述的一种晶圆贴膜方法，其特征在于：所述滚轮沿晶圆边缘滚压一圈，滚压范围仅包括晶圆边缘的无效区域和片环。
5.如权利要求1所述的一种晶圆贴膜方法，其特征在于：初始阶段，将晶圆放置在上升的晶圆吸附台面上，然后晶圆吸附台面下降，将贴好膜的片环放置在片环安置槽内，此时晶圆低于贴好膜的片环；开始抽真空，当真空值达到设定值后，晶圆吸附台面上升，使得晶圆上表面和片环上表面持平，滚轮开始...
【专利技术属性】
技术研发人员：王孝军，范亚飞，袁泉，叶家焱，牛作艳，陈志平，
申请(专利权)人：允哲半导体科技浙江有限公司，
类型：发明
国别省市：
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