【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及siw双工器，具体为一种垂直堆叠结构的微型siw双工器。
技术介绍
1、siw双工器是异频双工电台，中继台的主要配件，其作用是将发射和接收讯号相隔离，保证接收和发射都能同时正常工作。它是由两组不同频率的带通滤波器组成。基片集成波导(siw)技术作为近些年微波无源方向的新兴和热点技术之一。基片集成波导滤波器是一种在介质基片上实现的滤波器，它的性能类似矩形波导滤波器，但却属于平面电路。它具有品质因数高，功率容量大，易于加工，易于集成等特点。基于基片集成波导siw谐振腔的滤波器具有微带滤波器的易于与系统集成和小型化的优点，同时也兼顾了波导滤波器高q值(即低插损)、功率容量高的优势，因此基片集成波导siw滤波器十分适用于在毫米波系统中的应用。基片集成波导(siw)微波滤波器是通信系统和无线系统中常用的元器件之一，其性能的优劣直接影响到整个系统的质量。基片集成波导siw其基本结构为在低损耗介质基板上下两面覆以金属层，基板两侧加以金属化通孔。siw具有矩形波导和微带线的优点，即具有低损耗、高q值、高功率容量、小型化和易于集成等优点，同时能通过现有的pcb或ltcc工艺来制作。
2、但是siw双工器件在传输过程中会存在反射损耗，这可能会导致其中一条传输线上的信号被反射回来并干扰另一条传输线上的信号。这些干扰会导致传输效率下降，信号品质降低。因此，现有的siw双工器件需要改进以减少反射损耗，提高传输效率和信号质量。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种垂直堆叠结
2、为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种垂直堆叠结构的微型siw双工器，包括从下至上层叠设置的第一金属贴片、介质基板、第二金属贴片、第一微带siw滤波器、第二微带siw滤波器；
3、所述介质基板上设置有矩形通孔阵列、以连接所述第一微带siw滤波器和所述第二微带siw滤波器，所述第一微带siw滤波器和所述第二微带siw滤波器采用了矩形排列的通孔阵列构成的siw谐振腔垂直堆叠的结构，所述通孔阵列使所述第一金属贴片和所述第二金属贴片相互连接，第一微带siw滤波器位于第一金属贴片下方而第二微带siw滤波器位于第二金属贴片上方；
4、第一微带siw滤波器和所述第二微带siw滤波器分别连接所述第一金属贴片和所述第二金属贴片上，所述第一微带siw滤波器、所述第二微带siw滤波器和之间相耦合，所述第一微带siw滤波器、所述第二微带siw滤波器在所述介质基板中形成可切换的混合式耦合结构。
5、其中，所述可切换的混合式耦合结构能降插入损耗和反射损耗；
6、可选的，所述第一金属贴片的顶层开设有第一线槽，所述第一线槽的横截面为“凹”字形结构，第一线槽的两段之间设置有pin二极管，所述第一线槽的一侧延长开设有开口，所述第一线槽内设置有和所述第一微带siw滤波器之间耦合的第一波导传输线，所述第一波导传输线通过所述第一微带siw滤波器的输入延出。
7、可选的，所述第二金属贴片底层有一个l形横截面的第二线槽，第二线槽的两段之间设置有pin二极管，其中一个侧面开有一个开口；所述第二线槽内设置了一条与所述第二微带siw滤波器之间耦合的第二波导传输线，所述第二波导传输线从所述第二微带siw滤波器的输入端出发并延伸到所述第二线槽的开口处。
8、可选的，第一波导传输线和第二波导传输线延伸处开口段经过弯折均u型结构并传输到信号发生端面。
9、可选的，所述siw双工器能通过多种加工工艺实现，加工工艺包括但不限于mems微机电系统、高温共烧陶瓷htcc、和多层印刷电路板。
10、可选的，所述第一线槽和所述第二线槽的的槽口处均覆盖一片金属，通过覆盖的金属配合波导传输线的接触形成反射衰减结构。
11、可选的，所述第一微带siw滤波器和所述第二微带siw滤波器中的信号通过各层siw矩形谐振腔间的耦合缝隙进行垂直耦合传输。
12、与现有技术相比，本专利技术具备以下有益效果：本专利技术通过利用微带滤波器对电磁波进行筛选和耦合，可以实现滤波和耦合的一体化设计。通过切换不同的微带滤波器，可以实现不同频段的选择和调整，同时还可以减少信号的误差和干扰。这种可切换的混合式耦合结构可以提高siw双工器的可靠性和性能。
13、本专利技术通过形成反射衰减结构和可切换的混合式耦合结构，而反射衰减结构可以有效地降低器件内部的反射损耗，使得信号的传输效率更高。混合式耦合结构的可切换性质能够根据需要改变耦合程度，从而进一步降低器件反射损耗，更具体的说，反射衰减结构和可切换的混合式耦合结构的混合结构可以实现反射衰减结构和可切换的混合式耦合结构的混合结构可以实现更精确的功率控制、更广泛的频率范围、更大的带宽。
14、上述概述仅仅是为了说明书的目的，并不意图以任何方式进行限制。除上述描述的示意性的方面、实施方式和特征之外，通过参考附图和以下的详细描述，本专利技术进一步的方面、实施方式和特征将会是容易明白的
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1.一种垂直堆叠结构的微型SIW双工器，其特征在于：包括从下至上层叠设置的第一金属贴片(1)、介质基板(2)、第二金属贴片(3)、第一微带SIW滤波器(4)、第二微带SIW滤波器(5)；
2.根据权利要求1所述的一种垂直堆叠结构的微型SIW双工器，其特征在于：所述第一金属贴片(1)的顶层开设有第一线槽(7)，所述第一线槽(7)的横截面为“凹”字形结构，第一波导传输线(9)的两段之间设置有第一PIN二极管(8)，所述第一线槽(7)的一侧延长开设有开口，所述第一线槽(7)内设置有和所述第一微带SIW滤波器(4)之间耦合的第一波导传输线(9)，所述第一波导传输线(9)通过所述第一微带SIW滤波器(4)的输入延出。
3.根据权利要求2所述的一种垂直堆叠结构的微型SIW双工器，其特征在于：所述第二金属贴片(3)底层有一个L形横截面的第二线槽(10)，第二波导传输线(12)的两段之间设置有第二PIN二极管(11)，其中一个侧面开有一个开口；所述第二线槽(10)内设置了一条与所述第二微带SIW滤波器(5)之间耦合的第二波导传输线(12)，所述第二波导传输线(12)从所述
4.根据权利要求3所述的一种垂直堆叠结构的微型SIW双工器，其特征在于：第一波导传输线(9)和第二波导传输线(12)延伸出开口将信号传输到信号接收设备。
5.根据权利要求4所述的一种垂直堆叠结构的微型SIW双工器，其特征在于：所述SIW双工器能通过多种加工工艺实现，加工工艺包括但不限于MEMS微机电系统、高温共烧陶瓷HTCC、和多层印刷电路板。
6.根据权利要求5所述的一种垂直堆叠结构的微型SIW双工器，其特征在于：所述第一线槽(7)和所述第二线槽(10)的的槽口处均覆盖有金属片(13)，通过覆盖的金属配合波导传输线的接触形成反射衰减结构。
7.根据权利要求6所述的一种垂直堆叠结构的微型SIW双工器，其特征在于：所述第一微带SIW滤波器(4)和所述第二微带SIW滤波器(5)中的信号通过各层SIW矩形谐振腔间的耦合缝隙进行垂直耦合传输。
...【技术特征摘要】
1.一种垂直堆叠结构的微型siw双工器，其特征在于：包括从下至上层叠设置的第一金属贴片(1)、介质基板(2)、第二金属贴片(3)、第一微带siw滤波器(4)、第二微带siw滤波器(5)；
2.根据权利要求1所述的一种垂直堆叠结构的微型siw双工器，其特征在于：所述第一金属贴片(1)的顶层开设有第一线槽(7)，所述第一线槽(7)的横截面为“凹”字形结构，第一波导传输线(9)的两段之间设置有第一pin二极管(8)，所述第一线槽(7)的一侧延长开设有开口，所述第一线槽(7)内设置有和所述第一微带siw滤波器(4)之间耦合的第一波导传输线(9)，所述第一波导传输线(9)通过所述第一微带siw滤波器(4)的输入延出。
3.根据权利要求2所述的一种垂直堆叠结构的微型siw双工器，其特征在于：所述第二金属贴片(3)底层有一个l形横截面的第二线槽(10)，第二波导传输线(12)的两段之间设置有第二pin二极管(11)，其中一个侧面开有一个开口；所述第二线槽(10)内设置了一条与所述第二微带siw滤波器(5)之间...
【专利技术属性】
技术研发人员：李秋香，欧洋，吴爽，
申请(专利权)人：成都贡爵微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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