一种基于磁通分流原理的混合磁路铁心的工频电抗器制造技术

本发明专利技术涉及一种基于磁通分流原理的混合磁路铁心的工频电抗器，属于电抗器技术领域。包括上轭、下轭和三根芯柱，三根芯柱上绕设有铜线圈。上轭和下轭材料均为硅钢，每根芯柱由铁硅软磁柱和硅钢管构成，铁硅软磁柱材料为铁硅软磁复合材料，磁导率26～90μ；硅钢管材料为无取向硅钢，硅钢管包裹住铁硅软磁柱，且铁硅软磁柱和硅钢管均为绝缘状态，形成并联结构。每根铁硅软磁柱沿长度分为三段铁硅软磁柱段，相邻铁硅软磁柱段之间和上轭、下轭与三根芯柱的连接端之间均设有气隙片，所述工频电抗器在额定电压220V、额定电抗14.5Ω的条件下，噪音为55～61dB，损耗为118～123W。本发明专利技术通过两种材料的组合，及调节气隙片厚度实现灵活调节电抗器的电感量与损耗。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于电抗器，具体涉及一种基于磁通分流原理的混合磁路铁心的工频电抗器。

技术介绍

1、干式铁心电抗器常见的结构形式为三相三芯柱，包括上轭、下轭与芯柱，芯柱包括两只边柱与一只中柱。目前，电网在工频使用的干式铁心电抗器的上轭、下轭与芯柱材质均为硅钢，由于硅钢磁导率较高易被磁化饱和，因此通常在芯柱中的不同位置以及上下轭与芯柱之间设置一些较大的气隙来提高硅钢铁心的抗饱和能力，但气隙处的漏磁会产生额外的损耗，同时气隙两端铁心的电磁力还会引起铁心振动产生很大的噪声。为了降低电抗器的损耗与振动噪声，可以减小气隙，但单一减小气隙会降低磁阻，易造成电抗器初始电感量过高而负载电感量又过低的问题。

2、铁硅软磁复合材料具有较高的饱和磁通密度，同时具有远高于硅钢的电阻率与抗饱和能力，已在高频大功率应用领域替代硅钢作为电抗器铁心，大幅减小了铁心气隙，降低了电抗器漏磁与振动噪声。但在工频条件下，由于铁硅软磁复合材料的磁导率不高，一般最高只能达到90μ，因此单一使用该材料替代硅钢制作电抗器铁心，会遇到初始电感量过低且同等磁通密度下的铁心磁滞损耗远高于硅钢的问题。因此本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种混合磁路铁心的工频电抗器，包括上轭、下轭、三根均布在上轭和下轭之间的三根芯柱，三根芯柱分别为中间芯柱和两根边芯柱，且横截面积相同，三根芯柱上分别绕制有铜线圈，所述上轭和下轭的材料均为硅钢，其特征在于：

2.根据权利要求1所述一种混合磁路铁心的工频电抗器，其特征在于：所述铁硅软磁柱的横截面积为芯柱总截面积的20～40%。

3.根据权利要求1所述一种混合磁路铁心的工频电抗器，其特征在于：所述相邻铁硅软磁柱段之间的气隙片的厚度为0.4～0.8mm。

4.根据权利要求1所述一种混合磁路铁心的工频电抗器，其特征在于：位于芯柱两端的铁硅软磁柱与上轭、下轭之...

【技术特征摘要】

1.一种混合磁路铁心的工频电抗器，包括上轭、下轭、三根均布在上轭和下轭之间的三根芯柱，三根芯柱分别为中间芯柱和两根边芯柱，且横截面积相同，三根芯柱上分别绕制有铜线圈，所述上轭和下轭的材料均为硅钢，其特征在于：

2.根据权利要求1所述一种混合磁路铁心的工频电抗器，其特征在于：所述铁硅软磁柱的横截面积为芯柱总截面积的20～40%。

3.根据权利要求1所述一种混合磁路铁心的工频电抗器，其特征在于：所述相邻铁硅软磁柱段之间的气隙片的厚度为0.4～0.8mm。

4.根据权利要求1所述一种混合磁路铁心的工频电抗器，其特征在于：位于芯柱两端的铁硅软磁柱与上轭、下轭之间的气隙片的厚度为1～2mm。

5.根据权利要求1所述一种混合磁...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐涛涛，杨富尧，韩钰，邹中秋，马剑，吴鹏，刘洋，吴益明，
申请(专利权)人：安徽瑞德磁电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：