溅射机台的烧腔控制方法、装置、计算机设备和存储介质制造方法及图纸

本发明专利技术提供溅射机台的烧腔控制方法、装置、计算机设备和存储介质，所述方法包括：获取当前待溅射物料的第一物料编码；根据所述第一物料编码获取相匹配腔室的目标已闲置时长集；根据所述第一物料编码中的除水汽时长和所述目标已闲置时长集，得到预计闲置时长集；当所述预计闲置时长集中存在大于或等于预设烧腔时长的预计闲置时长时，输出使所述溅射机进行烧腔作业的卡控信息；其解决了现有技术存在的假片烧腔难以管控的问题，通过在上料之前精准计算待使用腔室的预计闲置时间，并根据预计闲置时间进行是否烧腔动作的判断和相应提示，实现对无自动假片烧腔功能的溅射机台的假片烧腔的精准管控，从而提高了芯片封装互联结构的可靠性。可靠性。可靠性。

【技术实现步骤摘要】
溅射机台的烧腔控制方法、装置、计算机设备和存储介质


[0001]本专利技术涉及溅射机台控制
，具体涉及适用于溅射机台的烧腔控制方法、装置、计算机设备和存储介质。

技术介绍

[0002]目前半导体封装领域采用的溅射机台中主要包含3种功能腔室，即：用于清除晶圆表面水汽的除水汽腔室(G腔室)、用于刻蚀去除晶圆表面氧化层的蚀刻腔室(E腔室)和用于沉积金属的沉积腔室(D腔室)。在芯片的封装工艺作业中，要求内部腔室保持高真空负压状态，以防止外界环境中水汽的引入而造成靶材金属的氧化或在晶圆表面金属刻蚀后发生二次氧化的异常。这是因为无论是靶材金属的氧化还是晶圆表面金属的氧化，均会在溅射工艺中将高体积电阻率的氧化物引入到芯片的封装互连结构中，导致芯片封装互连结构的电阻偏高，甚至在溅射的金属层与芯片中的金属层之间引入氧化层，从而导致溅射的金属层与芯片中的金属层之间发生分层开裂的可靠性风险。
[0003]但是，在实际生产过程中，由于生产计划安排可能会出现溅射机台中个别腔室闲置的情况，对于蚀刻腔室，如果刻蚀腔室闲置后，首次作业时可能会由于蚀刻腔室内含有过多的氧气而导致晶圆表面刻蚀量偏低的现象，从而出现晶圆表面金属氧化层去除不净的现象；对于沉积腔室，如果沉积腔室闲置后，可能会使金属溅射靶材表面存在轻微的氧化现象，尤其是非常易氧化的铜靶材。因此，需严格卡控溅射机台中各腔室的状态，在腔室闲置一定时间后，需执行假片烧腔动作来规避以上的风险，即利用假片在各腔室作业一定的时间，对于蚀刻腔室来说，假片作业工艺可去除腔室氛围中过多的氧气，防止出现晶圆表面蚀刻量偏低的情况，对于沉积腔室来说，假片作业工艺可去除金属溅射靶材表面的氧化层。但是，目前无自动假片烧腔功能的溅射机台无法根据各腔室的闲置时间和作业时间来判断各腔室是否需要执行假片烧腔作业，而且，很容易出现由于腔室闲置时间统计不精准所导致的溅射机台功能腔室难以管控问题。
[0004]可见，现有技术中无自动假片烧腔功能的溅射机台存在假片烧腔难以管控的问题，从而影响芯片封装互连结构的可靠性。

技术实现思路

[0005]针对现有技术中所存在的不足，本专利技术提供的溅射机台的烧腔控制方法、装置、计算机设备和存储介质，其解决了现有技术存在的假片烧腔难以管控的问题，通过在上料之前精准计算待使用腔室的预计闲置时间，并根据预计闲置时间进行是否烧腔动作的判断和相应提示，实现对无自动假片烧腔功能的溅射机台的假片烧腔的精准管控，从而提高了芯片封装互联结构的可靠性。
[0006]第一方面，本专利技术提供一种溅射机台的烧腔控制方法，所述溅射机台包括除水汽腔室、至少一个蚀刻腔室和多个不同沉积类型的沉积腔室，所述方法包括：获取当前待溅射物料的第一物料编码，其中所述第一物料编码包括除水汽时长、蚀刻类型和沉积类型，所述
蚀刻类型包括单腔单用、多腔并用和多腔共用，所述沉积类型包括沉积一种或多种金属的任意组合；根据所述第一物料编码获取相匹配腔室的目标已闲置时长集；根据所述第一物料编码中的除水汽时长和所述目标已闲置时长集，得到预计闲置时长集；当所述预计闲置时长集中存在大于或等于预设烧腔时长的预计闲置时长时，输出使所述溅射机进行烧腔作业的卡控信息。
[0007]可选地，当所述溅射机台处于闲置状态时，根据所述第一物料编码获取相匹配腔室的目标已闲置时长集，包括：根据所述第一物料编码的蚀刻类型，获取当前蚀刻腔室的第一已闲置时长集；根据所述第一物料编码的沉积类型，获取与所述金属沉积类型相匹配的目标沉积腔室的第二已闲置时长集；其中，所述目标已闲置时长集包括所述第一已闲置时长集和所述第二已闲置时长集。
[0008]可选地，当所述溅射机台处于工作状态时，根据所述第一物料编码获取相匹配腔室的目标已闲置时长集，包括：根据当前待溅射物料的所述第一物料编码和当前溅射中物料的第二物料编码，获取溅射机台中的预计闲置腔室集，所述预计闲置腔室集为在当前溅射中物料未使用且在所述当前待溅射物料中需要使用的蚀刻腔室或/沉积腔室；将与所述预计闲置腔室集相匹配的已闲置时长集作为所述目标已闲置时长集。
[0009]可选地，根据所述第一物料编码的蚀刻类型，获取当前蚀刻腔室的第一已闲置时长集，包括：判断当前是否存在不可用的蚀刻腔室；若存在不可用的蚀刻腔室，且所述第一物料编码的蚀刻类型为多腔并用，或所述第一物料编码的蚀刻类型中的单腔单用的腔室不是所述不可用的蚀刻腔室时，获取当前可用的蚀刻腔室的第一已闲置时长集。
[0010]可选地，所述方法还包括：若不存在不可用的蚀刻腔室时，获取当前所有蚀刻腔室的第一已闲置时长集；若存在不可用的蚀刻腔室，且所述第一物料编码的蚀刻类型为多腔共用，或所述第一物料编码的蚀刻类型中的单腔单用的腔室为所述不可用的蚀刻腔室时，获取下一批待溅射物料的第三物料编码。
[0011]可选地，将与所述预计闲置腔室集相匹配的已闲置时长集作为所述目标已闲置时长集，包括：当所述预计闲置腔室集中包括蚀刻腔室时，判断所述蚀刻腔室是否可用；当所述蚀刻腔室可用时，获取与所述蚀刻腔室相对应的蚀刻已闲置时长；获取与所述预计闲置腔室集中沉积腔室相对应的沉积已闲置时长；将所述蚀刻已闲置时长和所述沉积已闲置时长作为所述目标已闲置时长集。
[0012]可选地，所述方法还包括：当所述蚀刻腔室不可用时，获取下一批待溅射物料的第三物料编码。
[0013]第二方面，本专利技术提供一种溅射机台的烧腔控制装置，所述溅射机台包括除水汽腔室、至少一个蚀刻腔室和多个不同沉积类型的沉积腔室，所述装置包括：物料编码获取模块，用于获取当前待溅射物料的第一物料编码，其中所述第一物料编码包括除水汽时长、蚀刻类型和沉积类型，所述蚀刻类型包括单腔单用、多腔并用和多腔共用，所述沉积类型包括沉积一种或多种金属的任意组合；目标已闲置时长集获取模块，用于根据所述第一物料编码获取相匹配腔室的目标已闲置时长集；预计闲置时长集获取模块，用于根据所述第一物料编码中的除水汽时长和所述目标已闲置时长集，得到预计闲置时长集；比较模块，用于当所述预计闲置时长集中存在大于或等于预设烧腔时长的预计闲置时长时，输出使所述溅射机进行烧腔作业的卡控信息。
[0014]第三方面，本专利技术提供一种计算机设备，包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现以下步骤：获取当前待溅射物料的第一物料编码，其中所述第一物料编码包括除水汽时长、蚀刻类型和沉积类型，所述蚀刻类型包括单腔单用、多腔并用和多腔共用，所述沉积类型包括沉积一种或多种金属的任意组合；根据所述第一物料编码获取相匹配腔室的目标已闲置时长集；根据所述第一物料编码中的除水汽时长和所述目标已闲置时长集，得到预计闲置时长集；当所述预计闲置时长集中存在大于或等于预设烧腔时长的预计闲置时长时，输出使所述溅射机进行烧腔作业的卡控信息。
[0015]第四方面，本专利技术提供一种可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现以下步骤：获取当前待溅射物料的第一物料编码，其中所述第一物料编码包括除水本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种溅射机台的烧腔控制方法，其特征在于，所述溅射机台包括除水汽腔室、至少一个蚀刻腔室和多个不同沉积类型的沉积腔室，所述方法包括：获取当前待溅射物料的第一物料编码，其中所述第一物料编码包括除水汽时长、蚀刻类型和沉积类型，所述蚀刻类型包括单腔单用、多腔并用和多腔共用，所述沉积类型包括沉积一种或多种金属的任意组合；根据所述第一物料编码获取相匹配腔室的目标已闲置时长集；根据所述第一物料编码中的除水汽时长和所述目标已闲置时长集，得到预计闲置时长集；当所述预计闲置时长集中存在大于或等于预设烧腔时长的预计闲置时长时，输出使所述溅射机台进行烧腔作业的卡控信息。2.如权利要求1所述的溅射机台的烧腔控制方法，其特征在于，当所述溅射机台处于闲置状态时，根据所述第一物料编码获取相匹配腔室的目标已闲置时长集，包括：根据所述第一物料编码的蚀刻类型，获取当前蚀刻腔室的第一已闲置时长集；根据所述第一物料编码的沉积类型，获取与所述金属沉积类型相匹配的目标沉积腔室的第二已闲置时长集；其中，所述目标已闲置时长集包括所述第一已闲置时长集和所述第二已闲置时长集。3.如权利要求1所述的溅射机台的烧腔控制方法，其特征在于，当所述溅射机台处于工作状态时，根据所述第一物料编码获取相匹配腔室的目标已闲置时长集，包括：根据当前待溅射物料的所述第一物料编码和当前溅射中物料的第二物料编码，获取溅射机台中的预计闲置腔室集，所述预计闲置腔室集为在当前溅射中物料未使用且在所述当前待溅射物料中需要使用的蚀刻腔室或/沉积腔室；将与所述预计闲置腔室集相匹配的已闲置时长集作为所述目标已闲置时长集。4.如权利要求2所述的溅射机台的烧腔控制方法，其特征在于，根据所述第一物料编码的蚀刻类型，获取当前蚀刻腔室的第一已闲置时长集，包括：判断当前是否存在不可用的蚀刻腔室；若存在不可用的蚀刻腔室，且所述第一物料编码的蚀刻类型为多腔并用，或所述第一物料编码的蚀刻类型中的单腔单用的腔室不是所述不可用的蚀刻腔室时，获取当前可用的蚀刻腔室的第一已闲置时长集。5.如权利要求4所述的溅射机台的烧腔控制方法，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：张二卫，梁新夫，孟军，徐轶，黄诚楷，孙辉，刘志强，李雨，
申请(专利权)人：长电集成电路绍兴有限公司，
类型：发明
国别省市：